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    ETCHED SILICON STRUCTURES, METHOD OF FORMING ETCHED SILICON STRUCTURES AND USES THEREOF
    1.
    发明申请
    ETCHED SILICON STRUCTURES, METHOD OF FORMING ETCHED SILICON STRUCTURES AND USES THEREOF 审中-公开
    蚀刻硅结构，形成蚀刻硅结构的方法及其用途

    公开(公告)号：WO2013093504A3

    公开(公告)日：2013-09-26

    申请号：PCT/GB2012053241

    申请日：2012-12-21

    Applicant: NEXEON LTD

    Inventor： LIU FENGMING ,  JIANG YUXIONG ,  GREEN MINO

    IPC: C23C18/16 ,  C23C18/31

    CPC classification number: H01M4/386 ,  B81C1/00539 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1639 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/31 ,  C23C18/38 ,  C23C18/42 ,  C23F1/34 ,  C23F1/40 ,  H01M4/0404 ,  H01M4/0492 ,  H01M4/366 ,  H01M10/052

    Abstract: A method of etching silicon, the method comprising the steps of: electrolessly depositing a first metal onto a silicon surface to be etched, wherein the electrolessly deposited first metal partially covers the surface of the silicon to be etched; depositing a second metal that is different from the first metal over the silicon surface and the electrolessly deposited first metal, wherein a film of the deposited second metal covers the silicon surface to be etched; removing the first metal and the second metal from regions of the film of the deposited second metal that overlie the first metal to leave the second metal partially covering the silicon surface to be etched; and etching the silicon by exposing the silicon surface to an aqueous etching composition comprising an oxidant and a source of fluoride ions.

    Abstract translation: 一种蚀刻硅的方法，所述方法包括以下步骤：将第一金属无电沉积到待蚀刻的硅表面上，其中所述无电沉积的第一金属部分地覆盖待蚀刻的硅的表面; 在硅表面和无电沉积的第一金属上沉积不同于第一金属的第二金属，其中沉积的第二金属的膜覆盖待蚀刻的硅表面; 从覆盖在第一金属上的沉积的第二金属的膜的区域去除第一金属和第二金属，以使第二金属部分地覆盖待蚀刻的硅表面; 并通过将硅表面暴露于包含氧化剂和氟离子源的水性蚀刻组合物来蚀刻硅。

    ETCHED SILICON STRUCTURES, METHOD OF FORMING ETCHED SILICON STRUCTURES AND USES THEREOF
    2.
    发明申请
    ETCHED SILICON STRUCTURES, METHOD OF FORMING ETCHED SILICON STRUCTURES AND USES THEREOF 审中-公开
    蚀刻硅结构，形成蚀刻硅结构的方法及其用途

    公开(公告)号：WO2013093504A2

    公开(公告)日：2013-06-27

    申请号：PCT/GB2012/053241

    申请日：2012-12-21

    Applicant: NEXEON LIMITED

    Inventor： LIU, Fengming ,  JIANG, Yuxiong ,  GREEN, Mino

    CPC classification number: H01M4/386 ,  B81C1/00539 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1639 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/31 ,  C23C18/38 ,  C23C18/42 ,  C23F1/34 ,  C23F1/40 ,  H01M4/0404 ,  H01M4/0492 ,  H01M4/366 ,  H01M10/052

    Abstract: A method of etching silicon, the method comprising the steps of: electrolessly depositing a first metal onto a silicon surface to be etched, wherein the electrolessly deposited first metal partially covers the surface of the silicon to be etched; depositing a second metal that is different from the first metal over the silicon surface and the electrolessly deposited first metal, wherein a film of the deposited second metal covers the silicon surface to be etched; removing the first metal and the second metal from regions of the film of the deposited second metal that overlie the first metal to leave the second metal partially covering the silicon surface to be etched; and etching the silicon by exposing the silicon surface to an aqueous etching composition comprising an oxidant and a source of fluoride ions.

    Abstract translation: 一种蚀刻硅的方法，所述方法包括以下步骤：将第一金属无电沉积到待蚀刻的硅表面上，其中所述无电沉积的第一金属部分地覆盖待蚀刻的硅的表面 ; 在硅表面上沉积不同于第一金属的第二金属和无电沉积的第一金属，其中沉积的第二金属的膜覆盖待蚀刻的硅表面; 从沉积的第二金属膜的覆盖第一金属的区域去除第一金属和第二金属，以留下第二金属部分地覆盖待蚀刻的硅表面; 以及通过将硅表面暴露于包含氧化剂和氟化物离子源的含水蚀刻组合物来蚀刻硅。

    めっき基材
    5.
    发明申请
    めっき基材 审中-公开
    基板材料

    公开(公告)号：WO2006112215A1

    公开(公告)日：2006-10-26

    申请号：PCT/JP2006/304881

    申请日：2006-03-13

    Applicant: 日鉱金属株式会社 ,  相場 玲宏 ,  河村 一三 ,  高橋 祐史

    Inventor： 相場 玲宏 ,  河村 一三 ,  高橋 祐史

    IPC: C23C18/42

    CPC classification number: C23C18/1601 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/42 ,  H05K3/244 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/073

    Abstract: 　下地金属の耐食性に優れ、またはんだ接合性も向上でき、しかもコスト面で従来品よりも有利な無電解金めっき皮膜を有する基材を提供することを目的とする。 　基材上に多層膜を有するめっき基材であって、該多層膜が下層として無電解ニッケルめっき皮膜、中間層として膜厚０．２ｎｍ以上１０ｎｍ未満、または重量０．２４３２μｇ／ｃｍ ２ 以上１２．１６０μｇ／ｃｍ ２ 未満の置換型無電解パラジウムめっき皮膜、上層として無電解金めっき皮膜からなることを特徴とするめっき基材。

    Abstract translation: 提供一种具有化学镀膜的基材，其具有优异的母材的耐腐蚀性，并且可以通过焊接来提高接合性，并且从制造成本的观点来看，优于常规的电镀膜。 一种电镀基材，其具有形成在其上的基材和多层膜，其特征在于，所述多层膜包括作为下层的无电镀镍膜，不具有厚度的取代型无电镀钯膜 小于0.2nm，小于10nm，重量不小于0.2432μg/ cm 2，小于12.160μg/ cm 2作为中间膜，以及 化学镀金膜为上层。

    ELECTROLESS DEPOSITION METHODS AND SYSTEMS
    6.
    发明申请
    ELECTROLESS DEPOSITION METHODS AND SYSTEMS 审中-公开
    电沉积方法和系统

    公开(公告)号：WO2005007930A1

    公开(公告)日：2005-01-27

    申请号：PCT/US2004/020498

    申请日：2004-06-25

    Applicant: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. ,  MARDILOVICH, Peter ,  HERMAN, Gregory S. ,  PUNSALAN, David ,  BERTHANE, Samson

    Inventor： MARDILOVICH, Peter ,  HERMAN, Gregory S. ,  PUNSALAN, David ,  BERTHANE, Samson

    IPC: C23C18/16

    CPC classification number: C23C18/1601 ,  C23C18/1603 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/28 ,  C23C18/30 ,  C23C18/31 ,  C23C18/405 ,  C23C18/44 ,  H05K3/182 ,  H05K2203/013 ,  H05K2203/1157

    Abstract: Methods and systems for depositing metal patterns on a substrate are provided. Accordingly, an electroless active layer can be formed on a substrate. Ink-jet techniques can then be used to independently ink-jet at least two components of an electroless deposition composition onto a variety of substrates. A metal composition can be ink-jetted onto the electroless active layer. The metal composition can contain a metal salt and optional additives. A reducing agent composition can be ink-jetted either subsequent to or prior to ink-jetting of the metal composition to form an electroless composition on the substrate. The metal salt and reducing agent react to form a metal pattern which can be used in formation of electronic devices or other products. The described ink-jettable compositions are stable over a wide range of conditions and allow for wide latitude in ink-jet formulations and choice of substrates.

    Abstract translation: 提供了用于在衬底上沉积金属图案的方法和系统。 因此，可以在基板上形成无电活性层。 然后可以使用喷墨技术独立地将无电沉积组合物的至少两种组分喷射到各种基底上。 可以将金属组合物喷墨到无电活性层上。 金属组合物可以含有金属盐和任选的添加剂。 还原剂组合物可以在喷墨金属组合物之前或之前喷墨，以在基材上形成无电解组合物。 金属盐和还原剂反应形成可用于形成电子器件或其它产品的金属图案。 所描述的喷墨组合物在宽范围的条件下是稳定的，并且允许喷墨制剂的广泛范围和底物的选择。

    METHOD OF ELECTROPLATING NONCONDUCTIVE PLASTIC MOLDED PRODUCT
    7.
    发明申请
    METHOD OF ELECTROPLATING NONCONDUCTIVE PLASTIC MOLDED PRODUCT 审中-公开
    电镀非导电塑料制品的方法

    公开(公告)号：WO1998045505A1

    公开(公告)日：1998-10-15

    申请号：PCT/JP1997001187

    申请日：1997-04-07

    Applicant: OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO., LTD. ,  SHIROTA, Hideki ,  OKADA, Jun

    Inventor： OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO., LTD.

    IPC: C25D05/56

    CPC classification number: C25D5/56 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/285 ,  C23C18/30

    Abstract: A method of electroplating a nonconductive plastic molded product is provided, which comprises the steps of applying an electroless plating catalyst to a nonconductive plastic molded product by using a colloidal solution containing a noble metal compound and a stannous compound, forming on the resultant product a conductive film by using an electroless plating liquid containing a copper compound, reducible saccharides, a complexing agent and a metal hydroxide, and then electroplating the resultant product. By this simple method, an electroplating film having excellent appearance and physical properties is formed on a nonconductive plastic molded product.

    Abstract translation: 提供了一种电镀非导电塑料模制产品的方法，其包括以下步骤：通过使用含有贵金属化合物和亚锡化合物的胶体溶液将非化学镀催化剂施加到非导电塑料模制产品上，在所得产品上形成导电 通过使用含有铜化合物，可还原糖，络合剂和金属氢氧化物的化学镀液，然后电镀所得产物。 通过这种简单的方法，在非导电塑料模塑产品上形成具有优异外观和物理性质的电镀膜。

    METAL COATING OF OBJECTS USING PLASMA POLYMERISATION
    8.
    发明申请
    METAL COATING OF OBJECTS USING PLASMA POLYMERISATION 审中-公开
    使用等离子体聚合的物体的金属涂层

    公开(公告)号：WO2012066018A2

    公开(公告)日：2012-05-24

    申请号：PCT/EP2011/070213

    申请日：2011-11-16

    Applicant: CUPTRONIC TECHNOLOGY LTD. ,  GÖTHE, Sven ,  ATTHOFF, Björn ,  LARSSON, Karl-Gunnar

    Inventor： GÖTHE, Sven ,  ATTHOFF, Björn ,  LARSSON, Karl-Gunnar

    IPC: C23C18/16

    CPC classification number: C23C16/0272 ,  B05D1/62 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1803 ,  C23C18/1834 ,  C23C18/1851 ,  C23C18/2006 ,  C23C18/2013 ,  C23C18/2086 ,  H01L31/04 ,  H01M4/8825 ,  H01M4/886 ,  H01M8/02 ,  H05K1/02 ,  H05K3/387 ,  H05K2203/095 ,  H05K2203/1168 ,  Y10T428/12063 ,  Y10T428/12396 ,  Y10T428/12493

    Abstract: A method for applying a metal on a substrate comprises: a) applying a coating by treatment in a plasma, comprising a compound selected from alkanes up to 1 0 carbon atoms, and unsaturated monomers, and b l ) producing polymers on the surface of said substrate, said polymers comprising carboxylic groups and adsorbed ions of a second metal, reducing said ions to the second metal, or alternatively b2) producing polymers on the surface, bringing the surface of said substrate in contact with a dispersion of colloidal metal particles of at least one second metal, and c) depositing said first metal on said second metal. Advantages include that materials sensitive to for instance low pH or solvents can be coated. Substrates including glass, Si0 2 with very few of no abstractable hydrogen atoms as well as polymer materials containing halogen atoms can be coated with good adhesion.

    Abstract translation: 将金属涂覆在基材上的方法包括：a）通过在等离子体中处理涂覆涂层，所述等离子体包含选自至多10个碳原子的烷烃的化合物和不饱和单体，和bl）在所述基材的表面上产生聚合物 所述聚合物包含羧基和第二金属的吸附离子，将所述离子还原成第二金属，或者b2）在表面上产生聚合物，使所述基材的表面与至少具有胶体金属颗粒的分散体接触 一个第二金属，和c）将所述第一金属沉积在所述第二金属上。 优点包括可以涂覆对例如低pH或溶剂敏感的材料。 包含玻璃的基板，极少量无法提取的氢原子的SiO 2以及含有卤素原子的聚合物材料可以以良好的附着力涂覆。

    SCHICHTSYSTEM MIT VERBESSERTER KORROSIONSBESTÄNDIGKEIT
    10.
    发明申请
    SCHICHTSYSTEM MIT VERBESSERTER KORROSIONSBESTÄNDIGKEIT 审中-公开
    具有改进的耐蚀层系统

    公开(公告)号：WO2010108659A1

    公开(公告)日：2010-09-30

    申请号：PCT/EP2010/001817

    申请日：2010-03-24

    Applicant: MTV METALLVEREDLUNG GmbH & Co. KG ,  WILBUER, Klaus ,  GRAY, Mei ,  PATZELT, Matthias

    Inventor： WILBUER, Klaus ,  GRAY, Mei ,  PATZELT, Matthias

    IPC: C23C30/00 ,  C23C28/02

    CPC classification number: C23C28/023 ,  C23C2/02 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/31 ,  C23C18/50 ,  C23C28/021 ,  C23C28/025 ,  C25D5/12 ,  C25D5/48 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12715 ,  Y10T428/12722 ,  Y10T428/12729 ,  Y10T428/12778

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Schichtsystem zur Beschichtung einer Substratoberfläche sowie ein Verfahren zur Beschichtung einer Substratoberfläche mit einem entsprechenden Schichtsystem, wobei das Schichtsystem aus wenigstens zwei Schichten besteht, wobei eine Schicht eine Metall-Nickel-Legierungsschicht mit einem Metall der Gruppe bestehend aus Zinn, Kupfer, Eisen, Wolfram und Kobalt oder einer Legierung wenigstens eines dieser Metalle und die andere Schicht eine Schicht eines Metalls der Gruppe bestehend aus Nickel, Kupfer, Zinn, Molybdän, Niob, Kobalt, Chrom, Vanadium, Mangan, Titan und Magnesium, oder einer Legierung wenigstens eines dieser Metalle ist. Das erfindungsgemäße Schichtsystem zeichnet sich durch eine hohe mechanische Stabilität und große Korrosionsbeständigkeit aus.

    Abstract translation: 本发明涉及一种涂层系统涂布基材表面以及与适当的层系统涂布基材表面的方法，所述层系统包括至少两个层，其中一个金属 - 镍合金层的与该组的组成的锡，铜的金属的层 ，铁，钨和钴或者这些金属中的至少一个，而另一个层由镍，铜，锡，钼，铌，钴，铬，钒，锰，钛和镁或它们的合金组成的组中的金属的层的合金 这些金属中的至少一种。 根据本发明的层系统的特征在于一个高的机械稳定性和高的耐腐蚀性。

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