公开(公告)号：WO2021005052A1

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：PCT/EP2020/069113

申请日：2020-07-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANGUM, Benjamin Daniel ,  O'BRIEN, David ,  GÖÖTZ, Britta

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  G02F1/13357

Abstract: A light emitting device is disclosed. In an embodiment a light-emitting device includes a pixel (1) comprising at least three sub-pixels (2, 3, 4), wherein a first sub-pixel (2) includes a first conversion element having a green phosphor, wherein a second sub-pixel (3) includes a second conversion element having a red phosphor and wherein a third sub-pixel (4) is free of a conversion element, the third sub-pixel configured to emit blue primary radiation, wherein each sub-pixel has an edge length of at most 100 pm.

公开(公告)号：WO2018077957A1

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：PCT/EP2017/077326

申请日：2017-10-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： OTTO, Isabel ,  PFEUFFER, Alexander F. ,  GÖÖTZ, Britta ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/50 ,  H01L27/15

Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die folgenden Schritte: - Bereitstellen einer Primärlichtquelle (2) mit einem Träger (21) und einer darauf angebrachten Halbleiterschichtenfolge (22) zur Erzeugung von Primärlicht (B), wobei die Halbleiterschichtenfolge (22) in eine Vielzahl von elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbaren Bildpunkten (24) strukturiert wird und der Träger (21) eine Vielzahl von AnSteuereinheiten (23) zur Ansteuerung der Bildpunkte (24) umfasst, - Bereitstellen einer Konversionseinheit (3, 4), die dazu eingerichtet ist, das Primärlicht (B) in Sekundärlicht (G, R) umzuwandeln, wobei die Konversionseinheit (3, 4) zusammenhängend aus einem Halbleitermaterial (31, 41) gewachsen wird, - Strukturieren der Konversionseinheit (3, 4), wobei Teilgebiete des Halbleitermaterials (31, 41) entsprechend den Bildpunkten (24) entfernt werden, und - Aufbringen der Konversionseinheit (3, 4) auf die Halbleiterschichtenfolge (22), sodass das verbleibende Halbleitermaterial (31, 41) einem Teil der Bildpunkte (24) eindeutig zugeordnet wird.

Abstract translation:

在一个示例性导航用途货币形式，用于生产光电半导体部件的方法（1）被布置并包括以下步骤： - 提供一个主BEAR rlichtquelle（2）与Tr的AUML; GER（21）和一个 安装在其上，用于产生初级BEAR rlicht（B），其中，所述半导体层序列（22）为多个电独立地BEAR单独彼此寻址的像素（24）和Tr的AUML的构造的半导体层序列（22）; GER（21）的多个驱动器单元 （23），用于控制所述像素（24）， - 提供适于将所述初级光（B）转换成次级光（G，R）的转换单元（3,4），其中所述转换单元 ，4）zusammenh承受半导体材料（31 ngend，41）生长， - 图案化所述转换单元（3，4），其特征在于，对应于所述图像元素（24）N的半导体材料（31，41）的子区域 以及 - 将转换单元（3,4）施加到半导体层序列（22），使得剩余的半导体材料（31,41）被唯一地分配给像素（24）的一部分，

公开(公告)号：WO2018036769A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：PCT/EP2017/069534

申请日：2017-08-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ, Britta ,  LINKOV, Alexander

IPC: H01L33/50 ,  H01L27/15 ,  H01L33/58 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/504 ,  F21S41/00 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L27/156 ,  H01L33/08 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0058

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit den folgenden Merkmalen angegeben: -einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Vielzahl an Pixeln (3), die eine aktive Schicht (2) aufweist, die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs geeignet ist, und -einer Vielzahl an Konversionselementen (6), wobei -jedes Konversionselement (6) dazu geeignet ist, Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, -jedes Pixel (3) eine Strahlungsaustrittsfläche (5) aufweist und auf jeder Strahlungsaustrittsfläche (5) ein Konversionselement (6) angeordnet ist, und -jedes Konversionselement (6) in einem zentralen Bereich eine größere Dicke aufweist, als in einem Randbereich. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und ein Scheinwerfer mit einem optoelektronischen Halbleiterchip angegeben.

Abstract translation:

本发明提供具有以下特征的光电子半导体芯片：-a半导体层序列（1），具有多个（3）具有活性层的像素（2），这是一个用于电磁辐射的产生 第一波长是BEAR ngenbereichs合适的，并且 - 该多个转换元件（6），其中 - 每一个转换元件（6）适于对所述第一波长BEAR ngenbereichs的辐射转换成第二波长的BEAR辐射转换ngenbereichs， - 每个像素（3） Strahlungsaustrittsfl BEAR表面（5）和在每个Strahlungsaustrittsfl BEAR的转换元件（6）设置的表面（5），和每个转换元件（6）在一个GR＆ouml的中央区域;具有ERE厚度路比在边缘区域。 此外，指定了一种用于制造光电子半导体芯片和具有光电子半导体芯片的前照灯的方法

公开(公告)号：WO2016087444A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：PCT/EP2015/078221

申请日：2015-12-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  SINGER, Frank ,  ILLEK, Stefan ,  ZITZLSPERGER, Michael ,  GÖÖTZ, Britta

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/505 ,  H01L2933/0041

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (S), durch die im Betrieb des Halbleiterbauteils erzeugtes Licht (R) tritt, einer ersten Barriereschicht (1), die an einer Oberseite der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) angeordnet ist und dort zumindest stellenweise in direktem Kontakt mit der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) steht, einem Konversionselement (3), welches an der der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) abgewandten Oberseite der ersten Barriereschicht (1) angeordnet ist, einer zweiten Barriereschicht (2), die an der der ersten Barriereschicht (1) abgewandten Oberseite des Konversionselements (3) und an der Oberseite der ersten Barriereschicht (1) angeordnet ist, wobei die erste Barriereschicht (1) und die zweite Barriereschicht (2) das Konversionselement (3) gemeinsam vollständig umschließen, und die erste Barriereschicht (1) und die zweite Barriereschicht (2) stellenweise in direktem Kontakt miteinander stehen.

Abstract translation: 它是通过使半导体成分光（R）的操作过程中所产生的辐射穿透表面（S）所表示的发射辐射的光电子半导体器件时，第一阻挡层（1）中，（S）中至少局部地设置在辐射穿透表面的上侧，并且有 与辐射穿透表面（S）的直接接触是，一个转换元件（3），所述第一阻挡层，其中该顶部朝向由式（1）被布置成离开辐射穿透表面（S），第二阻挡层（2）形成在第一阻挡层上（1 ）从转换元件背对上侧（3）和在所述第一阻挡层的顶部（1）布置，其中所述第一势垒层（1）和所述第二阻挡层（2）完全围绕所述转换元件（3）在共同的，并且所述第一势垒层（1 ）和直接接触miteinande所述第二阻挡层（2）在本地 [R站立。

公开(公告)号：WO2015091670A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/EP2014/078263

申请日：2014-12-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ, Britta ,  SCHLENKER, Tilman ,  MOOSBURGER, Jürgen

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/02 ,  C03C8/04

CPC classification number: H01L33/504 ,  C09K11/02 ,  C09K11/70 ,  C09K11/7774 ,  C09K11/883 ,  H01L33/501 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (14) aufweisend einen optoelektronischen Halbleiterchip (5) und ein auf dem optoelektronischen Halbleiterchip (5) angeordnetes Konversionselement (1). Das Konversionselement (1) umfasst ein Matrixmaterial (9) aufweisend eine Glasfritte (7), einen in die Glasfritte (7) eingebetteten ersten Leuchtstoff (8) und Hohlräume (10), sowie einen in den Hohlräumen (10) des Matrixmaterials (9) angeordneten zweiten Leuchtstoff (11). Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements (14) angegeben.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括光电子半导体芯片（5）的光电元件（14）和所述光电子半导体芯片（5）上布置转换元件（1）。 转换元件（1）包括基体材料（9），包括玻璃料（7），在玻璃料嵌入一个（7）第一荧光体（8）和空腔（10），以及在基质材料中的空腔（10）（9） 布置的第二荧光体（11）。 此外，提供了一种用于这样的光电部件（14）的制备方法。

公开(公告)号：WO2014108289A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：PCT/EP2013/077199

申请日：2013-12-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ, Britta ,  MÖNCH, Wolfgang ,  STRASSBURG, Martin

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/24 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  C09K11/06 ,  C08G61/02

CPC classification number: H01L33/502 ,  C08G61/02 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3422 ,  C08G2261/5222 ,  C08G2261/95 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  H01L27/15 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/56

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, umfassend - eine Vielzahl aktiver Elemente, die beabstandet voneinander angeordnet sind, und - einen Träger, der quer zu den aktiven Elementen angeordnet ist, wobei - die aktiven Elemente jeweils eine Hauptachse aufweisen, die senkrecht zu dem Träger verläuft, - die Hauptachsen parallel zueinander ausgerichtet sind, - zumindest ein Konvertermaterial die Vielzahl aktiver Elemente an den Mantelflächen umgibt, - das Konvertermaterial einen Konversionsstoff oder einen Konversionsstoff und ein Matrixmaterial umfasst - die aktiven Elemente jeweils einen zentralen Kernbereich aufweisen, der mindestens zweischichtig ummantelt ist, wobei eine aktive Schicht den Kernbereich ummantelt und eine Deckschicht die aktive Schicht ummantelt, - wobei der Kernbereich mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, - die aktive Schicht ein lichtemittierendes Material umfasst, - die Deckschicht mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist, und - die Deckschicht eine Schichtdicke zwischen 0,1 nm und 100 nm aufweist.

Abstract translation: 它是提供一种光电子半导体芯片，包括： - 多个有源元件，它们被彼此间隔开，以及 - 其被横向布置到有源元件的载体，其特征在于， - 所述有源元件的每个具有长轴垂直于所述载体 - 主轴线平行地对准彼此， - 至少一个转换器材料包围所述多个外表面上有源元件， - 所述转换器材料包括转换物质和转换物质和基质材料 - 有源元件的每一个包括一个中央芯区，其上涂覆至少两层， 具有形成在第二半导体材料，所述覆盖层 - 其中的活性层包围所述芯区和外层包围所述有源层， - 其中，所述纤芯区域与第一半导体材料形成， - 所述有源层包括发光材料， 以及 - 覆盖层具有0.1纳米至100纳米之间的层厚度。

公开(公告)号：WO2014048682A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/068078

申请日：2013-09-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  EISERT, Dominik ,  GÖÖTZ, Britta ,  SCHULZ, Robert

IPC: H01L33/50

CPC classification number: F21V9/30 ,  F21K9/64 ,  F21V13/02 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L51/5036 ,  H01L2933/0091

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird eine Beleuchtungsvorrichtung (100) zum Erzeugen einer Lichtemission bereitgestellt, aufweisend: eine Lichtquelle (102), eingerichtet zum Erzeugen von Licht mit einer ersten Dominanzwellenlänge; einen ersten Konverter (106), welcher eingerichtet ist, das von der Lichtquelle (100) erzeugte Licht zu absorbieren, und Licht mit einer zweiten Dominanzwellenlänge, welche größer ist als die erste Dominanzwellenlänge, zu emittieren; und einen zweiten Konverter (110), welcher eingerichtet ist, einen Lichtanteil des von dem ersten Konverter (106) emittierten Lichts zu absorbieren und Licht zu emittieren, so dass die Lichtemission eine dritte Dominanzwellenlänge aufweist, welche größer ist als die zweite Dominanzwellenlänge.

Abstract translation: 在各种实施例中，照明装置（100）被设置用于产生光发射，它包括：一个光源（102），适于发射具有第一主波长，以产生光; 发射第一转换器（106），其被配置为吸收从所述光源（100）产生的光，以及具有第二主波长比所述第一主波长更大的光; 并且其被配置的第二转换器（110），从所述第一转换器（106）的亮部分，以吸收所发射的光并发光，从而具有第三主波长比所述第二主波长更大的光发射。

公开(公告)号：WO2019238655A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：PCT/EP2019/065170

申请日：2019-06-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ, Britta ,  BURGER, Markus ,  JEREBIC, Simon

IPC: H01L33/50

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) auf einem Träger (2), - Aufbringen mehrerer Einzelkonversionsschichten (4, 4`, 4``) aufeinander über eine Strahlungsaustrittsfläche (3) des Halbleiterchips (1) mittels Sprühbeschichten, wobei - die Einzelkonversionsschichten (4, 4`, 4``) ein Harz (5) mit Leuchtstoffpartikeln (6) aufweisen, - die jeweilige Einzelkonversionsschicht (4, 4`, 4``) vor dem Aufbringen der nächsten Einzelkonversionsschicht (4, 4`, 4``) nicht ausgehärtet wird. Außerdem wirdein optoelektronisches Bauelement angegeben.

公开(公告)号：WO2019048370A1

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：PCT/EP2018/073594

申请日：2018-09-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TONKIKH, Alexander ,  GÖÖTZ, Britta

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/22 ,  H01L33/30

Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (100) mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) basierend auf einem Phosphid- und/oder Arsenid- Verbindungshalbleitermaterialsystem angegeben, wobei-die Halbleiterschichtenfolge (1) eine Licht emittierende Halbleiterschicht (10), die dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Halbleiterbauelements (100) Licht abzustrahlen, zwischen einer ersten Mantelschicht (11) und einer zweiten Mantelschicht (12) sowie zumindest eine erste Halbleiterschutzschicht (13) aufweist,die erste Halbleiterschutzschicht (13) innerhalb der als Außenschicht ausgebildeten ersten Mantelschicht (11) oder unmittelbar auf der ersten Mantelschicht (11) auf einer der Licht emittierenden Halbleiterschicht (10) abgewandten Seite als Außenschicht angeordnet ist und die erste Halbleiterschutzschicht (13) einen niedrigeren Aluminiumgehalt als die erste Mantelschicht aufweist.

公开(公告)号：WO2018193026A1

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：PCT/EP2018/060004

申请日：2018-04-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ, Britta ,  HALBRITTER, Hubert

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/50 ,  H01S5/42

CPC classification number: H01S5/005 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01S5/423

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend, ein diffraktives optisches Element (1), das zumindest ein Konversionsmaterial (2) aufweist, eine Lichtquelle (3), die zur Emission von Primärstrahlung (4) eingerichtet ist, wobei das Konversionsmaterial (2) in dem diffraktiven optischen Element (1) eingekapselt ist, wobei das Konversionsmaterial (2) im Strahlengang der Primärstrahlung (4) angeordnet ist und dazu eingerichtet ist, die Primärstrahlung (4) zumindest teilweise in Sekundärstrahlung (5) zu konvertieren.