公开(公告)号：WO2022003271A1

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：PCT/FR2021/051130

申请日：2021-06-22

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： GRENET, Louis ,  EMIEUX, Fabrice ,  VERILHAC, Jean-Marie

IPC: C30B23/06 ,  C30B29/12 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C09K11/665 ,  C23C14/0694 ,  C23C14/3414 ,  G01T1/2023

Abstract: Procédé de dépôt d'une couche de pérovskite inorganique (1) comprenant les étapes suivantes : a) fournir un substrat (10) et une cible (20) inorganique, b) positionner le substrat (10) et la cible (20), dans un four de sublimation à faible distance (100), c) déposer une couche de pérovskite inorganique (1) sur le substrat (10) par sublimation de la cible (20).

公开(公告)号：WO2014188386A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：PCT/IB2014/061659

申请日：2014-05-23

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： ALTAMURA, Giovanni ,  GRENET, Louis ,  PERRAUD, Simon ,  ROUX, Frédéric

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/03923 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: Procédé de réalisation d'une jonction pn dans une cellule photo voltaïque en couches minces comprenant une étape de dépôt dans laquelle sont réalisées successivement: une couche de précurseurs (12, 13) d'un matériau photo voltaïque de type p ou n, une couche barrière (14) et une couche (15) de précurseurs d'un matériau semi-conducteur de type n ou p, cette étape de dépôt étant suivie d'une étape de recuit réalisée avec un apport de S et/ou Se. Cette étape de recuit conduit a la formation d'une couche absorbante (22) de type p ou n et d'une couche tampon (25) de type n ou p et d'une jonction p-n a I'interface entre lesdites couches, la couche barrière (14) empêchant une diffusion chimique et une oxydation a ladite interface lors de ladite étape de recuit.

Abstract translation: 本发明涉及一种在薄膜光伏电池中制造pn结的方法，包括沉积步骤，其中依次制备以下物质：p型或n型光伏材料的前体层（12,13），a 阻挡层（14）和n型或p型半导体材料的前体层（15），所述沉积步骤之后是用S和/或Se供应进行的退火步骤。 所述退火步骤导致形成p或n型吸收层（22）和在所述层之间的界面处形成n型或p型缓冲层（25）和pn结，所述阻挡层（14）防止化学 在所述退火步骤期间在所述界面处的扩散和氧化。

公开(公告)号：WO2015015367A1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：PCT/IB2014/063305

申请日：2014-07-22

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： GRENET, Louis ,  ALTAMURA, Giovanni ,  KOHEN, David ,  FILLON, Raphaël ,  PERRAUD, Simon

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L31/0326 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: L'Invention est relative à un procédé de réalisation d'une jonction pn dans une cellule photovoltaïque en couches minces à base de CZTS, comprenant; a) une étape de dépôt d'une couche de précurseurs contenant du zinc, de l'étain et du cuivre, la quantité de zinc étant supérieure à celle nécessaire pour transformer les précurseurs en un matériau photovoltaïque du type CZTS et b) une étape de recuit des précurseurs, sous atmosphère de soufre et/ou de sélénium, de façon à obtenir une couche photovoltaïque en CZTS et une couche tampon en ZnS 1-x Se x , avec x compris entre 0 et 1.

Abstract translation: 本发明涉及一种在由薄CZTS基薄膜制成的光伏电池中制备pn结的方法，包括：a）沉积含有锌，锡和铜的前体膜的步骤，锌的量大于 需要将前体转化为CZTS型光伏材料和b）在含硫和/或含硒气氛下退火前体的步骤，以获得由CZTS制成的光伏膜和由ZnS1制成的缓冲层 -xSex，其中x在0和1之间。

公开(公告)号：WO2014023560A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：PCT/EP2013/065383

申请日：2013-07-22

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： GRENET, Louis ,  ALTAMURA, Giovanni ,  PERRAUD, Simon

IPC: H01L31/032

CPC classification number: H01L31/0326 ,  H01L31/072 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50

Abstract: Un agencement pour empilement d'une cellule photovoltaïque comprend une première couche (11) absorbeur de photons et incluant du soufre (S) et du sélénium (Se). La première couche (11) comporte une variation, suivant la direction (Z) de l'épaisseur (e) de la première couche, de la proportion de soufre par rapport à la somme des proportions de soufre et de sélénium, ladite variation étant telle que la première couche (11) présente un gradient de séparation de bande suivant la direction (Z) de l'épaisseur (e) de la première couche (11). L'invention concerne aussi un procédé de fabrication et un équipement de mise en œuvre.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括包含硫（S）和硒（Se）的第一光子吸收层（11）的光伏电池堆叠的装置。 第一层（11）在第一层的厚度（e）的方向（Z）上包括硫的比例相对于硫和硒比例的总和的变化，所述变化使得第一层 层在第一层（11）的厚度（2）的方向（Z）上具有带分离梯度。 本发明还涉及一种其制造方法以及用于实现其的装置。