公开(公告)号：WO2009061322A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：PCT/US2007/084252

申请日：2007-11-09

Applicant: MIDWEST RESEARCH INSTITUTE ,  WANG, Qi ,  PAGE, Matthew ,  IWANICZKO, Eugene ,  WANG, Tihu ,  YAN, Yanfa

Inventor： WANG, Qi ,  PAGE, Matthew ,  IWANICZKO, Eugene ,  WANG, Tihu ,  YAN, Yanfa

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: A system and a process for forming a semi-conductor device, and solar cells (10) formed thereby. The process includes preparing a substrate (12) for deposition of a junction layer (14); forming the junction layer (14) on the substrate (12) using hot wire chemical vapor deposition; and, finishing the semi-conductor device.

Abstract translation: 用于形成半导体器件的系统和工艺，以及由此形成的太阳能电池（10）。 该方法包括制备用于沉积接合层（14）的衬底（12）。 使用热线化学气相沉积在衬底（12）上形成接合层（14）; 并完成半导体器件。

公开(公告)号：WO2003017384A1

公开(公告)日：2003-02-27

申请号：PCT/US2001/025659

申请日：2001-08-16

Applicant: MIDWEST RESEARCH INSTITUTE ,  WANG, Qi ,  IWANICZKO, Eugene

Inventor： WANG, Qi ,  IWANICZKO, Eugene

IPC: H01L31/20

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/056 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: A thin-film solar cell is provided. The thin-film solar cell comprises an a-SiGe:H (1.6eV) n-i-p solar cell having a deposition rate of at least ten (10) Å/second for the a-SiGe:H intrinsic layer by hot wire chemical vapor deposition. A method for fabricating a thin film solar cell is also provided. The method comprises depositing a n-i-p layer at a deposition rate of at least ten (10) Å/second for the a-SiGe:H intrinsic layer.

Abstract translation: 提供薄膜太阳能电池。 薄膜太阳能电池包括通过热线化学气相沉积对a-SiGe：H本征层具有至少十（10）ANGSTROM /秒的沉积速率的a-SiGe：H（1.6eV）n-i-p太阳能电池。 还提供了一种制造薄膜太阳能电池的方法。 该方法包括以a-SiGe：H本征层至少十（10）ANGSTROM /秒的沉积速率沉积n-i层。