公开(公告)号：WO2015116435A2

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：PCT/US2015012033

申请日：2015-01-20

Applicant: OPEL SOLAR INC ,  UNIV CONNECTICUT TECHNOLOGY PARTNERSHIPS & LICENSING

Inventor： TAYLOR GEOFF W

IPC: H01S5/042

CPC classification number: G02B6/1347 ,  G02B6/131 ,  G02B6/29338 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L27/1443 ,  H01L29/083 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/15 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66401 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7783 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1105 ,  H01L31/1113 ,  H01L31/1129 ,  H01L31/1844 ,  H01L33/06 ,  H01L33/105 ,  H01S5/0228 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06203 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/1028 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1042 ,  H01S5/1071 ,  H01S5/1075 ,  H01S5/125 ,  H01S5/183 ,  H01S5/187 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/222 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/309 ,  H01S5/34313

Abstract: A semiconductor device employs an epitaxial layer arrangement including a first ohmic contact layer and first modulation doped quantum well structure disposed above the first ohmic contact layer. The first ohmic contact layer has a first doping type, and the first modulation doped quantum well structure has a modulation doped layer of a second doping type. At least one isolation ion implant region is provided that extends through the first ohmic contact layer. The at least one isolation ion implant region can include oxygen ions. The at least one isolation ion implant region can define a region that is substantially free of charge carriers in order to reduce a characteristic capacitance of the device. A variety of high performance transistor devices (e.g., HFET and BICFETs) and optoelectronic devices can employ this device structure. Other aspects of wavelength-tunable microresonantors and related semiconductor fabrication methodologies are also described and claimed.

Abstract translation: 半导体器件采用包括设置在第一欧姆接触层上方的第一欧姆接触层和第一调制掺杂量子阱结构的外延层布置。 第一欧姆接触层具有第一掺杂类型，并且第一调制掺杂量子阱结构具有第二掺杂类型的调制掺杂层。 提供延伸穿过第一欧姆接触层的至少一个隔离离子注入区域。 至少一个隔离离子注入区域可以包括氧离子。 至少一个隔离离子注入区域可以限定基本上不含电荷载体的区域，以便减小器件的特征电容。 各种高性能晶体管器件（例如，HFET和BICFET）和光电器件可以采用该器件结构。 还描述和要求保护波长可调谐微谐振器和相关半导体制造方法的其它方面。

公开(公告)号：WO2015012603A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：PCT/KR2014/006725

申请日：2014-07-24

Applicant: 주식회사 포벨

Inventor： 김정수

IPC: H04B10/40 ,  H04B10/00

CPC classification number: H01S5/042 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02256 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/06226

Abstract: 본 발명은 5Gbps 이상의 초고속 통신용의 레이저 다이오드 칩이 포함되는 TO can형의 초고속 통신용 광 모듈에 관한 것이다. 본 발명에 따른 초고속 통신용 광 모듈은 고속 통신용 광모듈에 있어서, 레이저 다이오드 칩에 신호를 전송하기 위한 고속 신호 전송용 기판, 고속 신호 전송용 선로 패턴이 형성된 상부 고속 신호 전송용 기판(210)과, 상부면이 도전성을 갖는 하부 고속 신호 전송용 기판(220)이 결합되어 이루어져, 단일 종단 임피던스 25ohm 또는 차동 종단 임피던스 50ohm을 가져 고속 통신이 가능하고, 고속 통신을 위한 레이저 다이오드 칩이 부착되는 기판의 높이가 0.4mm 정도가 되도록 하여 레이저 다이오드 칩과 렌즈 등의 광 결합을 용이하게 하며, 0.6mm 이하의 기판 폭으로 고속 전송 선로를 구현하여 TO can형의 좁은 실장 면적을 가지는 패키지에 효과적으로 내장되는 고속 신호 전송용 기판을 제공할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于超高速通信的TO罐型光模块，包括用于5Gbps或更高的超高速通信的激光二极管芯片。 根据本发明的用于超高速通信的光学模块包括：激光二极管芯片; 用于发送信号的高速信号传输基板; 具有形成在其上的高速信号传输线图案的上高速信号传输基板（210） 和具有导电上表面的下部高速信号传输基板（220），所述基板耦合到所述激光二极管芯片。 光模块的单端阻抗为25ohm或差分端阻抗为50ohm，从而实现高速传输; 安装有用于高速通信的激光二极管芯片的基板具有约0.4mm的高度，从而有助于激光二极管芯片和透镜之间的光耦合等; 并且使用0.6mm以下的基板宽度实现高速传输线，由此提供有效地嵌入具有窄安装面积的TO罐型封装中的高速信号传输基板。

公开(公告)号：WO2014189518A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：PCT/US2013/042523

申请日：2013-05-23

Applicant: JOSEPH, John, R. ,  CARSON, Richard, F. ,  WARREN, Mial, E. ,  LEAR, Kevin, L. ,  WILCOX, Tom

Inventor： JOSEPH, John, R. ,  CARSON, Richard, F. ,  WARREN, Mial, E. ,  LEAR, Kevin, L. ,  WILCOX, Tom

IPC: H01S3/04

CPC classification number: H01S5/02438 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02256 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/176

Abstract: A VCSEL device having a mesa for generating laser light includes a centralized thermal containment area and a thermal discharge area surrounding the centralized thermal containment area. The device includes a thermal lensing structure for enhancing or controlling heat flow within the centralized thermal containment area and the thermal discharge area and creating and maintaining an index of refraction between the centralized thermal containment area and the thermal discharge area. The VCSEL device operates as a multimode device when driven at a first current in a continuous wave and the VCSEL device operates as a single mode device when driven at a second current at a pulse rate shorter than an overall thermal time constant of the VCSEL device.

Abstract translation: 具有用于产生激光的台面的VCSEL装置包括集中的热容纳区域和围绕集中式热容纳区域的热放电区域。 该装置包括用于增强或控制集中式热容纳区域和热放电区域内的热流的热透镜结构，并且在中央集热区域和热放电区域之间产生并保持折射率。 当以连续波中的第一电流驱动时，VCSEL器件作为多模器件工作，当以比VCSEL器件的整体热时间常数短的脉冲速度在第二电流下驱动时，VCSEL器件作为单模器件工作。

公开(公告)号：WO2012039754A3

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/US2011001616

申请日：2011-09-20

Applicant: QUANTUM ELECTRO OPTO SYS SDN ,  WALTER GABRIEL

Inventor： WALTER GABRIEL

IPC: H01L29/737 ,  H01L33/04

CPC classification number: H01L33/0025 ,  H01S5/06203 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3415 ,  H01S2304/04

Abstract: The invention is applicable for use in conjunction with a light-emitting semiconductor structure that includes a semiconductor active region of a first conductivity type containing a quantum size region and having a first surface adjacent a semiconductor input region of a second conductivity type that is operative, upon application of electrical potentials with respect to the active and input regions, to produce light emission from the active region. A method is provided for enhancing operation of the light-emitting semiconductor structure, including the following steps: providing a semiconductor output region that includes a semiconductor auxiliary layer of the first conductivity type adjacent a second surface, which opposes the first surface of the active region, and providing the auxiliary layer as a semiconductor material having a diffusion length for minority carriers of the first conductivity type material that is substantially shorter than the diffusion length for minority carriers of the semiconductor material of the active region.

Abstract translation: 本发明可应用于包括含有量子尺寸区域的第一导电类型的半导体有源区并且具有邻近可操作的第二导电类型的半导体输入区的第一表面的发光半导体结构， 在相对于有源区和输入区施加电势时，产生来自有源区的光发射。 提供一种用于增强发光半导体结构的操作的方法，包括以下步骤：提供半导体输出区，其包括与第二表面相邻的第一导电类型的半导体辅助层，该第二表面与有源区的第一表面相对 并且提供辅助层作为半导体材料，该半导体材料具有与第一导电类型材料的少数载流子的扩散长度基本上短于有源区半导体材料的少数载流子的扩散长度。

公开(公告)号：WO2012046420A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：PCT/JP2011/005506

申请日：2011-09-29

Applicant: 古河電気工業株式会社 ,  清水 均 ,  川北 泰雅

Inventor： 清水　均 ,  川北　泰雅

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18308 ,  G02B5/0816 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/181 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18369 ,  H01S2304/04 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 　第１半導体層と第２半導体層との周期構造で構成される半導体多層構造を備える電子素子であって、前記半導体多層構造の少なくとも一部において、前記第１半導体層と前記第２半導体層とが互いに異なる導電型を有する。前記第１半導体層と前記第２半導体層とが互いに異なる屈折率を有しており、前記半導体多層構造は多層膜反射鏡として機能する。これにより、寄生容量が低減された電子素子、面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光源、および光モジュールを提供する。

Abstract translation: 电子元件设置有由第一半导体层和第二半导体层的周期性结构构成的半导体多层结构。 在半导体多层结构的至少一部分中，第一半导体层和第二半导体层具有彼此不同的导电类型。 第一半导体层和第二半导体层具有彼此不同的折射率，并且半导体多层结构用作多层膜反射镜。 因此，提供了具有减小的寄生电容的电子元件，表面发射激光器，表面发射激光器阵列，光源和光模块。

公开(公告)号：WO2009134456A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：PCT/US2009/002742

申请日：2009-05-04

Applicant: CORNING INCORPORATED ,  CHANG-HASNAIN, Connie ,  PAREKH, Devang ,  ZENTENO, Luis, A ,  ZHAO, Xiaoxue

Inventor： CHANG-HASNAIN, Connie ,  PAREKH, Devang ,  ZENTENO, Luis, A ,  ZHAO, Xiaoxue

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01S5/065 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0064 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/4006

Abstract: A method of operating a laser source comprising a single mode master laser (10) and a multimode VCSEL slave laser (20) is provided. According to the method, the spatial and spectral coupling of the single mode optical output of the master laser and a targed mode of the multimode optical resonator of the VCSEL slave laser are controlled to progress from a relatively mode-matched spatial and spectral coupling to a relatively mismatched spatial and spectral coupling to facilitate optically injected mode locking in the laser source. Further, a laser source is provided comprising a single mode master laser and a multimode VCSEL slave laser. The single mode master laser comprises a wavelength tuning element (60) and a spatial tuning element (15) that facilitate optically injected mode locking in the laser source spectrally mismatched optical seeding results in an enhanced modulation bandwidth of the VCSEL slave laser.

Abstract translation: 提供了一种操作包括单模主激光器（10）和多模VCSEL从属激光器（20）的激光源的方法。 根据该方法，控制主激光器的单模光输出和VCSEL从属激光器的多模光谐振器的充电模式的空间和光谱耦合，从相对模式匹配的空间和光谱耦合到 相对不匹配的空间和频谱耦合以促进激光源中的光学注入模式锁定。 此外，提供了包括单模主激光器和多模VCSEL从属激光器的激光源。 单模主激光器包括波长调谐元件（60）和空间调谐元件（15），其促进激光源中的光注入模式锁定光谱失配的光学种子导致VCSEL从属激光器的增强的调制带宽。

公开(公告)号：WO2007116659A1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：PCT/JP2007/056056

申请日：2007-03-23

Applicant: 日本電気株式会社 ,  畠山 大

Inventor： 畠山 大

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/1835 ,  H01S5/0267 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18333 ,  H01S5/18338 ,  H01S5/2059 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176

Abstract: 　従来の酸化狭窄型構造ＶＣＳＥＬにおいては、素子の内部応力および熱抵抗低減上の課題を有するため、特に、高速変調型ＶＣＳＥＬの高信頼性を図る上で課題となっている。本発明の一実施形態に係る面発光レーザは、メサ中に設けられ、電気的且つ光学的に孤立した単一の電流注入開口領域を有しており、電流注入により発光する活性層と、該活性層を挟むように設けられた第１の反射器および第２の反射器と、活性層に電流を注入するｎ電極およびｐ電極と、前記電流注入開口領域を包囲するように設けられ、イオンが注入された非導電性の高抵抗化領域と、前記メサの側壁からメサの内部まで延在する非導電性酸化層と、を備え、その際、前記電流注入開口領域の略中央から当該面発光レーザの外周に至る半断面の中に、前記非導電性の高抵抗化領域で囲まれている、レーザ発振光の存在する領域の内側には前記非導電性酸化層が現れない半断面が存在する。

Abstract translation: 由于传统的氧化物封闭结构VCSEL具有器件内部应力和热阻降低的问题，高速调制VCSEL的高可靠性的提高也是一个问题。 本发明实例的表面发光激光器包括设置在台面中的有源层，具有电和光隔离的单电流注入开口区域，并且在注入电流时发射光;第一和第二反射器，其间具有活性 层，用于将电流注入有源层的n电极和p电极，设置为围绕电流注入开口区域并进行离子注入的非导电高电阻区域，以及从侧壁延伸的非导电氧化物层 的台面到台面的内部。 在从当前注入开口区域的大致中央部分到表面发光激光器的外周的半部分中，存在由非导电高电阻区域包围的半部分，并且在区域内没有非导电氧化物层 存在激光振荡光。

公开(公告)号：WO2006098989A3

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：PCT/US2006008280

申请日：2006-03-09

Applicant: FINISAR CORP ,  DOUMA DARIN JAMES

Inventor： DOUMA DARIN JAMES

IPC: G02B6/12

CPC classification number: H01S5/042 ,  H01S5/06226

Abstract: A transmission mechanism for transmitting an electrical signal from the output stage of an electro-optic transducer driver to an electro-optic transducer. The transmission mechanism includes the electro-optic transducer, the electro-optic transducer driver and a termination resistor. A first node of the termination resistor is coupled to the first differential input terminal of the electro-optic transducer. A second node of the termination resistor is coupled to the first output node of the electro-optic transducer driver. In addition, a second differential input terminal of the electro-optic transducer is coupled to a second output node of the electro-optic transducer driver. Such connections provide for a first DC path from the first differential input terminal of the electro-optic transducer to the second electro-optic transducer driver output node and a second DC path from the first node of the termination resistor to first electro-optic transducer driver output node.

Abstract translation: 一种用于将电信号从电光换能器驱动器的输出级传输到电光换能器的传输机构。 传输机构包括电光换能器，电光换能器驱动器和终端电阻器。 终端电阻器的第一节点耦合到电光换能器的第一差分输入端。 终端电阻器的第二节点耦合到电光换能器驱动器的第一输出节点。 此外，电光换能器的第二差分输入端耦合到电光换能器驱动器的第二输出节点。 这种连接提供从电光换能器的第一差分输入端到第二电光换能器驱动器输出节点的第一DC路径以及从终端电阻的第一节点到第一电光换能器驱动器的第二DC路径 输出节点。

公开(公告)号：WO2004034525A2

公开(公告)日：2004-04-22

申请号：PCT/US2003/032545

申请日：2003-10-14

Applicant: ZIVA CORPORATION

Inventor： HUSAIN, Anis ,  KRISHNAMOORTHY, Ashok, V.

IPC: H01S

CPC classification number: H01S5/18341 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/06236 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18369

Abstract: A fast current-controlled polarization switching VCSEL with two independent intra­cavity p-contact electrodes and two independent intra-cavity n-contact electrodes positioned along the four sides of the symmetric aperture such that there are two independent p- and n- contact pairs placed on opposite sides of the aperture in a non-overlapping configuration. The anisotropy resulting from the unidirectional current flow causes the light output to be polarized perpendicular to the direction of current flow. A VCSEL driver circuit switches the polarization state of the output light by using the two orthogonal pairs of non-overlapping intra-cavity contacted electrodes to change the direction of current flow into the VCSEL aperture by 90 degrees.

Abstract translation: 具有两个独立的腔内p-接触电极的快速电流控制偏振切换VCSEL和沿对称孔径的四个侧面定位的两个独立的腔内n接触电极，使得存在两个独立的p-和n-接触对放置在 孔的相对侧处于非重叠配置。 由单向电流引起的各向异性导致光输出垂直于电流方向偏振。 VCSEL驱动电路通过使用两个非重叠腔内接触电极的正交对来切换输出光的偏振状态，以改变流入VCSEL孔径的电流的方向90度。

公开(公告)号：WO2002093229A1

公开(公告)日：2002-11-21

申请号：PCT/US2002/015129

申请日：2002-05-14

Applicant: UNIVERSITY OF MARYLAND, BALTIMORE COUNTY ,  CHOA, Fow-Sen

Inventor： CHOA, Fow-Sen

IPC: G02B06/26

CPC classification number: H01S5/0265 ,  H01S5/06226 ,  H03D9/00

Abstract: An RF-lightwave transmitter (10) performs successive conversions of an information-bearing input signal in order to generate an output signal suitable for transmission in a wireless communications system. The transmitter (10) includes a high-efficiency FM laser (22) connected to a FM discriminator (24). In operation, the laser (22) converts an RF signal into a frequency-modulated optical signal, and the discriminator (24) converts this signal into an amplitude-modulated optical signal. The discriminator (24) performs its conversion using a high slope-efficiency linear transfer function which ensures that the AM optical signal varies in accordance with a desired operational performance.

Abstract translation: 射频光波发射器（10）执行信息承载输入信号的连续转换，以便生成适合于在无线通信系统中传输的输出信号。 发射器（10）包括连接到FM鉴别器（24）的高效FM激光器（22）。 在操作中，激光器（22）将RF信号转换成调频光信号，并且鉴别器（24）将该信号转换成幅度调制的光信号。 鉴别器（24）使用高斜率效率线性传递函数执行其转换，其确保AM光信号根据期望的操作性能而变化。