公开(公告)号：WO2018109064A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：PCT/EP2017/082762

申请日：2017-12-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER, Jürgen ,  SCHWARZ, Thomas ,  KOSTELNIK, Jan

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Modul mit Leuchtdiodenchips vorgeschlagen, wobei die Leuchtdiodenchips an gegenüberliegenden Seiten jeweils eine erste und eine zweite Kontaktelektrode aufweisen, wobei auf einer Oberseite einer Trägerschicht eine erste Metallisierungsebene mit Reihenleitungen und ersten Umverdrahtungsleitungen angeordnet ist, wobei die Leuchtdiodenchips mit den ersten Kontaktelektroden auf den Reihenleitungen angeordnet, wobei die Trägerschicht erste Durchkontaktierungen aufweist, die von einer Oberseite der Trägerschicht zu einer Unterseite der Trägerschicht geführt sind, wobei auf der Unterseite der Trägerschicht eine zweite Metallisierungsebene mit ersten und weiteren ersten Kontaktflächen angeordnet ist, wobei die Reihenleitungen über die ersten Durchkontaktierungen mit den ersten Kontaktflächen der zweiten Metallisierungsebene verbunden sind, wobei auf der Trägerschicht eine erste Deckschicht angeordnet ist, wobei die erste Deckschicht die Leuchtdiodenchips umgibt und wenigstens teilweise bedeckt, wobei auf der ersten Deckschicht eine dritte Metallisierungsebene mit Spaltenleitungen angeordnet ist, wobei die zweiten Durchkontaktierungen mit den Spaltenleitungen elektrisch leitend verbunden sind, wobei dritte Durchkontaktierungen von der Oberseite der ersten Deckschicht bis zu den ersten Umverdrahtungsleitungen geführt sind, wobei in der Trägerschicht vierte Durchkontaktierungen vorgesehen sind, die die ersten Umverdrahtungsleitungen mit zweiten Kontaktflächen der zweiten Metallisierungsebene verbinden.