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公开(公告)号：WO2009050971A1
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：PCT/JP2008/066645
申请日：2008-09-16
CPC classification number: C25D5/10 , C23C18/1653 , C23C28/021 , C23C28/023 , C23C28/028 , C25D5/56 , C25D7/06 , H05K1/0393 , H05K1/09 , H05K3/388 , H05K2201/0154 , H05K2201/0338 , H05K2203/0723 , Y10T428/12569 , Y10T428/12847 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/265 , Y10T428/31681 , Y10T428/31721
Abstract: ポリイミドフィルムの表面に無電解めっき又は乾式法により形成されたタイコート層および金属シード層と、さらにその上に電気めっきにより形成された銅又は銅合金層を有する金属被覆ポリイミド複合体において、前記銅又は銅合金めっき層は３層～1層の銅又は銅合金層を備え、銅又は銅合金層が３層～２層である場合において、該銅又は銅合金層の境界に不純物の濃縮部を有し、銅又は銅合金層が１層である場合において、不純物の濃縮部を有しない金属被覆ポリイミド複合体。無接着剤フレキシブルラミネート（特に、二層フレキシブル積層体）における剥離防止、特に銅層と錫めっきの界面から剥離するのを効果的に抑制できる金属被覆ポリイミド複合体、同複合体の製造方法及び電子回路基板の製造方法を提供することを課題とする。
Abstract translation: 本发明提供一种金属覆盖的聚酰亚胺复合材料，其能够有效地防止在无粘合剂的柔性层压体（特别是双层柔性层压体）中的分离，特别是可以有效地抑制从铜层和镀锡层的界面的分离， 复合体的制造方法以及电子电路基板的制造方法。 金属覆盖的聚酰亚胺复合材料包括通过无电镀或干燥方法在聚酰亚胺膜的表面上形成的聚酰亚胺膜，接合层和金属种子层，以及通过电镀形成在其上的铜层或铜合金层。 铜镀层或铜合金镀层包括三到一个铜层或铜合金层。 当铜层或铜合金层具有三层或两层结构时，杂质浓缩部分存在于铜层或铜合金层的边界处。 当铜层或铜合金层具有单层结构时，杂质浓缩部分不存在。
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公开(公告)号：WO2003107403A1
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：PCT/JP2002/010713
申请日：2002-10-16
Applicant: 株式会社日鉱マテリアルズ , 清水 英一 , 牧野 修仁
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C30B25/12 , C23C16/4581 , C30B25/10 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1064 , Y10T117/1068
Abstract: 密閉可能な反応炉と、該反応炉内に設置され所定の位置にウェハを配置するためのウェハ収容部と、ウェハに向けて原料ガスを供給するためのガス供給手段と、前記ウェハを加熱するための加熱手段と、を少なくとも備え、前記反応炉内において前記加熱手段により前記ウェハ収容部を介してウェハを加熱しつつ、高温状態で前記反応炉内に原料ガスを供給することにより、前記ウェハ表面に成長膜を形成する気相成長装置において、前記ウェハ収容部を単一の素材もしくは部材で構成する場合は、前記ウェハ収容部裏面から前記ウェハ表面に向かう熱伝達経路の熱抵抗Ｒ 1 と前記ウェハ収容部裏面から前記ウェハ収容部表面に向かう熱伝達経路の熱抵抗Ｒ 2 の比Ｒ 2 ／Ｒ 1 が０．４以上１．０以下となるようにした。
Abstract translation: 一种气相外延装置，至少包括可封闭的反应器，安装在反应器中的用于在特定位置处设置晶片的晶片储存部分，用于将原料气体供给到晶片的气体供给装置，以及用于加热晶片的加热装置 其特征在于，在所述晶片的表面上，通过在所述晶片保存部通过所述加热装置在所述反应器中加热所述晶片的同时将所述原料气体进料到所述反应器中而在所述晶片的表面上形成外延薄膜， 的单一材料或单个构件，从晶片储存部分的后表面延伸到晶片储存部分的前表面的传热路径的热阻R2的比R2 / R1相对于晶片存储部分的耐热性R1 从晶片储存部件的后表面延伸到晶片前表面的传热路径为0.4至1.0。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2009050970A1
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：PCT/JP2008/066644
申请日：2008-09-16
CPC classification number: C23C28/023 , C23C18/1601 , C23C18/1653 , C23C28/021 , C23C28/028 , C25D5/10 , C25D7/0635 , H05K1/0346 , H05K3/022 , H05K3/241 , H05K3/388 , H05K2201/0154 , H05K2203/1476 , H05K2203/1545 , Y10T428/12847 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291
Abstract: ポリイミドフィルムの表面に無電解めっき又は乾式法により形成されたタイコート層および金属シード層と、さらにその上に電気めっきにより形成された銅又は銅合金層を有する金属被覆ポリイミド複合体において、前記銅又は銅合金めっき層は３層～1層の銅又は銅合金層を備えていることを特徴とする金属被覆ポリイミド複合体。無接着剤フレキシブルラミネート（特に、二層フレキシブル積層体）における剥離防止、特に銅層と錫めっきの界面から剥離するのを効果的に抑制できる金属被覆ポリイミド複合体、同複合体の製造方法及び同複合体の製造装置を提供することを課題とする。
Abstract translation: 本发明提供一种金属覆盖的聚酰亚胺复合材料，其能够有效地防止在无粘合剂的柔性层压体（特别是双层柔性层压体）中的分离，特别是可以有效地抑制从铜层和镀锡层的界面的分离， 复合体的制造方法以及复合体的制造装置。 金属覆盖的聚酰亚胺复合材料包括通过无电镀或干燥方法在聚酰亚胺膜的表面上形成的聚酰亚胺膜，接合层和金属种子层，以及通过电镀形成在其上的铜层或铜合金层。 金属覆盖的聚酰亚胺复合材料的特征在于铜镀层或铜合金镀层包括三对一的铜或铜合金层。
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公开(公告)号：WO2003107404A1
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：PCT/JP2002/010714
申请日：2002-10-10
Applicant: 株式会社日鉱マテリアルズ , 清水 英一 , 牧野 修仁
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/46 , C30B25/10 , C30B25/12 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012 , Y10T117/1016
Abstract: 密閉可能な反応炉と、該反応炉内に設置され所定の位置にウェハを配置するためのウェハ収容体と、ウェハに向けて原料ガスを供給するためのガス供給手段と、前記ウェハを加熱するための加熱手段と、を少なくとも備え、前記反応炉内において前記加熱手段により前記ウェハ収容体を介してウェハを加熱しつつ、高温状態で前記反応炉内に原料ガスを供給することにより、前記ウェハ表面に成長膜を形成する気相成長装置において、前記ウェハ収容体を、前記ウェハを収容するための空部を形成された熱流制御部と、該熱流制御部に接合され前記空部に収容されたウェハに熱を伝導するための熱流伝導部とで構成し、前記熱流制御と前記熱流伝導部との接触熱抵抗を１．０×１０ -6 ｍ 2 Ｋ／Ｗ以上５．０×１０ -3 ｍ 2 Ｋ／Ｗ以下にするとともに、前記熱流制御部を前記熱流伝導部上に配置されるウェハの熱伝導率の０．５倍以上５倍以下の熱伝導率を有する材質で形成するようにした。
Abstract translation: 气相外延装置包括可密封的反应炉，安装在反应炉中以将晶片设置在预定位置的晶片容纳体，用于将原料气体送入晶片的气体供给装置，以及加热装置 晶圆。 通过在反应炉中通过加热装置通过晶片容纳体加热晶片，在晶片的表面上形成外延膜，通过将原料气体进入高温状态的反应炉内。 晶片容纳体包括具有形成为容纳晶片的空腔的热流控制单元，以及与热流控制单元接合以将热传递到容纳在空腔中的晶片的热流传输单元。 具有热流传递单元的热流控制单元的接触热阻被设定为不低于1.0×10 -6 m 2 K / W且不大于5.0×10 -3 K 2 / 2> K / W，并且热流控制单元由导热率不小于设置在热流转移单元上的晶片的热导率的0.5倍且不大于5倍的材料形成。
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公开(公告)号：WO2009098832A1
公开(公告)日：2009-08-13
申请号：PCT/JP2008/073531
申请日：2008-12-25
IPC: B32B15/088 , B32B15/08 , C23C28/02 , H05K1/03
CPC classification number: H05K3/388 , H05K1/0346 , H05K3/381 , H05K2201/0154 , H05K2203/095 , Y10T428/12569
Abstract: 少なくとも一方の面をプラズマ処理されたポリイミドフィルムと、プラズマ処理された面に形成したタイコート層と、タイコート層上に形成した金属シード層、さらに金属シード層上に形成した金属導体層からなる無接着剤フレキシブルラミネートであって、タイコート層の実測密度：ρ ｐ と理論密度：ρ t の比ρ ｐ ／ρ t が、ρ ｐ ／ρ t ＞０．６であることを特徴とする無接着剤フレキシブルラミネート。無接着剤フレキシブルラミネート（特に、二層メタライジング積層体）の金属層とポリイミドフィルムの密着力を高めることを課題とする。
Abstract translation: 一种不含粘合剂的柔性层压体，其包含至少一侧已经用等离子体处理的聚酰亚胺膜，在等离子体处理的表面上形成的粘结层，形成在连接层上的金属种子层，以及 形成在金属种子层上的金属导体层。 层叠体的特征在于，粘结层中的实际密度（Δp）与理论密度（Δt）的比值ΔP/Δt满足θp/Δt> 0.6。 在无粘合剂的柔性层压体（特别是具有两个金属化层的层压体）中，金属层和聚酰亚胺膜之间的粘附性增强。
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公开(公告)号：WO2008114539A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2008/051646
申请日：2008-02-01
Inventor： 牧野 修仁
IPC: H01B5/14 , B32B15/088 , H05K1/03
CPC classification number: H05K3/388 , H05K1/0346 , H05K3/381 , H05K2201/0154 , H05K2203/095 , Y10T428/12472
Abstract: 本願発明は、少なくとも一方の面をプラズマ処理されたポリイミドフィルムと、プラズマ処理された面に形成したタイコート層と、タイコート層上に形成した金属導体層からなる無接着剤フレキシブルラミネートであって、タイコート層の厚さ（Ｔ）とプラズマ処理されたポリイミドフィルム表面の１０点平均粗さ（Ｒｚ）の比Ｔ／Ｒｚが２以上である無接着剤フレキシブルラミネートに関する。無接着剤フレキシブルラミネート（特に、二層フレキシブル積層体）の密着力の指標である初期密着力を向上させるだけでなく、加熱エージング後（１５０°Ｃ、大気中に１６８時間放置された後）の密着力を高めることを課題とする。
Abstract translation: 公开了一种非粘合型柔性层压体，其包含其中至少一个表面进行等离子体处理的聚酰亚胺膜，形成在聚酰亚胺膜的等离子体处理表面上的接合涂层和形成在接合层上的导电金属层 其中，所述接合涂层的厚度（T）与所述聚酰亚胺膜的等离子体处理表面的十点平均粗糙度（Rz）的比率（T / Rz比）为2以上。 本发明的目的是提高作为粘附力的测量的初始粘合力，并且还可以提高热老化后的粘合力（即，在空气中在150℃下空气中放置168小时后）在 非粘合型柔性层压材料（特别是双层柔性层压材料）。
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公开(公告)号：WO2005081298A1
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/JP2005/002225
申请日：2005-02-15
Applicant: 株式会社日鉱マテリアルズ , 清水 英一 , 牧野 修仁 , 川辺 学
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C30B25/10 , C23C16/4583
Abstract: ウェハの面内全域において良好な均一性を有する薄膜を気相成長させることができる気相成長装置を提供する。 密閉可能な反応炉と、該反応炉内に設置され表側にウェハを保持するためのウェハ載置部（ポケット孔）を有するウェハ収容手段（ウェハホルダ）と、ウェハに向けて原料ガスを供給するためのガス供給手段（ガス導入管）と、前記ウェハを加熱するための加熱手段（加熱ヒータ）と、前記ウェハ収容手段を保持するとともに前記加熱手段からの熱を均一化する均熱手段（サセプタ）と、を少なくとも備え、前記反応炉内において前記加熱手段により前記均熱手段及び前記ウェハ収容手段を介してウェハを加熱しつつ、高温状態で原料ガスを供給することにより、前記ウェハ表面に成長膜を形成する気相成長装置において、前記ウェハ収容手段の裏側にドーム状に窪んだ凹部を形成するようにした。
Abstract translation: 用于在整个晶片表面上外延生长具有优异均匀性的薄膜的外延生长设备。 外延生长设备至少设置有密封密封的反应器，晶片存储装置（晶片保持器），其布置在反应器中并具有用于将晶片保持在正面的晶片放置部分（凹穴） ，用于向晶片供给材料气体的气体供给装置（气体导入管），用于加热晶片的加热装置（加热器）和保持晶片储存装置的热均匀化装置（基座），并使来自 加热方式。 在外延生长设备的反应器中，通过在高温状态下供给材料气体，同时通过加热装置通过热均质化装置和晶片储存装置加热晶片，在晶片表面上形成生长膜。 在晶片存储装置的后侧，形成凹陷在圆顶形状的部分。
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