Abstract:
Die Erfindung betrifft organische Moleküle, insbesondere zur Verwendung in optoelektronischen Bauelementen, wie OLEDs. Erfindungsgemäß weist das organische Molekül eine Struktur der Formel 1 auf wobei E = ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus S, S(=O), S(=O) 2 , O, C(=O), CR* 2 Si(R 4 )2, Ge(R 4 ) 2 , NR 2 , PR 3 , P(=O)R 7 , P(=S)R 7 , AsR 3 , As(=O)R 7 , As(=S)R 7 , SbR 3 und BR 3 ; J = keine Bindung, sodass an den zwei Phenylringen an dieser Position dann je ein Rest R* vorhanden ist, oder eine Einfachbindung; AF1 und AF2 sind organische chemische Einheiten. R* ist bei jedem Auftreten unabhängig voneinander ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus H, Deuterium, Phenyl, Naphthyl, F, Cl, Br, I, N(R 2 ) 2 , -CN, -NC, -SCN, -CF 3 , -NO 2 , -OH, C(=O)OH, C(=O)OR 3 , C(=O)N(R 3 ) 2 , C(=O)SR 3 , C(=S)SR 3 , Si(R 4 ) 3 , B(OR 5 ) 2 , B(N(R 6 ) 2 ) 2 , C(=O)R 3 , P(=O)(R 7 ) 2 , As(=O)(R 7 ) 2 , P(=S)(R 7 ) 2 , As(=S)(R 7 ) 2 , S(=O)R 3 , S=NR 3 , S(=O)NR 3 , S(=O) 2 NR 3 , S(=O)2R 3 , O-S(=O)2R 3 , SF 5 , eine lineare Alkyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 1 bis 40 C-Atomen oder eine lineare Alkenyl- oder Alkinylgruppe mit 2 bis 40 C-Atomen oder eine verzweigte oder cyclische Alkyl-, Alkenyl-, Alkinyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 3 bis 40 C-Atomen, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R9 substituiert sein kann, wobei eine oder mehrere benachbarte CH 2 -Gruppen durch –R 9 C=CR 9 -, -C≡C-, oder eine benachbarte CH2-Gruppe durch -Si(R 4 ) 2 -, -Ge(R 4 ) 2 -, -Sn(R 4 ) 2 -, -C(=O)-, -C(=S)-, - C(=Se)-, -C=N-, -C(=O)O-, -C(=O)N(R 3 )-, -P(=O)(R 7 )-, -As(=O)(R 7 )-, -P(=S)(R 7 )-, - As(=S)(R 7 )-, -S(=O)-, -S(=O) 2 -, -NR 2 -, -O-, oder -S- ersetzt sein können und wobei ein oder mehrere H-Atome durch Deuterium, F, Cl, Br, I, CN, CF 3 oder NO 2 ersetzt sein können, oder ein aromatisches oder heteroaromatisches Ringsystem mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, das jeweils durch einen oder mehrere Reste R 2 substituiert sein kann.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft eine opto-elektronische Vorrichtung, enthaltend eine organochemische Emitterverbindung (E), die einen ΔE-Abstand zwischen dem untersten Triplett-Zustand und dem darüber liegenden Singulett-Zustand von nicht über 3000 cm -1 aufweist, wobei die organochemische Emitterverbindung (E) mindestens eine nicht-komplexierte ionische Gruppe enthält. Ferner umfasst die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Erzeugungvon Licht einer bestimmten Wellenlänge, umfassend den Schritt der Bereitstellung einer erfindungsgemäßen opto-elektronischen Vorrichtung.
Abstract:
Die Erfindung betrifft die Verwendung eines Materials zur Markierung von Gegenständen, Stoffen oder Stoffgemischen, wobei das Material eine erste Verbindung mit einem charakteristischen Spektrum aufweist, sowie ein Verfahren zur Markierung von Gegenständen, Stoffen oder Stoffgemischen, aufweisend die Auftragung des genannten Materials.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein organisches Molekül, aufweisend eine Struktur der Formel 1 und dessen Verwendung in optoelektronischen Vorrichtungen: AF1 ist eine erste chemische Einheit, aufweisend ein konjugiertes System; AF2 ist eine zweite chemische Einheit, aufweisend ein konjugiertes System; AF1 ≠ AF2; und wobei die chemische Einheit AF1 eine Struktur nach Formel 1a aufweist wobei # die Position kennzeichnet über die die Anbindung an die zweite chemische Einheit AF2 erfolgt; n eine ganzzahlige Zahl von 0 bis 6 ist; K = CN, SO 2 R*, SOR* oder POR* 2 .
Abstract translation:本发明涉及的有机分子,其具有式1的结构和它的使用在光电器件:AF1是包含共轭系统中的第一化学部分; AF2是包含共轭系统中的第二化学部分; AF1 AF2≠; 并且其中,根据式1a其中#标记的位置具有这样的结构的化学部分AF1经由其连接到所述第二化学实体AF2; n是0至6的整数; K = CN,SO 2 R *,SOR *或POR * 2
Abstract:
The present invention relates to a light-emitting layer B comprising a first emitter compound (a) having a non-exited state S0(a), a first excited singlet state S1(a) and a first excited triplet state T1(a); a second emitter compound (b) having a non-exited state S0(b), a first excited singlet state S1(b) and a first excited triplet state T1(b), wherein the energy level of S1(a) is higher than that of S1(b), the energy level of S1(b) is higher than that of T1(b) and wherein the rate of reverse intersystem crossing from T1(a) to S1(a) is higher than the rate of excition energy transfer from S1(a) to S1(b) and/or the rate of excition energy transfer from T1(a) to T1(b), and/or wherein the energy level of T1(b) is higher than that of T1(a). Further, the present invention also refers to an opto-electronic device comprising such light-emitting layer B and use thereof.