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公开(公告)号：WO2022058479A1
公开(公告)日：2022-03-24
申请号：PCT/EP2021/075589
申请日：2021-09-17
Inventor： HEDRICH, Natascha , WAGNER, Kai , SHIELDS, Brendan, J. , MALETINSKY, Patrick , PYLYPOVSKYI, Oleksandr, V. , KOSUB, Tobias , MAKAROV, Denys , SHEKA, Denys, D.
Abstract: The invention relates to an antiferromagnetic memory structure (1) configured for use in a non-transitory antiferromagnetic memory device (2), characterized in that the antiferromagnetic memory structure (1) comprises an antiferromagnetic memory body (10) comprising an antiferromagnetic compound, wherein on a first side (10-1) of the antiferromagnetic memory body (10), the antiferromagnetic memory body (10) comprises a plurality of separately arranged protrusions (30, 30-1, 30-2) protruding away from the first side (10-1) of the antiferromagnetic memory body (10), wherein each of the protrusions (30) comprises a memory unit (40) configured to store information.
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公开(公告)号：WO2018166800A1
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：PCT/EP2018/054992
申请日：2018-03-01
Applicant: HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E. V.
Inventor： KOSUB, Tobias , MAKAROV, Denys
IPC: G01N27/04
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Messvorrichtung zum Charakterisieren des elektrischen Widerstandes eines Messobjekts, aufweisend eine elektrische Energiequelle mit zwei Polen, eine Spannungsmesseinrichtung mit zwei Messeingängen, vier Anschlusskontakte zum Anschließen von vier Kontaktelektroden, und eine Schalteinrichtung zum variablen paarweisen elektrischen Verbinden je eines der Pole und Messeingänge mit je einem der Anschlusskontakte unter Ausbildung unterschiedlicher Beschaltungskonfigurationen, wobei die Messvorrichtung zum Durchführen von mindestens zwei Messsequenzen mit unterschiedlichen Beschaltungskonfigurationen und zum Ermitteln des Längswiderstandes des Messobjekts unter Einbeziehung von in diesen Beschaltungskonfigurationen erfassten Strom- und Spannungssignalen ausgebildet ist.
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