PROCESS FOR SELECTIVELY RECOVERING SULFATE AND CHLORIDE SALTS FROM WASTEWATER
    1.
    发明申请
    PROCESS FOR SELECTIVELY RECOVERING SULFATE AND CHLORIDE SALTS FROM WASTEWATER 审中-公开
    从废水中选择性地回收硫酸盐和氯化物废水的方法

    公开(公告)号:WO2016154505A1

    公开(公告)日:2016-09-29

    申请号:PCT/US2016/024131

    申请日:2016-03-25

    摘要: A process is described for recovering alkali-chloride and alkali-sulfate salts from a salt solution. The salt solution comprises alkali metal, chloride and sulfate ions and is directed to a hydrous salt crystallization unit (28) which crystallizes hydrated sulfate salts that comprise sulfate and at least one alkali metal. A purged solution from the hydrous salt crystallization unit (28) is directed to a chloride salt crystallization unit (38) while the hydrated sulfate salt crystals are melted to form an aqueous sulfate solution which is directed to a sulfate crystallization unit (32). Anhydrous sulfate salts are crystallized from the aqueous sulfate solution to form sulfate salt crystals comprising sulfate and at least one alkali metal. In the chloride salt crystallization unit (38), chloride salt is crystallized to form chloride salt crystals. At least a portion of the purges from the sulfate and chloride salt crystallization units (32, 38) is directed to the hydrous salt crystallization unit (28).

    摘要翻译: 描述了从盐溶液中回收碱金属氯化物和碱金属硫酸盐的方法。 盐溶液包含碱金属,氯化物和硫酸根离子,并被引导到水合盐结晶单元(28),其结晶包含硫酸盐和至少一种碱金属的水合硫酸盐。 来自含水盐结晶单元(28)的清洗溶液被引导到氯化物盐结晶单元(38),同时水合硫酸盐晶体被熔化以形成硫酸盐结晶单元(32)的硫酸盐水溶液。 无水硫酸盐从硫酸水溶液中结晶形成含硫酸盐和至少一种碱金属的硫酸盐晶体。 在氯化物盐结晶单元(38)中,氯化物盐结晶形成氯化物盐晶体。 来自硫酸盐和氯化物盐结晶单元(32,38)的清洗的至少一部分被引导到含水盐结晶单元(28)。

    PROCESS AND APPARATUS FOR PRODUCING AMMONIUM SULFATE CRYSTALS
    2.
    发明申请
    PROCESS AND APPARATUS FOR PRODUCING AMMONIUM SULFATE CRYSTALS 审中-公开
    生产硫酸汞晶体的方法和装置

    公开(公告)号:WO2014206869A1

    公开(公告)日:2014-12-31

    申请号:PCT/EP2014/062987

    申请日:2014-06-20

    摘要: The present invention provides a continuous process for producing ammonium sulfate crystals, wherein said process comprises: (a) feeding to a first group of crystallization sections, which crystallization sections are heat integrated in series, a first aqueous ammonium sulfate solution that contains one or more impurities; (b) feeding to a second group of crystallization sections, which crystallization sections are heat integrated in series, a second aqueous ammonium sulfate solution that contains one or more impurities; (c) crystallizing ammonium sulfate crystals in each crystallization section respectively from each of said solutions of ammonium sulfate that contain one or more impurities; (d) purging a fraction of the ammonium sulfate solution that contains one or more impurities from each of said crystallization sections; and (e) discharging ammonium sulfate crystals from each crystallization section, characterized in that: (i) both the first group of crystallization sections and the second group of crystallization sections are together heat integrated in one series of crystallization sections; wherein the first group of crystallization sections operates at higher temperature than the second group of crystallization sections; and (ii) the composition of the first aqueous ammonium sulfate solution that contains one or more impurities is different to the composition of the second aqueous ammonium sulfate solution that contains one or more impurities. Further provided is apparatus suitable for producing ammonium sulfate crystal.

    摘要翻译: 本发明提供了一种用于生产硫酸铵晶体的连续方法,其中所述方法包括:(a)将第一组结晶部分进料到该第一组结晶部分,该结晶部分串联加热一体化,含有一种或多种的第一硫酸铵水溶液 杂质; (b)将第二组结晶部分进料到该第二组结晶部分,该结晶部分串联加热一体化,含有一种或多种杂质的第二硫酸铵溶液; (c)分别从含有一种或多种杂质的所述硫酸铵溶液中分别在每个结晶段中结晶硫酸铵晶体; (d)从每个所述结晶部分清洗含有一种或多种杂质的硫酸铵溶液的一部分; 和(e)从每个结晶部分排出硫酸铵晶体,其特征在于:(i)第一组结晶部分和第二组结晶部分一起热集成在一系列结晶部分中; 其中所述第一组结晶段在比所述第二组结晶段更高的温度下操作; 和(ii)含有一种或多种杂质的第一硫酸铵水溶液的组成与含有一种或多种杂质的第二硫酸铵水溶液的组成不同。 还提供了适用于生产硫酸铵晶体的装置。

    ナノ微粒子の製造方法
    4.
    发明申请
    ナノ微粒子の製造方法 审中-公开
    生产纳米颗粒的方法

    公开(公告)号:WO2011096401A1

    公开(公告)日:2011-08-11

    申请号:PCT/JP2011/052053

    申请日:2011-02-01

    发明人: 榎村 眞一

    摘要:  ナノ微粒子の製造方法の提供を図る。特に、ジケトピロロピロール顔料を析出させるナノ微粒子の製造方法において、ジケトピロロピロール顔料の析出と、α型への結晶転移を実質的に1段階の工程で行うことにより、結晶性の高いα型のジケトピロロピロール顔料ナノ微粒子を析出させることを目的とする。 ジケトピロロピロール顔料が溶媒に溶解されたジケトピロロピロール顔料溶液と、アルコール化合物溶媒を含むアルコール系溶媒とを、対向して配設された、接近・離反可能な、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する少なくとも2つの処理用面1、2の間にできる薄膜流体中で混合し、α型ジケトピロロピロール顔料ナノ微粒子を析出させる。その際に、上記のジケトピロロピロール顔料溶液とアルコール系溶媒のうち、少なくともいずれか一方に酸性物質が含まれていることを特徴とする。

    摘要翻译: 公开了一种生产纳米颗粒的方法。 具体公开了通过沉积二酮吡咯并吡咯颜料制备纳米颗粒的方法,其中二酮吡咯并吡咯颜料的沉积和其晶体转变为α-形式基本上在一个步骤中进行,从而沉积具有高的二价吡咯并吡咯颜料纳米颗粒 结晶。 一种生产纳米颗粒的方法,其包括将溶解在溶剂中的二酮吡咯并吡咯颜料的溶液与含有醇化合物溶剂的醇溶剂混合在形成在至少两个处理面(1,2)之间的薄膜流体中,该至少两个处理面 以这样一种方式使得这些处理面能够彼此移动和远离,并且其中的至少一个可相对于另一个处理面旋转,由此沉积形式的二酮吡咯并吡咯颜料纳米颗粒。 该纳米粒子的制造方法的特征在于,二酮吡咯并吡咯颜料溶液和醇溶剂中的至少一种含有酸性物质。

    微粒子の製造方法及びその微粒子
    5.
    发明申请
    微粒子の製造方法及びその微粒子 审中-公开
    生产细颗粒和精细颗粒的方法

    公开(公告)号:WO2009038008A1

    公开(公告)日:2009-03-26

    申请号:PCT/JP2008/066386

    申请日:2008-09-11

    发明人: 榎村 眞一

    摘要:  単分散の微粒子が作成出来、さらに自己排出性により生成物の詰まりも無く、大きな圧力を必要とせず、また生産性も高い、微粒子の製造方法を提供することを課題とするものであって、微粒子原料を少なくとも1種類溶解した流体を、近接・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面の間に導入して薄膜流体とするものであり、当該薄膜流体を冷却あるいは加熱(加温)して飽和溶解度を変化させる事により、微粒子を析出させる。

    摘要翻译: 本发明提供了一种能够生产单分散细颗粒,能够通过自放电性而不产生堵塞的微粒的制造方法,不需要高压,生产率也高。 将含有溶解于其中的细颗粒的至少一种原料的流体引入彼此相对设置的处理面之间,使得它们彼此靠近并且可彼此分离,并且其中的至少一个可相对于 其他处理面形成薄膜液。 通过冷却或加热薄膜流体来改变饱和溶解度来沉淀细颗粒。

    APPAREIL DE CRISTALLISATION A CIRCULATION FORCEE
    7.
    发明申请
    APPAREIL DE CRISTALLISATION A CIRCULATION FORCEE 审中-公开
    强制流水晶装置

    公开(公告)号:WO2009007577A1

    公开(公告)日:2009-01-15

    申请号:PCT/FR2008/051122

    申请日:2008-06-23

    发明人: MALFAND, Michel

    IPC分类号: B01D9/00 B01D9/02

    摘要: Appareil de cristallisation du soluté contenu dans une solution, comprenant : une première (2) et une deuxième (1) chambres communicantes, pour ladite solution, et des moyens (20) pour y maintenir un état de sursaturation, - un premier circuit pour extraire d'une zone calme (15) de la dernière chambre, un premier courant de liquide à petits cristaux et pour recycler ce courant dans la première chambre, et un deuxième circuit pour extraire de la deuxième chambre, un deuxième courant de liquide à gros cristaux, et pour amener ce deuxième courant dans la première chambre, l'extrémité avale (26) du premier circuit débouchant dans le deuxième circuit de manière à ce que les premier et deuxième courants de liquide soient amenés à s'écouler dans le même sens dans ledit deuxième circuit.

    摘要翻译: 本发明涉及一种用于结晶溶液中的溶质的装置,其包括:用于所述溶液的第一(2)和第二(1)室,以及用于在其中维持过饱和状态的装置(20); 第一电路,用于从最后一个室的平静区域(15)提取具有小晶体的第一液体流并用于将所述流体再循环到第一室中;以及第二回路,用于从第二室中提取第二液体流, 大晶体并将所述第二流进料到所述第一室中,所述第一回路的下游端(26)进入所述第二回路,使得所述第一和第二液体流在所述第二回路中被迫沿相同方向流动。

    CRYSTALLIZATION APPARATUS AND CRYSTALLIZATION METHOD
    10.
    发明申请
    CRYSTALLIZATION APPARATUS AND CRYSTALLIZATION METHOD 审中-公开
    结晶装置和结晶方法

    公开(公告)号:WO01014037A1

    公开(公告)日:2001-03-01

    申请号:PCT/JP2000/002469

    申请日:2000-04-14

    摘要: A crystallization apparatus having an agitating vessel, a liquid circulating means which circulates a liquid or slurry along the wall of the agitating vessel and one or more means for generating a temperature difference which can generate a temperature difference on the wall of the vessel. The temperature difference generating means is disposed, for example, in or below a region at which a liquid or slurry being sprayed from a liquid spraying device by the rotation of the device contacts with the wall of the vessel and renders the temperature of the liquid or slurry sprayed to be higher or lower than that of a liquid or slurry surrounding it. The crystallization apparatus provides large areas for evaporation and heat transfer, which leads to a decreased induction period for crystal formation, and thus results in the formation of crystals having a large average particle size and a narrow particle size distribution. Further, the apparatus can be used for obtaining substantially only crystals of a specific crystal form, that is, the apparatus enables the control of crystal polymorphism.

    摘要翻译: 具有搅拌容器的结晶装置,使液体或浆料沿着搅拌容器的壁循环的液体循环装置和用于产生在容器壁上产生温度差的温度差的一种或多种装置。 温度差产生装置例如设置在通过装置的旋转与液体喷射装置喷射的液体或浆料与容器的壁接触并使液体的温度或者 喷涂的浆料要高于或低于周围的液体或浆料的浆料。 结晶装置提供用于蒸发和热传递的大面积,这导致晶体形成的诱导期减少,因此导致形成平均粒径大且粒径分布窄的晶体。 此外,该装置可以用于仅获得特定晶体形式的晶体,即,该装置能够控制晶体多晶型。