公开(公告)号：WO2018103712A1

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：PCT/CN2017/115081

申请日：2017-12-07

Applicant: 成都斯力康科技股份有限公司

Inventor： 羊实 ,  周旭

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/037

Abstract: 一种利用硅渣进行熔炼生产硅锭的工艺，包括起炉、炼硅、除渣、成型预留中频炉内容量15％～20％容量的硅液作为下一次熔炼的初始硅水，将其余的硅液倾倒成型系统，制造形成硅锭。利用硅液的微弱导电性来进行感应生热，直接利用硅渣进行熔炼，利用硅与废渣的熔点不同的特性，使得硅熔炼后分离，再利用除渣装置打捞硅液上的硅渣，从而将硅与废渣进行分离，直接生产得到硅锭，相对于坩埚的最大容量20KG而言，利用感应炉进行硅熔炼的方式，可以将单体的熔炼量提升至5吨，相对于现有技术的坩埚熔炼而言，大大提高了产量和生产效率。

公开(公告)号：WO2017096563A1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：PCT/CN2015/096830

申请日：2015-12-09

Applicant: 季国平

Inventor： 季国平

IPC: C01B33/037 ,  C30B29/06

CPC classification number: C01B33/037 ,  C30B29/06

Abstract: 提供一种硅的工业提纯方法，包括：从包含铝的熔融溶剂中重结晶起始材料硅，以提供经重结晶的硅晶体；用水性酸溶液或中性溶液洗涤；以及定向凝固经洗涤的硅晶体；还包括喷砂或喷冰经定向凝固的硅晶体，其中经喷砂或喷冰的硅晶体的平均纯度大于或等于经定向凝固的硅晶体的平均纯度。该方法简单，容易操作，易于实施，且成本低廉，可在工业上广泛应用。

公开(公告)号：WO2017060325A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：PCT/EP2016/073830

申请日：2016-10-06

Applicant: SMS GROUP GMBH

Inventor： STASTNY, Raffael ,  WEISSENBAECK, Herbert ,  ÖSTERREICHER, Markus ,  PAMMINGER, Johannes

IPC: C01F7/56 ,  C01B33/037 ,  G01N21/359 ,  G01N21/27 ,  G01N21/75

CPC classification number: C01F7/56 ,  C01B33/037 ,  G01N21/272 ,  G01N21/359 ,  G01N21/75 ,  G01N2021/8411

Abstract: Bei einem Verfahren zur produktionstechnischen hydrometallurgischen Aufbereitung oder zur produktionstechnischen nasschemischen Umsetzung eines ersten (1) oder eines zweiten Ausgangsstoffes zu einem chemischen Reaktionsprodukt und/oder einem prozesstechnischen Nebenprodukt (7), wobei der erste (1) oder der zweite Ausgangsstoff hydrometallurgisch und/oder nasschemisch mit einem flüssigen, insbesondere wässrigen, Medium zur Reaktion gebracht und das chemische Reaktionsprodukt und/oder das Nebenprodukt (7) in Form einer Lösung erhalten wird, welche Lösung mindestens einen im ersten (1) und zweiten Ausgangsstoff enthaltenen, insbesondere metallischen Inhaltsstoff enthält, soll eine Lösung geschaffen werden, die eine genaue und wirtschaftliche Prozessführung sowie eine gute Reproduzierbarkeit und eine genaue Einstellung der Zusammensetzung der erhaltenen Neben- und Endprodukte ermöglicht. Dies wird dadurch erreicht, dass in der erhaltenen Lösung und/oder dem erhaltenen Reaktionsprodukt und/oder dem erhaltenen Nebenprodukt (7) online kontinuierlich zumindest der Gehalt und/oder die Konzentration des mindestens einen, insbesondere metallischen, Inhaltsstoffs und/oder eines aus dem flüssigen Medium stammenden Ions oder Moleküls mittels Nahinfrarot-Analytik, insbesondere Nahinfrarotspektroskopie-Analytik (NIR), ermittelt und auf Basis der ermittelten sowie zeitnah an ein mathematisches Regelmodell übermittelten Nahinfrarot-Messwerte, insbesondere Nahinfrarotspektroskopie-Messwerte, der mittels des Regelmodells beeinflussbare hydrometallurgische Aufbereitungsprozess oder der nasschemische Reaktionsprozess online gesteuert und/oder geregelt wird.

Abstract translation: 在用于第一（1）或第二起始材料的化学反应产物和/或副产物（7），其中，所述第一（1）和第二原料湿法冶金和/或湿化学技术工艺生产技术的湿法冶金加工或生产技术湿化学反应的方法 与液体获得的，特别是含水的，带来了介质对反应和化学反应产物和/或副产物（7）以溶液的形式，其溶液含有至少一种成分和包含在第一（1），尤其是金属，所述第二原料 将要创建的解决方案，允许准确且经济的方法控制，以及良好的可重复性和副产物和最终产物的组合物的精确调整。 这是在于，在所获得的溶液和/或反应产物达到获得和/或副产物（7）连续地获得在线，至少所述内容和/或至少一种的浓度，尤其是金属成分和/或从液体 通过近红外分析介质得到离子或分子，特别是近红外光谱分析（NIR），被确定和的基础上检测到的和迅速地传递到一个数学规则模型近红外线测量值，特别是近红外光谱的测量，其可以通过控制模型湿法冶金处理工艺或湿化学的影响 被控制的反应过程的在线和/或调节。

公开(公告)号：WO2016165959A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：PCT/EP2016/057246

申请日：2016-04-01

Applicant: WACKER CHEMIE AG

Inventor： FRICKE, Michael ,  BRIXEL, Martin ,  ENGGRUBER, Robert ,  HAUSWIRTH, Rainer

IPC: B07B4/08 ,  C01B33/037

CPC classification number: B07B4/08 ,  B07B11/04 ,  B07B11/06 ,  C01B33/037

Abstract: Gegenstand der Erfindung sind ein Verfahren zur Klassierung und Entstaubung von Polysiliciumgranulat, wobei das Polysiliciumgranulat in eine Siebanlage (1) aufgegeben, mittels einer oder mehrerer Siebflächen (5) in zwei oder mehr Fraktionen aufgeteilt wird, wobei durch eine Wurfbewegung des Polysiliciumgranulats in der Siebanlage (1) anhaftende Staubpartikel vom Polysiliciumgranulat abgetrennt werden, wobei die abgetrennten Staubpartikel mittels einer der Siebanlage (1) zugeführten Gasströmung aus der Siebanlage (1) abgeführt werden, wobei die Siebanlage gasdicht ausgeführt ist und Zufuhr (6) und Abführung (7) der Gasströmung derart erfolgen, dass in der Siebanlage (1) Überdruck gegenüber der Umgebung herrscht, sowie eine zur Durchführung des Verfahrens geeignete Vorrichtung.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于分类和粒化多晶硅的除尘方法，所述多晶硅的颗粒放置在筛选设备（1）是由一个或多个筛选表面（5）划分成两个或多个级分，其中（由粒状多晶硅在筛选投掷运动 1）附着灰尘颗粒被从多晶硅颗粒，其特征在于，通过所述筛选植物的装置所分离的灰尘颗粒（1供给到气体流）从筛选植物的（1）排出，其特征在于所述筛分是气密和供给分离（6）和排出（7）以这样的方式的气流的 发生，在所述筛选设备（1）超压盛行相对于环境，以及适合于实施该方法的装置。

公开(公告)号：WO2015103366A1

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：PCT/US2014/072946

申请日：2014-12-31

Applicant: HEMLOCK SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： KRESZOWSKI, Douglas H. ,  PUEHL III, Carl W. ,  WORKMAN, Dale Franklin

IPC: C01B33/021

CPC classification number: G01N1/4044 ,  C01B33/02 ,  C01B33/037

Abstract: A method determines a concentration of metal impurities contaminating a silicon product. The method comprises obtaining a test sample of the silicon product with the metal impurities disposed thereon. The test sample is placed within a first vessel. A first acid solution is added to the first vessel containing the test sample. The test sample is submerged into the first acid solution to produce a mixed solution comprising the first acid solution, the metal impurities, and digested silicon. The undigested silicon is separated from the mixed solution. The mixed solution is analyzed to determine the concentration of metal impurities contaminating the silicon product.

Abstract translation: 一种方法确定污染硅产品的金属杂质的浓度。 该方法包括获得硅产物的测试样品，其中设置有金属杂质。 将测试样品置于第一容器内。 将第一酸溶液加入到含有测试样品的第一容器中。 将测试样品浸入第一酸溶液中以产生包含第一酸溶液，金属杂质和消化硅的混合溶液。 将未消化的硅与混合溶液分离。 分析混合溶液以确定污染硅产品的金属杂质的浓度。

公开(公告)号：WO2014201207A3

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：PCT/US2014042056

申请日：2014-06-12

Applicant: UNIV ARIZONA

Inventor： TAO MENG ,  HAN XIAOFEI

IPC: B01J35/00

CPC classification number: C25B1/14 ,  C01B33/037 ,  C25B1/006 ,  C25B1/26 ,  C25B9/00 ,  C25B11/0421 ,  C25B15/02 ,  C25B15/08 ,  C25F1/00 ,  C30B30/02

Abstract: Methods and systems for removing impurities from an electrolytic salt are disclosed. After removal of impurities from the salt, the salt can be subjected to electrorefining to produce high-purity materials, for example silicon. Impurities are removed from the salt using a system that includes a first working electrode, a counter electrode, and at least one reference electrode. A second working electrode can also be utilized. The salt may be utilized in an electrorefining system, for example a system operated in a single phase or multiple phase operation to produce high-purity materials, such as solar-grade silicon.

Abstract translation: 公开了从电解盐中除去杂质的方法和系统。 在从盐中除去杂质后，可以对盐进行电解精炼以产生高纯度材料，例如硅。 使用包括第一工作电极，对电极和至少一个参比电极的系统从盐中除去杂质。 也可以使用第二工作电极。 该盐可用于电解精炼系统，例如以单相或多相操作的系统，以产生高纯度材料，例如太阳能硅。

公开(公告)号：WO2014184090A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：PCT/EP2014/059466

申请日：2014-05-08

Applicant: THOENE, Carl-Stefan ,  PUSCHMANN, Arndt Günter

Inventor： THOENE, Carl-Stefan ,  PUSCHMANN, Arndt Günter

IPC: C01B33/037 ,  C01B33/021

CPC classification number: C01B33/037

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Aufreinigung von siliziumhaltigen Schneidabfällen, das den thermischen Aufschluss der festen Komponenten in einer sauren Alkali-oder Erdalkalisalzschmelze, das Auswaschen der Salze aus den festen Komponenten mit wässriger, vorzugsweise saurer Lösung, die Pyrolyse der organischen Bestandteile der festen Komponenten, und das Sintern der festen Komponenten und Abtrennen des Siliziums von Siliziumcarbid umfasst.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于含硅屑的纯化方法，该固体组分的在酸性碱金属或Erdalkalisalzschmelze，洗涤出与固体组分的盐用含水，优选在酸性溶液中，固体组分中的有机成分的热分解的热分解 并且包含固体组分的烧结和分离从碳化硅的硅。

公开(公告)号：WO2014069252A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：PCT/JP2013/078283

申请日：2013-10-18

Applicant: 産機電業株式会社

Inventor： 岡　浩章 ,  岡　斉彰

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/037

Abstract: 　低純度の金属シリコンから金属不純物及びボロン及びリンを効率的に除去でき、且つ連続的な処理が可能で、コンパクトな装置構成の金属シリコンの純度を高める装置を提供する。金属不純物除去部（１１ａ）と、ボロン及びリン除去部（１１ｂ）と、不純物通過部（１１ｃ）を備えた耐火材からなるトレー（１１）と、トレーの上側に配置したシリコンを溶融可能なヒーター（１３）と、トレーの金属不純物除去部の下側に配置した水冷配管（１４ａ）及び電磁石（１５）と、トレーのボロン及びリン除去部の下側に配置した水冷配管（１４ｂ）と、トレーのボロン及びリン除去部に配置した高電圧放電用電極（１６）を備え、金属シリコン溶湯から金属不純物及びボロン及びリンを除去する。

Abstract translation: 提供了一种用于提高金属硅纯度的装置，其具有能够从低纯度金属硅中有效地去除金属杂质，硼和磷以及连续加工的紧凑的器件结构。 该装置包括：由耐火材料构成并且设有金属杂质除去部分（11a），硼和磷去除部分（11b）和杂质通道部分（11c）的托盘（11）; 加热器（13），其设置在所述托盘的上方并能够熔融硅; 设置在托盘的金属杂质除去部分下方的水冷却管（14a）和电磁体（15）; 设置在托盘的硼和磷去除部分下方的水冷却管（14b） 和设置在托盘的硼和磷去除部分上的高压放电电极（16）。 该装置从熔融的金属硅中去除金属杂质，硼和磷。

公开(公告)号：WO2014036373A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：PCT/US2013/057465

申请日：2013-08-30

Applicant: SILICOR MATERIALS INC.

Inventor： TURENNE, Alain

IPC: C01B33/037 ,  C30B29/06 ,  C30B11/00

CPC classification number: C01B33/037 ,  C30B11/00 ,  C30B29/06

Abstract: A method comprises forming molten silicon (206) in a crucible (202), forming a solidified silicon (208) at a top portion of the molten silicon (206), contacting the solidified silicon (208) with glass (210), heating the solidified silicon (208) and the glass (210), sufficient to melt the solidified silicon and the glass, to provide a molten glass (212) on the molten silicon (206), and allowing the molten liquid to directionally solidify, from the bottom portion of the molten liquid toward the top portion of the molten liquid, to provide solid silicon (214) with a higher purity.

Abstract translation: 一种方法包括在坩埚（202）中形成熔融硅（206），在熔融硅（206）的顶部形成固化硅（208），使固化的硅（208）与玻璃（210）接触，加热 固化硅（208）和玻璃（210），其足以熔化固化的硅和玻璃，以在熔融硅（206）上提供熔融玻璃（212），并使熔融液体从底部定向凝固 熔融液体的一部分朝向熔融液体的顶部，以提供更高纯度的固体硅（214）。

公开(公告)号：WO2014010825A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：PCT/KR2013/004545

申请日：2013-05-23

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 이진석 ,  안영수 ,  장보윤 ,  김준수

IPC: C01B33/037 ,  C01B33/021 ,  B01J19/12

CPC classification number: C01B33/037 ,  C30B11/04 ,  C30B29/06

Abstract: 실리콘의 정련 장치가 개시된다. 진공 분위기를 유지하는 진공 챔버, 상기 진공 챔버에 구비되어 전자빔을 조사하는 적어도 하나 이상의 전자총(Electron-gun), 상기 진공챔버 내에 실리콘 원료물질을 공급하는 원료 공급부, 상기 전자빔이 조사되는 영역 내에 배치되며, 상기 실리콘 원료물질이 장입되어 상기 전자빔에 의해 상기 실리콘 원료물질이 용융되어 실리콘 용탕이 형성되는 실리콘 용융부, 상기 실리콘 용융부로부터 공급되는 실리콘 용탕을 응고시키는 일방향 응고부 및 상기 실리콘 용융부의 제 1 채널부와 상기 일방향 응고부의 제 2 채널부가 서로 접하여 이루어진 연결탕로부를 포함하고, 상기 연결탕로부의 중심축은 상기 원료 공급부의 투입구의 중심축과 다른 위치에 있는 휘발성 불순물 제거를 위한 실리콘의 정련 장치가 제공될 수 있다. 이에 따라, 실리콘 용탕의 이동경로를 길게 하여 내부에 존재하는 휘발성 불순물이 제거되는 시간과 공간을 충분히 확보하여 진공 정련의 효율을 향상시킬 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种硅精炼装置。 本发明提供一种用于除去挥发性杂质的硅精炼装置，该装置包括：保持真空气氛的真空室; 一个或多个电子枪，其形成在真空室中并照射电子束; 原料供给部，其将硅原料供给到真空室的内部; 硅熔化部，其设置在电子束的照射范围内，并且其中硅原料被充电然后用电子束熔化，从而形成硅熔体; 固化从硅熔融部提供的硅熔体的单向凝固部; 连接通路部分，其形成有与所述单向凝固部分的第二通道部分连通的所述硅熔化部分的第一通道部分，其中所述连接的通路部分的中心轴线处于与插入件的中心轴线不同的位置 原料供应部分的孔。 因此，通过延长硅熔体的行进路径，从而确保足够的时间和空间去除存在于其中的挥发性杂质，可以提高真空精炼的效率。