公开(公告)号：WO2007059480A3

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：PCT/US2006060859

申请日：2006-11-14

申请人： LATTICE SEMICONDUCTOR CORP

发明人： JIANG CHUN ,  LOGIE STEWART ,  MEHTA SUNIL

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC分类号： H01L23/5256 ,  G11C17/16 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11206 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In one embodiment, a polycide fuse is provided that includes: a polysilicon layer; a silicide layer formed on the polysilicon layer; and a silicon nitride layer formed on the silicide layer by RTCVD, the silicon nitride layer having a relatively low hydrogen concentration and relatively low mechanical stress.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了多晶硅熔丝，其包括：多晶硅层; 形成在所述多晶硅层上的硅化物层; 以及通过RTCVD在硅化物层上形成的氮化硅层，氮化硅层具有相对低的氢浓度和相对低的机械应力。