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公开(公告)号：WO2018026125A1
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：PCT/KR2017/007865
申请日：2017-07-21
Applicant: 에스케이실트론 주식회사
Abstract: 실시 예에 따른 도가니는 바닥부, 상기 바닥부 상에 위치하는 측부 및 상기 측부의 내면과 상기 바닥부의 내면에 서로 이격하여 배치되는 복수의 결정화 촉진제들을 포함하며, 상기 복수의 결정화 촉진제들 중 인접하는 2개의 결정화 촉진제들 간의 이격 거리는 2㎜ ~ 6㎜이다.
Abstract translation: 和
根据本实施方式的坩埚包括多个被布置为从上侧和内表面，并且，其位于底部侧，底部分的底部的内表面彼此间隔开的结晶促进剂，其特征在于 多个结晶促进剂中两个相邻结晶促进剂之间的间距为2mm至6mm
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公开(公告)号：WO2010079779A1
公开(公告)日：2010-07-15
申请号：PCT/JP2010/050028
申请日：2010-01-05
Applicant: 財団法人新産業創造研究機構 , 内野 隆司
Inventor： 内野 隆司
CPC classification number: C30B33/02 , C30B29/16 , C30B29/20 , H01S3/1636
Abstract: マグネシア（ＭｇＯ），アルミナ（Ａｌ ２ Ｏ ３ ）などのイオン性酸化物結晶中に発光性酸素空孔を導入して、紫外～可視領域の幅広い波長域における波長可変レーザーを生成するための、新規な製法技術を提供する。マグネシア（ＭｇＯ），アルミナ（Ａｌ ２ Ｏ ３ ），二酸化珪素（ＳｉＯ ２ ）や、マグネシア（ＭｇＯ）－アルミナ（Ａｌ ２ Ｏ ３ ）－二酸化珪素（ＳｉＯ ２ ）の三成分系の組成を有する酸化物結晶などのイオン性酸化物結晶に対して、１０ －３ （Ｐａ）以下の高真空・還元雰囲気下、酸化物結晶の融点より低い温度で熱処理を施すことにより、イオン性酸化物結晶中に多量の発光性酸素空孔を導入して、紫外～可視領域の幅広い波長域におけるレーザー発振酸化物結晶を生成する。
Abstract translation: 提供了一种用于通过在氧化镁（MgO）或氧化铝（Al 2 O 3）等离子氧化物的晶体中引入发光氧气孔，形成从紫外线区域到可见光区域的宽波长范围内可调谐的激光的新型制造技术。 通过将氧化镁（MgO），氧化铝（Al 2 O 3），二氧化硅（SiO 2）或氧化镁（MgO） - 氧化铝（Al 2 O 3） - 二氧化硅（SiO 2）的三组分组成的氧化物晶体进行热处理， ），在低于氧化物晶体的熔点的温度下，在10-3（Pa）以下的高真空/还原气氛下，许多发光氧气孔被引入离子氧化物晶体，激光振荡氧化物 形成从紫外线区域到可见光区域的宽波长范围的晶体。
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3.发明申请MICROFLUIDIC SYSTEMS USING SURFACE ACOUSTIC ENERGY AND METHOD OF USE THEREOF 审中-公开使用表面声能的微流体系统及其使用方法
公开(公告)号：WO2007128045A1
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：PCT/AU2007/000575
申请日：2007-05-02
Applicant: MONASH UNIVERSITY , FRIEND, James, Robert , YEO, Leslie, Yu-Ming
Inventor： FRIEND, James, Robert , YEO, Leslie, Yu-Ming
CPC classification number: G01N29/222 , B01F11/02 , B01F13/0071 , B01J19/0093 , B01J2219/00783 , B01J2219/00889 , B01J2219/00932 , B01L3/5027 , B01L2300/0816 , B01L2300/0864 , B01L2300/089 , B01L2400/0436 , B01L2400/0496 , B05B17/0607 , C01B39/02 , C01B39/54
Abstract: A microfluidic system including a piezoelectric substrate (1), a wave generation means (5) for generating a wave in the piezoelectric substrate, and a rigid secondary substrate (11) coupled to said piezoelectric substrate (1) and providing a working surface (12) for the system, the secondary substrate (11) being formed of a relatively chemically inert material, and the coupling of the piezoelectric substrate (1) with the secondary substrate (12) being provided by a fluid coupling layer (13) located between the piezoelectric substrate (1) and the secondary substrate (12) overlaying the piezoelectric substrate (1). In one application, the system may be used to synthesize zeolite nanocrystals via atomization of a liquid droplet (15).
Abstract translation: 一种微流体系统，包括压电基板（1），用于在压电基板中产生波的波发生装置（5）和耦合到所述压电基板（1）并且提供工作表面（12）的刚性二次基板 ），所述第二衬底（11）由相对化学惰性的材料形成，并且所述压电衬底（1）与所述次级衬底（12）的耦合由位于所述第二衬底（11）之间的流体耦合层（13）提供， 压电衬底（1）和覆盖压电衬底（1）的次级衬底（12）。 在一个应用中，该系统可以用于通过液滴的雾化合成沸石纳米晶体（15）。
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公开(公告)号：WO2006118177A1
公开(公告)日：2006-11-09
申请号：PCT/JP2006/308810
申请日：2006-04-27
IPC: C30B29/34
Abstract: ＲＥ Ｘ Ｓｉ ６ Ｏ １．５Ｘ＋１２ （ＲＥ：Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ、ｘ：８～１０）の組成を有する酸化物単結晶を、結晶成長方位がｃ軸方向となるようにチョクラルスキー法を用いて育成する。結晶育成時の固化率（育成結晶の重量÷投入原料の重量）を４５％未満とする。
Abstract translation: 具有RE×6×6×1.5×12×（RE：La，Ce，Pr，Nd或Sm的组成）的氧化物单晶 ，x：8〜10）通过使用Czochralski法生长，使得晶体生长取向与c轴方向一致。 晶体生长中的固化速度（生长晶体的重量/填充原料的重量）优选小于45％。
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公开(公告)号：WO2005042812A1
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：PCT/RU2004/000094
申请日：2004-03-12
Applicant: ZAGUMENNYI, Alexander Iosifovich , ZAVARTSEV, Yuri Dmitrievich , KUTOVOI, Sergei Alexandrovich
Inventor： ZAGUMENNYI, Alexander Iosifovich , ZAVARTSEV, Yuri Dmitrievich , KUTOVOI, Sergei Alexandrovich
IPC: C30B29/34
CPC classification number: C09K11/7706 , C04B35/16 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B29/34
Abstract: The inventions relate to the scintillation substances and they may be utilized in nuclear physics, medecine and oil industry for recording and measurements of X-ray, gamma -ray and alpha- ray, nondestructive testing of solid states structure, three-dimensional positron-emission tomography and X-ray computer tomography and fluorography. The scintillating substances based on a silicate comprising a lutetium (Lu) and cerium (Ce) characterised in that the compositions of substances are represented by the chemical formulae Ce x Lu 2+2y-x Si 1-y O 5+y Ce x Li q+p Lu 2-p+2y-x-z A z Si 1-y O 5+y-p Ce x Li q+p Lu 9,33-x-p-z 0,67 A z Si 6 O 26-p where A is at least one element selected from the group consisting of Gd, Sc, Y, La, Eu, Tb, x ia a value between 1x10 -4 f. units and 0.02 f. units., y is a value between 0.024 f. units and 0.09 f. units, z is a value does not exceeding 0.05 f. units, q is a value does not exceeding 0.2 f. units, p is a value does not exceeding 0.05 f. units, Ce x Li 1+q+p Lu 9-x-p-z A z Si 6 O 26-p z is a value does not exceeding 8.9 f. units. The achievable technical result is the scintillating substance having a high density, a high light yield, a low afterglow, and a low percentage loss during fabrication of scintillating elements for three-dimensional tomograph (PET).
Abstract translation: 本发明涉及闪烁物质，它们可用于核物理学，医药和石油工业，用于记录和测量X射线，γ射线和α射线，固态结构的无损检测，三维正电子发射 断层扫描和X线计算机断层扫描和荧光成像。 基于包含镥（Lu）和铈（Ce）的硅酸盐的闪烁物质，其特征在于物质的组成由化学式CexLu2 + 2y-xSi1-yO5 + yCexLiq + pLu2-p + 2y-x- zAzSi1-yO5 + yp CexLiq + pLu9,33-xpz 0,67AzSi6O26-p其中A是选自Gd，Sc，Y，La，Eu，Tb，xia中的至少一种元素， 4> F。 单位和0.02 f。 单位，y是0.024f之间的值。 单位和0.09 f。 单位，z是不超过0.05 f的值。 单位，q值不超过0.2 f。 单位，p是不超过0.05 f的值。 单位，CexLi1 + q + pLu9-x-p-zAzSi6O26-pz的值不超过8.9 f。 单位。 可实现的技术结果是用于三维断层摄影（PET）的闪烁元件的制造中具有高密度，高光收率，低余辉和低百分比损失的闪烁物质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2017188727A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/KR2017/004444
申请日：2017-04-26
Applicant: 주식회사 지엔티엔에스
Abstract: 본 발명은 건축자재로 사용되는 점토벽돌 중 생산과정에서 불량으로 폐기되는 점토벽돌이나 시공 후 오래되어 폐기되는 점토벽돌을 이용하여 토양 및 수질 정화제로 이용 가능한 제올라이트 타입의 건축폐기물을 이용한 고순도 합성 제올라이트 대량생산 방법에 관한 것으로 본 발명은 기존 합성제올라이트 제조방법에서 필수적으로 요구되는 CaO 용출제거 공정을 필요로 하지 않아 고순도로 대량생산할 수 있은 효과를 갖는다.
Abstract translation:
使用砖要被丢弃的粘土粘土作为土壤和水的清洗剂中使用的沸石型的本发明是结构粘土砖后长或丢弃在用于建材砖的制造方法中有缺陷的 本发明涉及一种高纯度的合成沸石量产方法，使用建筑废料已能产生高纯度大量不需要的效果的CaO溶解去除工艺本质上需要在沸石制造方法中的常规合成。
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7.发明申请METHOD OF MAKING A SINGLE CRYSTAL WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT, SINGLE CRYSTAL WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT, AND LIGHT SOURCE CONTAINING SAME 审中-公开制造单晶波长转换元件，单晶波长转换元件和含有其的光源的方法
公开(公告)号：WO2016182758A1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：PCT/US2016/029896
申请日：2016-04-28
Applicant: OSRAM SYLVANIA INC.
Inventor： KELSO, John , PIQUETTE, Alan , JOHNSTON, David
CPC classification number: C30B29/28 , C04B35/16 , C04B35/44 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/587 , C04B35/597 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/6021 , C04B2235/6022 , C04B2235/6025 , C04B2235/6027 , C04B2235/604 , C04B2235/6582 , C04B2235/764 , C09K11/7721 , C09K11/7774 , C30B1/02 , C30B29/34 , C30B29/38 , C30B29/406 , H01L33/502 , H01L2933/0041
Abstract: There is herein described a method of making a single crystal wavelength conversion element from a polycrystalline wavelength conversion element, a single crystal wavelength conversion element, and a light source containing same. By making the single crystal wavelength conversion element from a polycrystalline wavelength conversion element, the method provides greater flexibility in creating single crystal wavelength conversion elements as compared to melt grown methods for forming single crystals. Advantages may include higher activator contents, forming more complex shapes without machining, providing a wider range of possible activator gradients and higher growth rates at lower temperatures.
Abstract translation: 这里描述了从多晶波长转换元件，单晶波长转换元件和含有它们的光源制造单晶波长转换元件的方法。 通过从多晶波长转换元件制造单晶波长转换元件，与用于形成单晶的熔融生长方法相比，该方法提供了产生单晶波长转换元件更大的灵活性。 优点可以包括更高的活化剂含量，形成更复杂的形状而不加工，提供更宽范围的可能的活化剂梯度和较高的生长速率在较低的温度。
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公开(公告)号：WO2015157957A1
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：PCT/CN2014/075562
申请日：2014-04-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L21/02082 , B08B3/12 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D11/0047 , C11D11/007 , H01L21/02052
Abstract: 本发明公开了一种对硅酸镓镧晶片进行清洗的方法，包括如下步骤：使用由磷酸、双氧水以及去离子水组成的清洗液对硅酸镓镧晶片进行兆声清洗；对清洗后的硅酸镓镧晶片进行漂净并甩干；使用由氨水、双氧水以及去离子水组成的清洗液对硅酸镓镧晶片进行兆声清洗；对清洗后的硅酸镓镧晶片漂净并甩干；将漂净甩干后的晶片放入烘箱中烘干。利用本发明，压缩酸性清洗流程的时间并延长碱性清洗流程的时间，同时利用更为有效的兆声清洗替代传统的超声清洗，解决了切割处理后硅酸镓镧晶片的清洗问题，提高了硅酸镓镧晶片表面的清洁度，取得了较好的清洗效果。
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公开(公告)号：WO2015081706A1
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：PCT/CN2014/082997
申请日：2014-07-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
CPC classification number: C30B29/34 , C30B15/20 , C30B15/206
Abstract: 本发明公开了一种硅酸铝镓钽钙压电晶体及其制备方法。所述晶体的化学通式为Ca 3 TaAl (3-x) Ga x Si 2 O 14 ，其中，0.3＜x＜2.5；所述晶体具有与硅酸镓镧晶体相同的晶体结构，属空间群P321、点群32。本发明采用提拉生长法制备所述晶体。本发明所提供的硅酸铝镓钽钙压电晶体兼具优异的压电性能、良好的结晶性能、成本较低廉、易于生长大尺寸晶体等优点，有利于晶体的广泛实用化，有望获得大规模工业化应用。
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10.发明申请
公开(公告)号：WO9961686A9
公开(公告)日：2000-02-10
申请号：PCT/RU9900168
申请日：1999-05-21
Applicant: TOVARISCHESTVO S OGRANICHENNOI , ALENKOV VLADIMIR VLADIMIROVICH , BOUZANOV OLEG ALEXEEVICH , GRITSENKO ALEXANDR BORISOVICH
Abstract: The present invention pertains to the chemical techniques used in the field of oxide-based composite materials for growing piezo-electric monocrystals that essentially consist of lanthanum and gallium silicate La3Ga5SiO14. The lanthanum and gallium silicate crystals are grown according to the Chokhralskiy method on a seed crystal having an orientation of , , and . The melt mixture is obtained in two steps according to a method of high-temperature self-propagating synthesis.
Abstract translation: 本发明涉及用于生长基本上由镧和硅酸镓La3Ga5SiO14组成的压电单晶的氧化物基复合材料领域中的化学技术。 镧和硅酸镓晶体根据Chokhralskiy方法在具有取向为＆lt; 01.1＆gt;，＆lt; 02＆gt;，＆lt; 02＆gt;和＆lt; 03.2＆gt;的晶种上生长。 根据高温自蔓延合成的方法，分两步获得熔融混合物。
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