公开(公告)号：WO2018233815A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：PCT/EP2017/065107

申请日：2017-06-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GHASEMI AFSHAR, Farhang ,  KUA, Jackson Jia Ping ,  ECKERT, Tilman

IPC: H01L25/075

CPC classification number: H01L25/0753

Abstract: Eine Leuchtanordnung weist auf: - eine erste Leuchtvorrichtung (110) mit einer ersten Mehrzahl von lichtemittierenden Dioden (101, 102), die in Reihe miteinander geschaltet sind, und einem Widerstand (104), der in Reihe mit den lichtemittierenden Dioden (101, 102) geschaltet ist, - eine zweite Leuchtvorrichtung (120) mit einer zweiten Mehrzahl von lichtemittierenden Dioden (101, 102), die in Reihe miteinander geschaltet sind, wobei - die erste Leuchtvorrichtung (110) ausgebildet ist, Strahlung einer ersten Farbtemperatur (105) zu emittieren, - die zweite Leuchtvorrichtung (120) ausgebildet ist, Strahlung einer zweiten Farbtemperatur (106) zu emittieren, wobei die zweite Farbtemperatur (106) größer ist als die erste Farbtemperatur (105), und - die erste Leuchtvorrichtung (110) und die zweite Leuchtvorrichtung (120) sind parallel zueinander geschaltet, sodass die Leuchtanordnung (100) ausgebildet ist, eine Mischstrahlung zu emittieren, die sich aus der Strahlung der ersten Leuchtvorrichtung und der Strahlung der zweiten Leuchtvorrichtung zusammensetzt.

公开(公告)号：WO2018188976A1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：PCT/EP2018/058247

申请日：2018-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KUA, Jackson Jia Ping ,  ECKERT, Tilman ,  LINKOV, Alexander

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L33/48

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (100) umfassend einen Halbleiterchip (2) angegeben, der dazu eingerichtet ist,eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Der Halbleiterchip (2) weist eine Strahlungsaustrittsfläche (A) auf und über der Strahlungsaustrittsfläche (A) ist eine Schutzschicht (5) angeordnet. Die Schutzschicht (5) umfasst - zumindest eine erste Schicht (5a) umfassend ein Aluminiumoxid und zumindest eine zweite Schicht (5b) umfassend ein Siliziumoxid, - zumindest eine erste Schicht (5a) umfassend ein Aluminiumoxid und zumindest eine dritte Schicht (5c) umfassend ein Titanoxid oder - zumindest eine zweite Schicht (5b) umfassend ein Siliziumoxid und zumindest eine dritte Schicht (5c) umfassend ein Titanoxid.