VERFAHREN ZUM BILDEN VON NANOSTRUKTUREN AN EINER OBERFLÄCHE UND WAFER-INSPEKTIONSSYSTEM

    公开(公告)号:WO2020115112A2

    公开(公告)日:2020-06-11

    申请号:PCT/EP2019/083632

    申请日:2019-12-04

    IPC分类号: G02B1/14

    摘要: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bilden von Nanostrukturen (5) an einer freiliegenden Oberfläche (3) eines kristallinen, insbesondere ionischen Substrats (1) zur Transmission von Strahlung im FUV/VUV-Wellenlängenbereich, umfassend: Bereitstellen einer freiliegenden Oberfläche (3) des Substrats (1), die nicht entlang einer Gitterebene mit minimaler Oberflächenenergie orientiert ist, sowie Einbringen eines Energieeintrags (E) in die freiliegende Oberfläche (3) zur Umlagerung der freiliegenden Oberfläche (3) unter Bildung der Nanostrukturen (5), wobei der Energieeintrag (E) durch Bestrahlen der freiliegenden Oberfläche (3) mit elektromagnetischer Strahlung (4) erzeugt wird. Die Erfindung betrifft auch ein optisches Element, welches eine Oberfläche (3) aufweist, an der Nanostrukturen (5) gebildet sind, sowie ein Wafer-Inspektionssystem.

    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ABSCHEIDEN MINDESTENS EINER SCHICHT, OPTISCHES ELEMENT UND OPTISCHE ANORDNUNG

    公开(公告)号:WO2022214376A1

    公开(公告)日:2022-10-13

    申请号:PCT/EP2022/058426

    申请日:2022-03-30

    摘要: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden mindestens einer Schicht (2) aus einem ionisch gebundenen Festkörper auf einem Substrat (3), umfassend die Schritte: Überführen eines Beschichtungsmaterials (8) in die Gasphase, sowie Abscheiden des in die Gasphase überführten Beschichtungsmaterials (8) auf dem Substrat (3). Die Schicht (2) wird während des Abscheidens mit UV/VIS-Licht (11a, 11b) bestrahlt. Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung (1) zur Abscheidung mindestens einer Schicht (2) aus einem ionisch gebundenen Festkörper, umfassend: eine Beschichtungskammer (4) mit einer Halterung (5) für ein Substrat (3), sowie mindestens eine Beschichtungsquelle (7), die ausgebildet ist, ein Beschichtungsmaterial (8) in die Gasphase zu überführen und innerhalb der Beschichtungskammer (4) als Schicht (2) auf dem Substrat (3) abzuscheiden. Die Vorrichtung (1) umfasst eine oder mehrere UV/VIS-Lichtquellen (12a, 12b) zur Bestrahlung der Schicht (2) mit UV/VIS-Licht (11a, 11b) während des Abscheidens. Die Erfindung betrifft auch ein optisches Element mit einem Substrat (3), das mit mindestens einer solchen Schicht (2) beschichtet ist, sowie eine optische Anordnung mit mindestens einem solchen optischen Element.

    OPTISCHE ANORDNUNG FÜR DEN FUV/VUV-WELLENLÄNGENBEREICH

    公开(公告)号:WO2022200054A1

    公开(公告)日:2022-09-29

    申请号:PCT/EP2022/056133

    申请日:2022-03-10

    IPC分类号: G02B13/14 G03F7/20 G02B5/08

    摘要: Die Erfindung betrifft eine optische Anordnung für den FUV/VUV- Wellenlängenbereich, insbesondere eine FUV/VUV-Lithographieanlage oder ein Wafer-Inspektionssystem (2), umfassend: einen Innenraum (33), wobei in dem Innenraum (33) mindestens ein transmittierendes optisches Element (27) zur Transmission von Strahlung (25) im FUV/VUV-Wellenlängenbereich angeordnet ist, welches bevorzugt ein kristallines, insbesondere ionisches Substrat (27a) aufweist, und/oder wobei in dem Innenraum (33) mindestens ein reflektierendes optisches Element (26, 28) zur Reflexion von Strahlung (25) im FUV/VUV- Wellenlängenbereich angeordnet ist, das ein Substrat (26a, 28a) und eine reflektierende Beschichtung (26b, 28b) aufweist, eine Strahlungsquelle (24) zur Bestrahlung des optischen Elements (26, 27, 28) mit Strahlung (25) im FUV/VUV-Wellenlängenbereich, sowie mindestens einen Gaseinlass (34) zur Zuführung mindestens eines Gases in den Innenraum (33). Der Gaseinlass (34) ist zur Zuführung von Ammoniak (NH3) in den Innenraum (33) zumindest während der Bestrahlung des optischen Elements (26, 27, 28) ausgebildet.