公开(公告)号：WO2015131877A1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：PCT/DE2015/100029

申请日：2015-01-26

Applicant: HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E. V.

Inventor： SCHMIDT, Heidemarie ,  SKORUPA, Ilona ,  PRUCNAL, Slawomir ,  BÜRGER, Danilo ,  BOGUSZ, Agnieska ,  SELVARAJ, Laveen

IPC: H01L29/861 ,  H01G7/02 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/93 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L29/93 ,  H01G7/025 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/56 ,  H01L29/8616 ,  H01L31/09 ,  H01L31/10

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Kapazitätsdiode, ein Verfahren zum Herstellen derselben, sowie einen Speicher und Detektor mit einer solchen Kapazitätsdiode, wobei die Kapazitätsdiode eine erste und eine zweite Elektrode sowie eine kontaktierend zwischen den beiden Elektroden angeordnete Schichtanordnung aufweist, und wobei die Schichtanordnung in Richtung von der ersten zu der zweiten Elektrode hin nacheinander eine Schicht aus einem ferroelektrischen Material und eine elektrisch isolierende Schicht aus einem dielektrischen Material mit elektrisch geladenen Störstellen aufweist.

Abstract translation: 本发明涉及一种变容二极管，其制造方法，和存储器，并且具有这样的可变电容二极管的检测器，所说的第一和第二电极，以及设置在这两个电极层布置之间的接触，并且其中，可变电容二极管中的方向上的层布置 具有朝向的铁电材料层和介电材料的具有带电杂质的电绝缘层的第二电极的第一连续。