公开(公告)号：WO2014036280A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：PCT/US2013/057317

申请日：2013-08-29

Applicant: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED ,  TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED

Inventor： HU, Binghua ,  HAO, Pinghai ,  PENDHARKAR, Sameer

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41725 ,  G06F2101/00 ,  G06F2201/00 ,  H01L21/00 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/808

Abstract: A semiconductor device having a junction field-effect transistor (JFET) (100) includes a substrate (105) having a first-type semiconductor surface (106) including a topside surface (106a), and a top gate (110) of a second-type formed in the semiconductor surface. A first-type drain (120) and a first-type source (115) are formed on opposing sides of the top gate. A first deep trench isolation region (125) has an inner first trench wall (125a) and an outer first trench wall (125b) surrounding the top gate, the drain and the source, and extends vertically to a deep trench depth (139) from the topside surface. A second-type sinker (135) formed in semiconductor surface extends laterally outside the outer first trench wall. The sinker extends vertically from the topside surface to a second-type deep portion which is both below the deep trench depth and laterally inside the inner first trench wall to provide a bottom gate.

Abstract translation: 具有结型场效应晶体管（JFET）（100）的半导体器件包括具有包括顶侧表面（106a）的第一类型半导体表面（106）的基板（105）和第二 型形成在半导体表面。 第一类型漏极（120）和第一类型源（115）形成在顶栅极的相对侧上。 第一深沟槽隔离区域（125）具有围绕顶部栅极，漏极和源极的内部第一沟槽壁（125a）和外部第一沟槽壁（125b），并且垂直延伸到深沟槽深度（139） 顶面。 形成在半导体表面中的第二类型沉降片（135）横向延伸到外部第一沟槽壁外侧。 沉降片从顶侧表面垂直延伸到第二类型深部，该深部位于深沟槽深度的下方并且在内部第一沟槽壁的横向内部以提供底部门。

公开(公告)号：WO2013145288A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：PCT/JP2012/058660

申请日：2012-03-30

Applicant: 富士通株式会社 ,  青木 重人

Inventor： 青木　重人

IPC: G06F1/30

CPC classification number: G06F11/1441 ,  G06F9/485 ,  G06F9/5022 ,  G06F9/5077 ,  G06F11/3062 ,  G06F2201/00

Abstract: 　優先度の高い仮想マシンの停止処理を高速化する。　記憶部（１ｅ）は、仮想マシン（１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ）それぞれの優先度を示す情報を記憶する。制御部（１ｆ）は、仮想マシン（１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ）に並行して停止処理を実行させる際に、記憶部（１ｅ）を参照して、仮想マシン（１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ）のうちから仮想マシン（１ａ）を選択する。また、制御部（１ｆ）は、記憶部（１ｅ）を参照して、仮想マシン（１ａ）の優先度よりも低い優先度である仮想マシン（１ｂ，１ｃ，１ｄ）のうちから仮想マシン（１ｃ，１ｄ）を選択する。制御部（１ｆ）は、選択された仮想マシン（１ｃ，１ｄ）に対するリソースの割当量を減少させ、減少させた割当量に対応するリソースを用いて仮想マシン（１ａ）のリソースの割当量を増加させる。

Abstract translation: 本发明加速了高优先级虚拟机的停止处理。 存储单元（1e）存储指示每个虚拟机（1a，1b，1c，1d）的优先级的信息。 控制器（1f）在虚拟机（1a，1b，1c，1d）上并行执行停止处理时，引用存储器单元（1e），并从虚拟机（1a，1b）中选择虚拟机 ，1c，1d）。 此外，控制器（1f）参考存储器单元（1e）并从虚拟机（1a）优先级低的虚拟机（1b，1c，1d）中选择虚拟机（1c，1d）。 控制器（1f）减少分配给所选择的虚拟机（1c，1d）的资源量，并且使用与减少的资源分配相对应的资源来增加分配给虚拟机（1a）的资源量。