公开(公告)号：WO2017174527A1

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：PCT/EP2017/057886

申请日：2017-04-03

Applicant: HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E. V.

Inventor： SCHMIDT, Heidemarie ,  LI, Kefeng ,  SKORUPA, Ilona ,  DU, Nan

IPC: G11C13/00 ,  G06N3/04 ,  G06N3/063 ,  H03K19/20

Abstract: Die Erfindung betrifft ein elektronisches memristives Bauelement,welches einen komplementären analogen rekonfigurierbaren memristiven bidirektionalen Widerstandsschalter aufweist. Das Bauelement weisteine memristive Schichtfolgemit BFTO/BFO/BFTO Dreilagenschicht sowie zwei Elektroden auf. Titan traps sind in den BFTO Grenzschichten angeordnet. Durch mobile Sauerstoffvakanzen sind die Potentialbarrieren an den Grenzschichten der Elektroden zur memristiven Schichtfolge flexibel ausgebildet. Durch Anlegen elektrischer Spannungspulse sind die Sauerstoffvakanzen aus der Grenzschicht zur ersten in die Grenzschicht zur zweiten Elektrode verschiebbar, wobei ein Anheben der Potentialbarriere an einer Elektrode ein komplementäres Absenken der Potentialbarriere an der anderen Elektrode hervorruft. Das erfindungsgemäße Verfahren zum Betrieb des Bauelements schlägt angepasste Schreibprozesse vor, die mittels der Überlagerung von Schreibpulssequenzen die Festlegungeines Zustandspaares komplementärer Widerstandszustände realisieren. In Verbindung mit Lesepulsen angepasster Polarität kann das Bauelement Fuzzy-Logik umsetzen und als künstliche Synapse mit der Realisierung aller vier Lernkurven für komplementäres Lernen betrieben werden. Eine Mehrzahl von Verwendungsmöglichkeiten des erfindungsgemäß betriebenen Bauelementswird vorgeschlagen.

Abstract translation: 本发明涉及包括互补的模拟可重新配置的忆阻式双向电阻开关的电子忆阻装置。 该器件具有带BFTO / BFO / BFTO三层层和两个电极的忆阻层序列。 泰坦陷阱排列在BFTO边界层。 通过可移动的氧空位，用于记忆层序列的电极边界层的势垒是灵活的。 通过施加电压脉冲，从边界层到第一电极的氧空位可移动到第二电极的边界层中，其中在一个电极处提高势垒导致另一个电极处的势垒的互补降低。 操作设备的本发明方法提出了适应性写入过程，其通过写入脉冲序列的叠加来实现互补电阻器状态对的定义。 结合极性匹配的读取脉冲，该器件可以实现模糊逻辑并作为人工突触运行，并实现所有四条互补学习的学习曲线。 本发明的多种可能的用途。 提议使用操作元件。