公开(公告)号：WO2017039547A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：PCT/SG2016/050431

申请日：2016-09-02

申请人： NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY ,  MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY

发明人： LEE, Kwang Hong ,  TAN, Chuan Seng ,  FITZGERALD, Eugene A. ,  BAO, Shuyu

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/18 ,  H01L21/324 ,  H01L31/0264 ,  C30B25/14 ,  C30B1/02 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C30B1/02 ,  C30B25/14 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/18 ,  H01L21/324

摘要： A method (200) of manufacturing a substrate with reduced threading dislocation density is disclosed, which comprises: (i) at a first temperature, forming (202) a first layer of wafer material on a semiconductor substrate, the first layer arranged to be doped with a first concentration of at least one dopant that is different to the wafer material; and (ii) at a second temperature higher than the first temperature, forming (204) a second layer of the wafer material on the first layer to obtain the substrate, the second layer arranged to be doped with a progressively decreasing concentration of the dopant during formation, the doping configured to be decreased from the first concentration to a second concentration. The wafer material and dopant are different to silicon. A related substrate is also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种制造具有降低的穿透位错密度的衬底的方法（200），其包括：（i）在第一温度下，在半导体衬底上形成（202）第一晶片材料层，所述第一层被布置为掺杂 具有与晶片材料不同的至少一种掺杂剂的第一浓度; 和（ii）在比所述第一温度高的第二温度下，在所述第一层上形成（204）所述晶片材料的第二层以获得所述衬底，所述第二层被布置成掺杂剂掺杂剂浓度逐渐降低 形成，掺杂被配置为从第一浓度降低到第二浓度。 晶圆材料和掺杂剂与硅不同。 还公开了相关的基底。

公开(公告)号：WO2016179506A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：PCT/US2016/031237

申请日：2016-05-06

申请人： BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM

发明人： BARD, Allen J. ,  YIN, Huayi

IPC分类号： C25D3/66 ,  C25C3/36

CPC分类号： C25D9/04 ,  C25B1/006 ,  C25D9/08 ,  C25D21/12 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L22/14 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

摘要： Photoactive silicon films may be formed by electrodeposition from a molten salt electrolyte. In an embodiment, SiO 2 is electrochemically reduced in a molten salt bath to deposit silicon on a carbonaceous substrate.

摘要翻译： 可以通过从熔融盐电解质中电沉积形成光活性硅膜。 在一个实施方案中，在熔融盐浴中电化学还原SiO 2，以将硅沉积在含碳底物上。

公开(公告)号：WO2016174997A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：PCT/JP2016/061088

申请日：2016-04-05

申请人： 株式会社SUMCO

发明人： 野中　直哉 ,  川島　正

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324

CPC分类号： C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/324

摘要： シリコンウェーハの裏面に酸化膜を形成する裏面酸化膜形成工程と、シリコンウェーハの外周部に存在する酸化膜を除去する裏面酸化膜除去工程と、アルゴンガス雰囲気下において熱処理を行うアルゴンアニール工程と、シリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル膜形成工程とを備え、エピタキシャル膜形成工程は、シリコンウェーハに対し、水素および塩化水素を含むガス雰囲気下において熱処理を行うことで、シリコンウェーハの表層をエッチングするプリベーク工程と、シリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を成長させるエピタキシャル膜成長工程とを有する。

摘要翻译： 本发明提供有：在硅晶片的后表面上形成氧化膜的背面氧化膜形成步骤; 用于除去硅晶片的外周部分上的氧化膜的背面氧化膜去除步骤; 在氩气气氛下进行热处理的氩退火工序; 以及用于在硅晶片的前表面上形成外延膜的外延膜形成步骤。 外延膜形成工序具有：通过在含有氢和氯化氢的气体气氛下热处理硅晶片来蚀刻硅晶片的表面层的预烘烤步骤; 以及用于在硅晶片的前表面上生长该外延膜的外延膜生长步骤。

公开(公告)号：WO2016113532A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：PCT/GB2015/054159

申请日：2015-12-23

申请人： ANVIL SEMICONDUCTORS LIMITED

发明人： WARD, Peter

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02694 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861

摘要： We describe a method for reducing bow in a composite wafer comprising a silicon wafer and a silicon carbide layer grown on the silicon wafer. The method includes applying nitrogen atoms during the growth process of the silicon carbide layer on the silicon wafer so as to generate a compressive stress within the composite wafer.

摘要翻译： 我们描述了一种在复合晶片中减少弓形的方法，该方法包括在硅晶片上生长的硅晶片和碳化硅层。 该方法包括在硅晶片上的碳化硅层的生长过程中施加氮原子，以在复合晶片内产生压缩应力。

公开(公告)号：WO2016017480A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：PCT/JP2015/070723

申请日：2015-07-21

申请人： 株式会社トクヤマ

发明人： 木下　亨 ,  永島　徹

IPC分类号： C30B29/38 ,  H01L21/329 ,  H01L29/207 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/872 ,  C30B25/10 ,  C30B25/12 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/47

摘要： 　シリコンをドーピングした、高性能なｎ型窒化アルミニウム単結晶基板を提供することを目的とする。シリコンがドーピングされたｎ型窒化アルミニウム単結晶基板であって、２３℃におけるフォトルミネセンス測定において、３７０～３９０ｎｍにピークを有する発光スペクトル強度（Ｉ１）と窒化アルミニウムのバンド端の発光ピーク強度（Ｉ２）の比（Ｉ１／Ｉ２）が０．５以下であり、厚みが２５～５００μｍであり、２３℃における電子濃度とシリコン濃度の比（電子濃度／シリコン濃度）が０．０００５～０．００１であるｎ型窒化アルミニウム単結晶基板を提供する。

摘要翻译： 本发明的目的是提供具有高性能的硅掺杂的n型氮化铝单晶衬底。 提供了一种硅掺杂的n型氮化铝单晶衬底，其中：在23℃的光致发光测量中，具有370-390nm范围内的峰的发射光谱强度（I1）与 氮化铝带边缘的发射峰强度（I 2）为0.5以下; 厚度为25〜500μm; 电子浓度与23℃时的硅浓度之比（电子浓度/硅浓度）为0.0005〜0.001。

公开(公告)号：WO2015152737A3

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：PCT/NZ2015050039

申请日：2015-03-31

申请人： NATALI FRANCK ,  RUCK BENJAMIN JOHN ,  TRODAHL HARRY JOSEPH ,  VÉZIAN STÉPHANE ANGE

发明人： NATALI FRANCK ,  RUCK BENJAMIN JOHN ,  TRODAHL HARRY JOSEPH ,  VÉZIAN STÉPHANE ANGE

IPC分类号： H01L21/318

CPC分类号： C30B23/066 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02269 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24

摘要： Disclosed herein are magnesium-doped rare earth nitride materials, some of which are semi- insulating or insulating. Also disclosed are methods for preparing the materials. The magnesium-doped rare earth nitride materials may be useful in the fabrication of, for example, spintronics, electronic and optoelectronic devices.

摘要翻译： 这里公开了掺镁稀土氮化物材料，其中一些是半绝缘或绝缘的。 还公开了制备这些材料的方法。 掺杂镁的稀土氮化物材料可用于制造例如自旋电子学，电子和光电器件。

公开(公告)号：WO2015174648A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：PCT/KR2015/004013

申请日：2015-04-22

申请人： 엘지전자 주식회사

发明人： 최민석 ,  문진산 ,  정명희 ,  김태형

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  C23C16/06 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/305 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

摘要： 본 발명은 이종원소 박막의 제작에 관한 것으로 특히, 도핑 된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법 및 그 박막에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 도핑 된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법에 있어서, 기체화된 제1금속 전구체를 공급하는 단계; 기체화된 제2금속 전구체를 공급하는 단계; 칼코겐 함유 기체를 공급하는 단계; 및 제1온도조건에서 성장 기판 상에 상기 제1금속 전구체, 제2금속 전구체 및 칼코겐 함유 기체를 반응시켜 박막을 형성하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.

摘要翻译： 本发明涉及异质元件薄膜的制造，特别涉及制造掺杂金属硫族化物薄膜和相同薄膜的方法。 本发明的金属硫族化物薄膜的制造方法可以包括以下步骤：供给被气化的第一金属前体; 供应气化的第二金属前体; 供应含硫属原子气体; 以及在第一温度条件下使生长的衬底上的第一金属前体，第二金属前体和含硫属化物的气体反应以形成薄膜。

公开(公告)号：WO2015137374A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：PCT/JP2015/057094

申请日：2015-03-11

申请人： 古河電気工業株式会社

发明人： 岩見　正之 ,  石井　宏辰 ,  岩井　則広 ,  松田　竹善 ,  粕川　秋彦 ,  石川　卓哉 ,  川北　泰雅 ,  鍛治　栄作

IPC分类号： H01S5/343

CPC分类号： H01S5/34313 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/045 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7784 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/868 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/036 ,  H01L31/105 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/309 ,  H01S5/32 ,  H01S5/32358 ,  H01S5/32366 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/34373

摘要： 　Ａｓを主成分とするＩＩＩ－Ｖ族半導体結晶からなる井戸層と障壁層とを備えた半導体レーザ素子であって、前記井戸層および前記障壁層の少なくとも一方におけるＩＩＩ－Ｖ族半導体結晶のＶ族サイトに、前記Ａｓ以外のＶ族元素が濃度０．０２～５％で導入され、前記井戸層および前記障壁層の少なくとも一方におけるＩＩＩ－Ｖ族半導体結晶のＩＩＩ族サイトに、Ａｌが含まれている半導体レーザ素子である。これにより、半導体結晶のバルク内における欠陥発生を抑制し、特性の変動の少ない半導体レーザ素子を提供する。

摘要翻译： 该半导体激光元件设置有阱层，并且阻挡层包含具有As作为主要成分的III-V族晶体半导体，在V组中引入As以外的V族元素，浓度为0.02-5％ 阱层和/或阻挡层中的III-V族晶体半导体的位置，以及在阱层和/或势垒层中的III-V族晶体半导体的III族位置处包含Al。 由此，提供一种半导体激光元件，其抑制在本体结晶半导体中发生的缺陷，并且其特性变化较小。

公开(公告)号：WO2015118920A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：PCT/JP2015/050911

申请日：2015-01-15

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 滑川　政彦 ,  吉野　隆史 ,  倉岡　義孝 ,  坂井　正宏

IPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/18 ,  C30B29/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0033

摘要： 　曲面形状、凹凸形状等の三次元立体形状を有する発光素子を低コストで製造するのに適した複合基板、及びそれを用いて製造される三次元立体形状を有する発光素子が提供される。本発明の複合基板は、三次元立体形状を有する表面を備えた基板と、この基板上に設けられる第１３族元素窒化物結晶層とを備えてなる。基板は、三次元立体形状を有する表面が配向多結晶アルミナからなる層を備えた又は該基板の全体が配向多結晶アルミナからなる基板である。この基板の配向多結晶アルミナ上に第１３族元素窒化物結晶層１４が形成されてなる。所望により、第１３族元素窒化物結晶層上には設けられる発光機能層が設けられる。

摘要翻译： 提供：适合于具有诸如弯曲形状，轮廓形状等的三维实体形状的发光元件的低成本制造的复合衬底; 以及可以使用这种复合基板制造并具有三维实心形状的发光元件。 该复合基板包括设置有具有三维实心形状的表面的基板和设置在该基板上的13族元素氮化物晶体层。 衬底被构造成使得具有三维实心形状的表面设置有包括取向多晶氧化铝的层，或者使得整个衬底包括定向多晶氧化铝。 在该基板的取向多晶氧化铝上形成13族元素氮化物晶体层（14）。 根据需要，可以在13族元素氮化物晶体层上设置发光功能层。

公开(公告)号：WO2015056714A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：PCT/JP2014/077442

申请日：2014-10-15

申请人： 株式会社トクヤマ

发明人： 木下　亨 ,  小幡　俊之 ,  永島　徹

IPC分类号： C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L29/201 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/872 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66143

摘要： 【課題】Ｓｉをドーピングしたｎ型窒化アルミニウム単結晶基板を用いた、縦型半導体ダイオードを提供することを目的とする。 【解決手段】ｎ型窒化アルミニウム単結晶基板の表面上にオーミック電極層を備えた縦型の窒化物半導体デバイスであって、前記ｎ型窒化アルミニウム単結晶基板が、Ｓｉ含有量が３×１０ １７ ～１×１０ ２０ ｃｍ －３ であり、転位密度が１０ ６ ｃｍ －２ 以下であって、かつ前記オーミック電極層が、前記ｎ型窒化アルミニウム単結晶基板のＮ極性面側に形成されてなることを特徴とする縦型窒化物半導体デバイスである。

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种使用掺杂有Si的n型氮化铝单晶衬底的垂直半导体二极管。 [解决方案]在氮化铝单晶衬底的表面上设置有欧姆电极层的纵向氮化物半导体器件，其特征在于，所述n型氮化铝单晶衬底具有 Si含量为3×1017〜1×1020cm-3，位错密度为106cm-2以下，在n型氮化铝单晶衬底的N极侧形成欧姆电极层 。