PHENYLETHER-SUBSTITUIERTE ORGANISCHE MOLEKÜLE, INSBESONDERE ZUR VERWENDUNG IN OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN
    1.
    发明申请
    PHENYLETHER-SUBSTITUIERTE ORGANISCHE MOLEKÜLE, INSBESONDERE ZUR VERWENDUNG IN OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN 审中-公开
    苯基取代的有机分子,尤其是FOR USE IN亚光电子组件

    公开(公告)号:WO2016116520A1

    公开(公告)日:2016-07-28

    申请号:PCT/EP2016/051161

    申请日:2016-01-20

    Applicant: CYNORA GMBH

    Abstract: Die Erfindung betrifft organische Moleküle, insbesondere zur Verwendung in optoelektronischen Bauelementen, wie OLEDs. Erfindungsgemäß weist das organische Molekül eine Struktur der Formel 1 auf wobei E = ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus S, S(=O), S(=O) 2 , O, C(=O), CR* 2 Si(R 4 )2, Ge(R 4 ) 2 , NR 2 , PR 3 , P(=O)R 7 , P(=S)R 7 , AsR 3 , As(=O)R 7 , As(=S)R 7 , SbR 3 und BR 3 ; J = keine Bindung, sodass an den zwei Phenylringen an dieser Position dann je ein Rest R* vorhanden ist, oder eine Einfachbindung; AF1 und AF2 sind organische chemische Einheiten. R* ist bei jedem Auftreten unabhängig voneinander ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus H, Deuterium, Phenyl, Naphthyl, F, Cl, Br, I, N(R 2 ) 2 , -CN, -NC, -SCN, -CF 3 , -NO 2 , -OH, C(=O)OH, C(=O)OR 3 , C(=O)N(R 3 ) 2 , C(=O)SR 3 , C(=S)SR 3 , Si(R 4 ) 3 , B(OR 5 ) 2 , B(N(R 6 ) 2 ) 2 , C(=O)R 3 , P(=O)(R 7 ) 2 , As(=O)(R 7 ) 2 , P(=S)(R 7 ) 2 , As(=S)(R 7 ) 2 , S(=O)R 3 , S=NR 3 , S(=O)NR 3 , S(=O) 2 NR 3 , S(=O)2R 3 , O-S(=O)2R 3 , SF 5 , eine lineare Alkyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 1 bis 40 C-Atomen oder eine lineare Alkenyl- oder Alkinylgruppe mit 2 bis 40 C-Atomen oder eine verzweigte oder cyclische Alkyl-, Alkenyl-, Alkinyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 3 bis 40 C-Atomen, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R9 substituiert sein kann, wobei eine oder mehrere benachbarte CH 2 -Gruppen durch –R 9 C=CR 9 -, -C≡C-, oder eine benachbarte CH2-Gruppe durch -Si(R 4 ) 2 -, -Ge(R 4 ) 2 -, -Sn(R 4 ) 2 -, -C(=O)-, -C(=S)-, - C(=Se)-, -C=N-, -C(=O)O-, -C(=O)N(R 3 )-, -P(=O)(R 7 )-, -As(=O)(R 7 )-, -P(=S)(R 7 )-, - As(=S)(R 7 )-, -S(=O)-, -S(=O) 2 -, -NR 2 -, -O-, oder -S- ersetzt sein können und wobei ein oder mehrere H-Atome durch Deuterium, F, Cl, Br, I, CN, CF 3 oder NO 2 ersetzt sein können, oder ein aromatisches oder heteroaromatisches Ringsystem mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, das jeweils durch einen oder mehrere Reste R 2 substituiert sein kann.

    Abstract translation: 本发明涉及的有机分子,特别是用于在光电器件使用如OLED。 根据本发明的有机分子具有式1的结构,其中E =选自S,S(= O),S(= O)2,O,C(= O),CR * 2 Si的组中选择的(R4 )2,葛(R 4)2,NR 2,PR 3,P(= O)R 7,P(= S)R 7,ASR3,如(= O)R 7,作为(= S)R 7,SBR3和BR3; J =没有绑定,所以每个基团R *被连接到在随后将该位置存在,或单键的两个苯环; AF1 AF2和是有机的化学部分。 R *每次出现时独立选自H,氘,苯基,萘基,氟,氯,溴,I,N(R2)2,-CN,-NC,-SCN,-CF 3,-NO 2的组中选择 ,-OH,C(= O)OH,C(= O)OR 3,C(= O)N(R 3)2,C(= O)SR3,C(= S)SR3,硅(R4)3,B (OR 5)2,B(N(R 6)2)2,C(= O)R 3,P(= O)(R 7)2,作为(= O)(R 7)2,P(= S)(R 7) 2,如(= S)(R 7)2,S(= O)R 3,S = NR 3,S(= O)NR 3,S(= O)2NR3,S(= O)2R3,OS(= O)2R3 ,SF 5,直链烷基,烷氧基或具有1至40个碳原子或具有2至40个碳原子或支链或环状烷基,烯基,炔基,烷氧基或直链烯基或炔基硫代烷氧基 具有其可以被一个或多个基团R 9,其中一个或多个不相邻的CH由取代的2组由-R9C = CR 9 - , - C≡C-,或相邻的CH 2基团为3〜40个碳原子的硫代烷氧基 - 的Si(R 4)2 - ,-Ge(R 4)2,-Sn(R 4)2 - ,-C(= O) - ,-C(= S) - , - C(= Se)的 - , - C = N-,-C(= O)O-,-C(= O)N(R 3) - , - P(= O)(R7) - ,-As(= O)(R7) - , - (-P = S)(R7) - , - 作为(= S)(R7) - , - S(= O) - , - S(= O)2 - , - NR 2, - O-或-S-可以被替换,并且其中一个或多个H原子被氘替代,F,氯,溴,I,CN,可被替换CF 3或NO 2,或具有5至60个芳族的芳族或杂芳族环系统 环原子,其各自可以被一个或多个基团R 2取代。

    OPTO-ELEKTRONISCHE VORRICHTUNG ENTHALTEND EMITTERVERBINDUNG MIT HOHER QUANTENAUSBEUTE UND LÖSLICHKEIT
    2.
    发明申请
    OPTO-ELEKTRONISCHE VORRICHTUNG ENTHALTEND EMITTERVERBINDUNG MIT HOHER QUANTENAUSBEUTE UND LÖSLICHKEIT 审中-公开
    光电子器件含有高量子效率和溶解度的发射极端

    公开(公告)号:WO2016034556A2

    公开(公告)日:2016-03-10

    申请号:PCT/EP2015/069894

    申请日:2015-09-01

    Applicant: CYNORA GMBH

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine opto-elektronische Vorrichtung, enthaltend eine organochemische Emitterverbindung (E), die einen ΔE-Abstand zwischen dem untersten Triplett-Zustand und dem darüber liegenden Singulett-Zustand von nicht über 3000 cm -1 aufweist, wobei die organochemische Emitterverbindung (E) mindestens eine nicht-komplexierte ionische Gruppe enthält. Ferner umfasst die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Erzeugungvon Licht einer bestimmten Wellenlänge, umfassend den Schritt der Bereitstellung einer erfindungsgemäßen opto-elektronischen Vorrichtung.

    Abstract translation: 本发明涉及含有具有最低三重态和上覆的单重态不超过3000厘米-1,其中,所述发射极有机化学化合物(之间的距离.DELTA.E一个有机化学发射极连接(E)的光电装置 含有e)至少一种非离子性络合基团。 此外,本发明包括用于产生特定波长的光的方法,其包括根据本发明提供一种光电器件的步骤。

    MATERIAL ZUR MARKIERUNG VON GEGENSTÄNDEN, STOFFEN ODER STOFFGEMISCHEN
    3.
    发明申请
    MATERIAL ZUR MARKIERUNG VON GEGENSTÄNDEN, STOFFEN ODER STOFFGEMISCHEN 审中-公开
    材料的目的,物质或混合物MARKING

    公开(公告)号:WO2015162026A1

    公开(公告)日:2015-10-29

    申请号:PCT/EP2015/057953

    申请日:2015-04-13

    Applicant: CYNORA GMBH

    Inventor: MYDLAK, Mathias

    CPC classification number: C09K11/06 C09K2211/188

    Abstract: Die Erfindung betrifft die Verwendung eines Materials zur Markierung von Gegenständen, Stoffen oder Stoffgemischen, wobei das Material eine erste Verbindung mit einem charakteristischen Spektrum aufweist, sowie ein Verfahren zur Markierung von Gegenständen, Stoffen oder Stoffgemischen, aufweisend die Auftragung des genannten Materials.

    Abstract translation: 本发明涉及使用的材料的用于标记的物体,物质或物质混合物,所述具有特征频谱的第一连接,并用于标记物,物质或物质的混合物,包括所述材料的应用程序的方法的材料。

    LIGHT-EMITTING LAYER SUITABLE FOR BRIGHT LUMINESCENCE
    5.
    发明申请
    LIGHT-EMITTING LAYER SUITABLE FOR BRIGHT LUMINESCENCE 审中-公开
    发光层适用于明亮的发光

    公开(公告)号:WO2016041802A1

    公开(公告)日:2016-03-24

    申请号:PCT/EP2015/070342

    申请日:2015-09-07

    Applicant: CYNORA GMBH

    Abstract: The present invention relates to a light-emitting layer B comprising a first emitter compound (a) having a non-exited state S0(a), a first excited singlet state S1(a) and a first excited triplet state T1(a); a second emitter compound (b) having a non-exited state S0(b), a first excited singlet state S1(b) and a first excited triplet state T1(b), wherein the energy level of S1(a) is higher than that of S1(b), the energy level of S1(b) is higher than that of T1(b) and wherein the rate of reverse intersystem crossing from T1(a) to S1(a) is higher than the rate of excition energy transfer from S1(a) to S1(b) and/or the rate of excition energy transfer from T1(a) to T1(b), and/or wherein the energy level of T1(b) is higher than that of T1(a). Further, the present invention also refers to an opto-electronic device comprising such light-emitting layer B and use thereof.

    Abstract translation: 本发明涉及包含具有非退出状态S0(a)的第一发射极化合物(a),第一激发单线态S1(a)和第一激发三态态T1(a))的发光层B. 具有非退出状态S0(b)的第二发射体化合物(b),第一激发单线态S1(b)和第一激发三线态T1(b),其中S1(a)的能级高于 S1(b)的S1(b)的能级高于T1(b)的能级,其中T1(a)到S1(a)的反向系统间交叉比率高于排除能量 从S1(a)到S1(b)的转移和/或从T1(a)到T1(b)的能量转移速率,和/或其中T1(b)的能级高于T1 一个)。 此外,本发明还涉及包含这种发光层B的光电器件及其用途。

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