公开(公告)号：WO2013160369A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/EP2013/058534

申请日：2013-04-24

Applicant: UNIVERSITÉ DU LUXEMBOURG ,  TDK CORPORATION ,  ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： MOUSEL, Marina ,  REDINGER, Alex ,  SIEBENTRITT, Susanne

IPC: H01L21/36 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing semiconductor thin films. In particular, it relates to the manufacturing of (Ag x Cu 1-x ) 2 ZnZ (S y Se 1-y ) 4 thin films, wherein x and y can be selected between 0 and 1 and wherein Z can be selected from Sn, Ge, Si, Pb. The method avoids the loss of Z during annealing, resulting in semiconductor material of a high quality.

Abstract translation: 本发明涉及半导体薄膜的制造方法。 特别涉及（AgxCu1-x）2ZnZ（SySe1-y）4薄膜的制造，其中x和y可以在0和1之间选择，其中Z可以选自Sn，Ge，Si，Pb。 该方法避免退火时Z的损失，导致半导体材料质量高。

公开(公告)号：WO2012170166A2

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：PCT/US2012038256

申请日：2012-05-17

Applicant: AVENTA TECHNOLOGIES LLC ,  SFERLAZZO PIERO ,  LAMPROS THOMAS MICHAEL

Inventor： SFERLAZZO PIERO ,  LAMPROS THOMAS MICHAEL

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/02568 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/545 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: Disclosed are an inline chemical vapor deposition method and system for fabricating a device. The method includes transporting a web or discrete substrate through a deposition chamber having a plurality of deposition modules. A buffer layer, a window layer and a transparent conductive layer are deposited onto the substrate during passage through a first deposition module, a second deposition module and a third deposition module, respectively. Advantageously, the steps for generating the buffer layer, window layer and transparent conductive layer are performed sequentially in a common vacuum environment of a single deposition chamber and the use of a conventional chemical bath deposition process to deposit the buffer layer is eliminated. The method is suitable for the manufacture of different types of devices including various types of solar cells such as copper indium gallium diselenide solar cells.

Abstract translation: 公开了一种用于制造装置的在线化学气相沉积方法和系统。 该方法包括通过具有多个沉积模块的沉积室输送幅材或离散基板。 在通过第一沉积模块，第二沉积模块和第三沉积模块时，缓冲层，窗口层和透明导电层分别沉积到衬底上。 有利地，用于产生缓冲层，窗口层和透明导电层的步骤在单个沉积室的共同真空环境中顺序地进行，并且消除了使用常规化学浴沉积工艺沉积缓冲层。 该方法适用于制造不同类型的器件，包括各种类型的太阳能电池，如铜铟镓二硒化物太阳能电池。

公开(公告)号：WO2011092236A2

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：PCT/EP2011/051117

申请日：2011-01-27

Applicant: WÜRTH SOLAR GMBH & CO. KG ,  BÜRKERT, Linda ,  HARISKOS, Dimitrios ,  KOLB, Torsten ,  SCHNELL, Bettina

Inventor： BÜRKERT, Linda ,  HARISKOS, Dimitrios ,  KOLB, Torsten ,  SCHNELL, Bettina

IPC: C23C18/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: C09D1/00 ,  C23C18/1204 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: Badabscheidungslösung zur nasschemischen Abscheidung einer Metallsulfidschicht und zugehörige Herstellungsverfahren. Die Erfindung bezieht sich auf eine Badabscheidungslösung zur nasschemischen Abscheidung einer Metallsulfidschicht, auf ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Badabscheidungslösung sowie auf ein Verfahren zur Herstellung einer Metallsulfidschicht auf einem Substrat unter Verwendung einer solchen Badabscheidungslösung. Eine erfindungsgemäße Badabscheidungslösung enthält ein Metallsalz, ein Organosulfid, einen Chelatkomplexbildner, der mit Metallionen des Metallsalzes einen Chelatkomplex bildet, und Ammoniumhydroxid. Verwendung z.B. zur nasschemischen Abscheidung von ZnS- Pufferschichten auf Absorberschichten bei der Fertigung von photovoltaischen Dünnschichtbauelementen.

Abstract translation: Badabscheidungslösung用于金属硫化物层的湿化学沉积和制造的相关方法。 本发明涉及一种用于Badabscheidungslösung金属硫化物层的湿化学沉积，一种用于制造这种Badabscheidungslösung以及使用这样的Badabscheidungslösung在基底上产生金属硫化物层的方法。 甲Badabscheidungslösung本发明包含金属盐，有机硫化物，一个螯合剂，其形成与所述金属盐的金属离子，和氢氧化铵形成螯合络合物。 例如使用 用于在生产薄膜光伏器件的吸收层ZnS缓冲层的湿化学沉积。

公开(公告)号：WO2011082179A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：PCT/US2010/062255

申请日：2010-12-28

Applicant: GLOBAL SOLAR ENERGY, INC. ,  BRITT, Jeffrey, S. ,  WIEDEMAN, Scott

Inventor： BRITT, Jeffrey, S. ,  WIEDEMAN, Scott

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L31/03928 ,  C23C14/243 ,  C23C14/548 ,  C23C14/562 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: Improved methods and apparatus for forming thin-film layers of semiconductor material absorber layers on a substrate web. According to the present teachings, a semiconductor layer may be formed in a multi-zone process whereby various layers are deposited sequentially onto a moving substrate web. At least one layer is deposited from a mixed gallium indium source.

Abstract translation: 用于在衬底腹板上形成半导体材料吸收层的薄膜层的改进的方法和装置。 根据本教导，半导体层可以以多区域工艺形成，由此将各层依次沉积到移动的衬底幅材上。 从混合镓铟源沉积至少一层。

公开(公告)号：WO2010099047A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：PCT/US2010/024774

申请日：2010-02-19

Applicant: FIRST SOLAR, INC. ,  ABKEN, Anke

Inventor： ABKEN, Anke

IPC: H01L25/00

CPC classification number: H01L31/1836 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02581 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: A photovoltaic cell can include a substrate having a copper-doped semiconductor layer. The doping can be mediated with a salt.

Abstract translation: 光伏电池可以包括具有铜掺杂半导体层的衬底。 掺杂可以用盐介导。

公开(公告)号：WO2015015367A1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：PCT/IB2014/063305

申请日：2014-07-22

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： GRENET, Louis ,  ALTAMURA, Giovanni ,  KOHEN, David ,  FILLON, Raphaël ,  PERRAUD, Simon

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L31/0326 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: L'Invention est relative à un procédé de réalisation d'une jonction pn dans une cellule photovoltaïque en couches minces à base de CZTS, comprenant; a) une étape de dépôt d'une couche de précurseurs contenant du zinc, de l'étain et du cuivre, la quantité de zinc étant supérieure à celle nécessaire pour transformer les précurseurs en un matériau photovoltaïque du type CZTS et b) une étape de recuit des précurseurs, sous atmosphère de soufre et/ou de sélénium, de façon à obtenir une couche photovoltaïque en CZTS et une couche tampon en ZnS 1-x Se x , avec x compris entre 0 et 1.

Abstract translation: 本发明涉及一种在由薄CZTS基薄膜制成的光伏电池中制备pn结的方法，包括：a）沉积含有锌，锡和铜的前体膜的步骤，锌的量大于 需要将前体转化为CZTS型光伏材料和b）在含硫和/或含硒气氛下退火前体的步骤，以获得由CZTS制成的光伏膜和由ZnS1制成的缓冲层 -xSex，其中x在0和1之间。

公开(公告)号：WO2013191451A1

公开(公告)日：2013-12-27

申请号：PCT/KR2013/005381

申请日：2013-06-19

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 윤재호 ,  곽지혜 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  박상현 ,  조준식 ,  유진수 ,  박주형 ,  어영주

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0725 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 이중의 밴드갭 기울기를 가지는 CZTS계 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, Cu 2 ZnSnS 4 박막층을 형성하는 단계; Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 박막층을 형성하는 단계; 및 Cu 2 ZnSnS 4 박막층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 다른 형태에 따른 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 태양전지의 제조방법은, 후면 전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극의 위에 상기한 방법으로 CZTS계 박막층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 또 다른 형태에 따른 CZTS계 태양전지는, 후면 전극; 및 상기 후면 전극 위에 형성된 CZTS계 박막층을 포함하며, 상기 CZTS계 박막층은, Cu 2 ZnSnS 4 박막층, Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 박막층 및 Cu 2 ZnSnS 4 박막층이 순차로 형성되고, Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 박막층의 밴드갭 에너지가 Cu 2 ZnSnS 4 박막층의 밴드갭 에너지보다 낮은 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 박막층은 표면측의 밴드갭이 높아서 개방전압이 증가하고 재결합이 감소하며, 후면측의 밴드갭이 높아서 전자이동도는 증가함으로써, 태양전지의 효율을 향상시키는 효과가 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有双带隙斜率的基于CZTS的薄膜的制造方法，包括以下步骤：形成Cu2ZnSnS4薄膜层; 形成Cu2ZnSn（S，Se）4薄膜层; 并形成Cu2ZnSnS4薄膜层。 根据本发明的另一方面的制造具有双带隙斜率的CZTS型太阳能电池的方法包括以下步骤：形成后电极; 以及通过上述方法在后电极上形成CZTS基薄膜层。 根据本发明的另一方面的基于CZTS的太阳能电池包括：后电极; 以及形成在后电极上的CZTS基薄膜层，其中基于CZTS的薄膜层的特征在于顺序形成Cu 2 ZnSnSn 4薄膜层，Cu 2 ZnSn（S，Se）4薄膜层和Cu 2 ZnSnSn薄膜层，以及 Cu2ZnSn（S，Se）4薄膜层的带隙能量低于Cu2ZnSnS4薄膜层的带隙能量。 根据本发明的具有双带隙斜率的CZTS基薄膜层具有表面侧的高带隙，从而增加开路电压并减少复合，并且具有后侧的高带隙，从而增加 电子迁移率，从而导致太阳能电池效率的提高。

公开(公告)号：WO2012012700A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：PCT/US2011/044984

申请日：2011-07-22

Applicant: FIRST SOLAR, INC. ,  BECK, Markus, E.

Inventor： BECK, Markus, E.

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  H01L31/032

CPC classification number: C23C14/24 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/228 ,  C23C14/246 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: Manufacturing a photovoltaic device can include a vapor transport deposition process.

Abstract translation: 制造光伏器件可以包括蒸气输送沉积工艺。

公开(公告)号：WO2011133361A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：PCT/US2011/032130

申请日：2011-04-12

Applicant: ENCORESOLAR, INC. ,  BASOL, Bulent, M.

Inventor： BASOL, Bulent, M.

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1836 ,  C25D3/56 ,  C25D3/565 ,  C25D5/50 ,  C25D7/126 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02469 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: A method of fabricating a solar cell involves electroplating a Group IIB-VIA material as a first or sub-layer over a junction partner layer, and then forming a second layer, also of a Group IIB-VIA material over the sub-layer. Both the sub-layer and the second layer comprise Te. The electroplating is performed at relatively low temperatures, as for example, below 100°C. Forming the sub-layer by low temperature electroplating produces a small grained compact film that protects the interface between the sub-layer and the junction partner during the formation of the second layer.

Abstract translation: 制造太阳能电池的方法包括将IIB-VIA族材料电镀作为连接伙伴层上的第一或第二层，然后在子层上形成第IIB-VIA族材料的第二层。 子层和第二层都包括Te。 电镀在比较低的温度下进行，例如低于100℃。 通过低温电镀形成子层产生在第二层形成期间保护子层和连接对象之间的界面的小颗粒致密膜。

公开(公告)号：WO1993024979A1

公开(公告)日：1993-12-09

申请号：PCT/US1993004668

申请日：1993-05-14

Applicant: MINNESOTA MINING AND MANUFACTURING COMPANY

Inventor： MINNESOTA MINING AND MANUFACTURING COMPANY ,  CHENG, Hwa ,  DEPUYDT, James, M. ,  HAASE, Michael, A. ,  QIU, Jun

IPC: H01S03/19

CPC classification number: H01S5/347 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0087 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/342 ,  H01L2924/00

Abstract: A method for using atomic layer epitaxy (ALE) and/or migration enhanced epitaxy (MEE) to grow high efficiency quantum wells in II-VI laser diodes. The substrate and previously grown layers of the laser diode are heated to a temperature less than or equal to about 200 DEG C in an MBE chamber. Sources of Cd, Zn, and Se are injected alternately into the chamber to grow a short-period strained-layer superlattice (SPSLS) quantum well layer including overlaying monolayers of Cd, Zn and Se. The quantum well layer is described by the notation [(CdSe)m(ZnSe)n]p where m, n and p are integers.

Abstract translation: 使用原子层外延（ALE）和/或迁移增强外延（MEE）来生长II-VI激光二极管中的高效量子阱的方法。 激光二极管的衬底和先前生长的层在MBE室中被加热到小于或等于约200℃的温度。 将Cd，Zn和Se的来源交替注入室内，以生长包括Cd，Zn和Se的单层膜的短周期应变层超晶格（SPSLS）量子阱层。 量子阱层由符号[（CdSe）m（ZnSe）n] p描述，其中m，n和p是整数。