公开(公告)号：WO2016145109A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：PCT/US2016/021605

申请日：2016-03-09

申请人： PACIFIC LIGHT TECHNOLOGIES, CORP. ,  THEOBALD, Brian ,  BERTRAM, Matthew ,  ZHAO, Weiwen ,  KURTIN, Juanita N. ,  PUETZ, Norbert

发明人： THEOBALD, Brian ,  BERTRAM, Matthew ,  ZHAO, Weiwen ,  KURTIN, Juanita N. ,  PUETZ, Norbert

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L33/502 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C09C3/06 ,  C09C3/063 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/893 ,  Y10S977/95

摘要： Fabricating a semiconductor structure including forming a nanocrystalline core from a first semiconductor material, forming a nanocrystalline shell from a second, different, semiconductor material that at least partially surrounds the nanocrystalline core, wherein the nanocrystalline core and the nanocrystalline shell form a quantum dot. Fabrication further involves forming an insulator layer encapsulating the quantum dot to create a coated quantum dot, and forming an additional insulator layer on the coated quantum dot using an Atomic Layer Deposition (ALD) process.

摘要翻译： 制造半导体结构，包括从第一半导体材料形成纳米晶核，从至少部分地围绕纳米晶核的第二不同的半导体材料形成纳米晶体壳，其中纳米晶核和纳米晶体壳形成量子点。 制造还涉及形成封装量子点的绝缘体层以产生涂覆的量子点，并且使用原子层沉积（ALD）工艺在涂覆的量子点上形成额外的绝缘体层。

公开(公告)号：WO2015009728A1

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：PCT/US2014/046708

申请日：2014-07-15

申请人： PACIFIC LIGHT TECHNOLOGIES CORP.

发明人： PUETZ, Norbert ,  STOTT, Nathan ,  BERTRAM, Matthew ,  KURTIN, Juanita N.

IPC分类号： C09K11/02 ,  C09K11/08 ,  B82B1/00 ,  H05B33/14 ,  H01L33/50

CPC分类号： C09K11/883 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/08 ,  H01L33/502 ,  H05B33/14

摘要： Alloyed nanocrystals and quantum dots having alloyed nanocrystals are described. In an example, a quantum dot includes an alloyed Group II-VI nanocrystalline core. The quantum dot also includes a Group II-VI nanocrystalline shell having a semiconductor material composition different from the alloyed Group II-VI nanocrystalline core. The Group II-VI nanocrystalline shell is bonded to and completely surrounds the alloyed Group II-VI nanocrystalline core.

摘要翻译： 描述了具有合金化纳米晶体的合金纳米晶体和量子点。 在一个示例中，量子点包括合金化的II-VI族纳米晶核。 量子点还包括具有不同于合金化的II-VI族纳米晶核的半导体材料组成的II-VI族纳米晶体壳。 II-VI族纳米晶体壳结合并完全包围合金化的II-VI族纳米晶核。

公开(公告)号：WO2017136839A1

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：PCT/US2017/016734

申请日：2017-02-06

申请人： PACIFIC LIGHT TECHNOLOGIES CORP.

发明人： MCLAUGHLIN, Nathan ,  HALEY, Kari N. ,  VONNAHME, Morgan ,  THEOBALD, Brian ,  PUETZ, Norbert

IPC分类号： H01L33/50 ,  H01L33/44

CPC分类号： C09D5/22 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C08K9/02 ,  C08K2201/001 ,  C08K2201/011 ,  C09K11/025 ,  C09K11/883 ,  H01L33/502 ,  H01L2933/0041 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/95

摘要： A method of increasing photo-luminescent quantum yield (PLQY) of QDs to be used as down-converters placed directly on an LED chip includes synthesizing a plurality of quantum dots, applying energy to the plurality of quantum dots to increase PLQY of the plurality of quantum dots, dispensing the plurality of quantum dots onto the LED chip, and curing the LED chip.

摘要翻译： 提高待用作直接放置在LED芯片上的下转换器的QD的光致发光量子产率（PLQY）的方法包括合成多个量子点，将能量施加到多个量子 点以增加多个量子点的PLQY，将多个量子点分配到LED芯片上，以及固化LED芯片。

公开(公告)号：WO2015109161A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：PCT/US2015/011720

申请日：2015-01-16

申请人： PACIFIC LIGHT TECHNOLOGIES, CORP.

发明人： CARILLO, Matthew J. ,  BERTRAM, Matthew ,  PUETZ, Norbert ,  KURTIN, Juanita N.

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： C09K11/883 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504

摘要： Irregular large volume semiconductor coatings for quantum dots (QDs) and the resulting quantum dot materials are described. In an example, a semiconductor structure includes a quantum dot structure having an outermost surface. A crystalline semiconductor coating is disposed on and completely surrounds the outermost surface of the quantum dot structure. The crystalline semiconductor coating has an irregular outermost geometry.

摘要翻译： 描述了用于量子点（QD）的不规则大体积半导体涂层和所得量子点材料。 在一个示例中，半导体结构包括具有最外表面的量子点结构。 晶体半导体涂层设置在量子点结构的最外表面上并完全包围。 结晶半导体涂层具有不规则的最外几何形状。