公开(公告)号：WO2021045759A1

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：PCT/US2019/049667

申请日：2019-09-05

Applicant: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.

Inventor： HSIEH, Hsing-Hung ,  WU, Kuan-Ting ,  LIAO, Super

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: A semiconductor composite layer can include a source electrode and a drain electrode individually comprising both a carrier mobility contributor and an amorphous phase stabilizer. The semiconductor composite layer can further include a semiconductive portion disposed between the source electrode and the drain electrode wherein the semiconductive portion comprises the carrier mobility contributor and the amorphous phase stabilizer, the semiconductivity controller comprising oxygen and an element having an electrode potential that is lower than that of both the carrier mobility contributor and the amorphous phase stabilizer.

公开(公告)号：WO2021255286A1

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：PCT/EP2021/066714

申请日：2021-06-18

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  UNIVERSITE GRENOBLE ALPES ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

Inventor： BONVALOT, Marceline ,  VALLEE, Christophe ,  YEGHOYAN, Taguhi ,  POSSEME, Nicolas

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/31111

Abstract: Procédé réalisation d'une couche sur certaines surfaces seulement d'une structure L'invention porte notamment sur un procédé de réalisation d'une couche recouvrant des premières surfaces (110) d'une structure (100) et laissant à découvert des deuxièmes surfaces (120), le procédé comprenant au moins: • · une séquence de formation d'une couche initiale (200) par dépôt par PEALD, la séquence comportant des cycles (1) comprenant chacun au moins: • - une injection (10) d'un premier précurseur dans une chambre de réaction, • - une injection (30) d'un deuxième précurseur dans la chambre de réaction et la formation dans la chambre de réaction d'un plasma. Les cycles sont effectués à une température Tcycle telle que Tcycle (Tmin - 20°C), Tmin étant la température minimale d'une fenêtre nominale (FT) de températures pour un dépôt PEALD. Le procédé comprend au moins une étape d'exposition de la couche initiale (200) à un plasma, dit plasma de densification (32, 32B, 60), configuré de sorte que l'exposition au flux (33) d'ions du plasma de densification (32, 32B, 60) rend le matériau reposant sur les premières surfaces (110) plus résistant à la gravure que le matériau reposant sur les deuxièmes surfaces (120). Le procédé comprend également une étape de gravure sélective de sorte que la couche initiale (200) recouvre les premières surfaces (110) de la face avant (101) de la structure (100) en laissant à découvert les deuxièmes surfaces (120).