摘要:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines aktiven Materials (1) für einen Laser, welches Quantenpunkte aufweist, deren Emissionsspektrum bei einer Betriebstemperatur des Lasers ein Maximum bei einer Wellenlänge im Bereich von 1,1 pm bis 2 pm und insbesondere im Bereich von 1,3 bis 1,6 pm aufweist, wobei beim Aufwachsen der Grenzsicht (4, 5, 6, 7, 8, 10, 11) und beim Aufwachsen der aktiven Schicht (6) die gleiche Wachstumstemperatur eingestellt wird, wobei die Streuung der Erstreckung der Quantenpunkte in Wachstumsrichtung (3) minimiert und insbesondere kleiner als 2 nm ist un eine Dichte der Quantenpunkte innerhalb der aktiven Schicht (6) maximiert und insbesondere größer als 2 x 10 10 cm-2 ist.