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公开(公告)号：WO2023017670A1
公开(公告)日：2023-02-16
申请号：PCT/JP2022/023728
申请日：2022-06-14
申请人： 株式会社クリスタルシステム
发明人： 進藤 勇
摘要： [課題]赤外線の大出力化を抑止しながら大型の原料塊を適用可能とし、添加剤濃度が最適組成で均質である薄板状単結晶を、低コストでしかも連続して高精度に製造することのできる薄板状単結晶製造装置および薄板状単結晶製造方法を提供すること。 [解決手段]薄板状単結晶製造用の原料塊の上側面に対して赤外線を照射し、前記原料塊の上側面の表面を融解する赤外線照射手段と、前記赤外線照射手段にて融解され、前記原料塊の上側面の表面に得られた融液中に薄板状の種子単結晶の下側面を浸すとともに、浸した状態から前記種子単結晶を上方に引き上げる昇降手段と、前記原料塊を水平方向に移動する水平方向移動手段と、を備え、前記赤外線照射手段によって原料塊の上側面の表面に得られた融液中に、前記昇降手段を介して種子単結晶の下側面を浸すことで、浸された前記種子単結晶の下側面から単結晶の育成を開始させ、さらに前記昇降手段を介して種子単結晶を上方に引き上げると同時に、前記原料塊を、前記水平方向移動手段で水平方向に移動させることで、前記原料塊の上側面の溶融域を、水平方向に移動させながら連続的に薄板状単結晶が製造されるよう構成されている。
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公开(公告)号：WO2022168369A1
公开(公告)日：2022-08-11
申请号：PCT/JP2021/037240
申请日：2021-10-07
申请人： ＪＸ金属株式会社
摘要： 凹形状の欠陥の発生が抑制されたリン化インジウム基板、半導体エピタキシャルウエハ、リン化インジウム単結晶インゴットの製造方法及びリン化インジウム基板の製造方法を提供する。直径が１００ｍｍ以下であり、少なくとも一方の表面に、波長４０５ｎｍのレーザー光をＳ偏光にて照射し検査したとき、表面において、トポグラフィーチャンネルで検出される凹形状の欠陥が０個である、リン化インジウム基板。
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公开(公告)号：WO2022130651A1
公开(公告)日：2022-06-23
申请号：PCT/JP2021/005139
申请日：2021-02-12
申请人： 株式会社クリスタルシステム
发明人： 進藤 勇
摘要： ［課題］分解融解物質や固溶体物質の単結晶の他に調和融解物質であっても添加剤濃度が最適組成で均質であり、厚さが数百μｍ程度の薄板状の単結晶を、低コストでしかも連続して高精度に製造することのできる薄板状単結晶製造装置および薄板状単結晶製造方法を提供する。 ［解決手段］薄板状単結晶製造用原料塊の上側面に対して赤外線を照射し、前記上側面の表面を融解する赤外線照射手段と、前記赤外線照射手段にて融解され、前記上側面の表面に得られた融液中に薄板状種子単結晶の下側面を浸すとともに、浸した状態から前記薄板状種子単結晶を上方に引き上げる昇降手段と、を備え、前記赤外線照射手段によって薄板状単結晶製造用原料塊の上側面の表面に得られた融液中に、前記昇降手段を介して薄板状種子単結晶の前記下側面を浸すことで、浸された薄板状種子単結晶の前記下側面から単結晶の育成が開始され、さらに前記昇降手段を介して薄板状種子単結晶を上方に引き上げることで、連続的に薄板状単結晶が製造されるよう構成されている。
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公开(公告)号：WO2022123957A1
公开(公告)日：2022-06-16
申请号：PCT/JP2021/040259
申请日：2021-11-01
摘要： 本発明の第１態様は、メインチャンバと、引き上げチャンバと、シリコン融液と対向するように配置された熱遮蔽部材と、引き上げ中のシリコン単結晶を包囲するように熱遮蔽部材上に配置された整流筒と、引き上げ中のシリコン単結晶を取り囲むように配置され、シリコン融液に向かって延伸した部分を含む冷却筒と、冷却筒の内側に嵌合された冷却補助筒とを有し、冷却筒の延伸した部分は、シリコン融液に対面する底面を有し、冷却補助筒は、少なくとも、冷却筒の底面を囲繞した第１部分と、整流筒の上端部を囲繞した第２部分とを有するものであることを特徴とする単結晶製造装置である。これにより、従来技術に比べて炭素濃度がより低い単結晶を製造できる装置を提供することができる。
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公开(公告)号：WO2021246101A1
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：PCT/JP2021/017393
申请日：2021-05-06
申请人： 株式会社ＳＵＭＣＯ
发明人： 梅野 繁
IPC分类号： C30B15/00 , H01L21/322 , H01L21/66 , C30B29/06 , G01N21/00 , G01N21/956 , H01L22/00
摘要： 【課題】結晶欠陥密度分布が偏心していても結晶欠陥密度が規格内に収まっていることを短時間で正しく評価することが可能なシリコンウェーハの評価方法、評価システム及び製造方法を提供する。 【解決手段】本発明によるシリコンウェーハの評価方法は、ウェーハ中心を基準位置とした複数の径方向の結晶欠陥密度分布、又は少なくとも一つの径方向の結晶欠陥密度分布とウェーハの円周方向の結晶欠陥密度分布を測定して、シリコンウェーハＷの結晶欠陥密度が規格内に入っているか否かを評価する。
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公开(公告)号：WO2021243707A1
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：PCT/CN2020/094684
申请日：2020-06-05
申请人： 眉山博雅新材料有限公司
IPC分类号： C30B29/16 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B15/10 , C30B15/12 , C30B15/14 , C30B15/206 , C30B15/22 , C30B29/22 , C30B29/28 , C30B29/34
摘要： 一种晶体生长方法，对生长氧化物晶体各反应物料进行第一预处理后进行称重；对晶体生长装置的至少一个部件进行装配前处理后，将执行过第二预处理的反应物料置于所述晶体生长装置内，所述晶体生长装置的至少一个部件包括埚(214)；所述装配前处理至少包括对所述埚(214)的涂层保护、酸液泡洗、异物清洁中的一种或多种；晶体生长装置密闭后内部通入流动气体；在晶体生长过程中实时向晶体生长装置内加入反应物料补充料。
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公开(公告)号：WO2021168256A1
公开(公告)日：2021-08-26
申请号：PCT/US2021/018790
申请日：2021-02-19
摘要： An optical sensor is configured to detect a difference in emissivity between the melt and a solid ribbon on the melt, which may be silicon. The optical sensor is positioned on a same side of a crucible as a cold initializer. A difference in emissivity between the melt and the ribbon on the melt is detected using an optical sensor. This difference in emissivity can be used to determine and control a width of the ribbon.
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公开(公告)号：WO2021098347A1
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：PCT/CN2020/114331
申请日：2020-09-10
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统，属于半导体技术领域，包括真空系统、充放气系统、温度与压力控制系统、电气控制系统、冷却循环系统、称重系统和炉体，炉体上设置有坩埚杆旋转升降机构和籽晶杆升降机构，关键在于：所述炉体分隔为合成生长室（1）、投料室（19）及装料室（27），装料室（27）和投料室（19）借助插板（22）分隔，装料室（27）内设置翻转投料器，投料室（19）内设置送料管（18），送料管（18）一端对接翻转投料器，一端延伸至合成生长室（1）内的坩埚（10）内形成铟磷混合球投送结构；坩埚（10）定位在坩埚杆（16）上，籽晶杆升降机构设置在合成生长室（1）顶盖上。可将铟磷混合球（23）快速投入到覆盖有液态氧化硼的坩埚（10）中，合成后，原位提拉形成磷化铟晶体，合成速度更快，利于产业化生产。
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公开(公告)号：WO2021031142A1
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：PCT/CN2019/101698
申请日：2019-08-21
申请人： 眉山博雅新材料有限公司
摘要： 本申请公开了上提拉开放式单晶炉。所述晶体生长装置包括炉膛；所述炉膛包括炉体和炉盖；所述炉盖设置于所述炉体顶部；所述炉盖设置第一通孔；其中，所述第一通孔用于放置温场。本申请的晶体生长装置解决了传统真空炉要抽高真空再充保护气体的麻烦，也提高了设备的安全性；简化了炉体结构，各部分需要维护维修的结构都可以快速拆装，减少制造及维护成本；提高设备运行精度及稳定性；解决开放式炉膛由于热量对流对称重信号稳定性的影响等。
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公开(公告)号：WO2020255674A1
公开(公告)日：2020-12-24
申请号：PCT/JP2020/021251
申请日：2020-05-28
申请人： 株式会社SUMCO
摘要： 開示される付着物除去装置は、半導体結晶を製造するチャンバからガスを排出する排気管に付着する付着物を除去する。排気管に連通する排気口（２４ａ）を開閉する弁体（６９）と、弁体（６９）を収容し、不活性ガスが導入可能であり、排気口（２４ａ）を外部から隔離可能とする密閉カバー（６６）及び固定台（６５）と、弁体（６９）を駆動するシリンダ（６７）と、密閉カバー（６６）又は固定台（６５）を駆動するシリンダ（７３）とを有する排気口開閉手段（５１ａ）を備える。シリンダ（６７）により弁体（６９）を駆動して排気口（２４ａ）を開閉し、シリンダ（７３）により密閉カバー（６６）又は固定台（６５）を駆動して密閉カバー（６６）へ大気を導入する。
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