公开(公告)号：WO2023077772A1

公开(公告)日：2023-05-11

申请号：PCT/CN2022/093351

申请日：2022-05-17

Applicant: 西安隆基乐叶光伏科技有限公司

Inventor： 张东威

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0224

Abstract: 本申请公开了一种太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池包括：P型硅基体，P型硅基体具有正面和背面，背面为光面结构，且背面从上至下依次设置有隧穿氧化硅层、磷掺杂的多晶硅层、第一钝化层和背面电极，背面电极和磷掺杂的多晶硅层接触；正面为绒面结构，正面从下至上依次设置有第二钝化层和正面电极，正面电极与P型硅基体接触，且正面电极与P型硅基体的区域形成有P+层。本申请公开的太阳能电池结构具有较高的开路电压和电池效率，并且其工艺简单，适合大规模量产。

公开(公告)号：WO2023065715A1

公开(公告)日：2023-04-27

申请号：PCT/CN2022/102387

申请日：2022-06-29

Applicant: 通威太阳能（眉山）有限公司

Inventor： 周公庆 ,  侯锟 ,  谈仕祥 ,  袁桃生

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

Abstract: 本公开提供了一种N型单晶硅双面太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池领域。制备方法包括以下步骤：S1、双面制绒，获得正背面分别呈第一绒面结构的N型单晶硅，S2、背面磷扩散掺杂形成背表面场。S3、去除正背面绕镀及PSG，于背表面场的表面形成用于保护背面的第一绒面结构的掩膜，在N型单晶硅的正面制得第二绒面结构。S4、正面硼扩散掺杂形成正面掺杂发射结层。S5、去除掩膜及正背面绕镀和BSG后，在正面掺杂发射结层的表面沉积钝化减反射层，于背表面场的表面沉积钝化层。S6、制备正面电极、背面电极。该制备方法制作步骤简单，有效降低生产成本，且提升制得的N型单晶硅双面太阳电池的量子转换效率。

公开(公告)号：WO2022211729A1

公开(公告)日：2022-10-06

申请号：PCT/SG2022/050169

申请日：2022-03-28

Applicant: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE

Inventor： PADHAMNATH, Pradeep ,  DUTTAGUPTA, Shubham

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18

Abstract: A surface treatment method for forming a passivated contact of a solar cell 100 is described. In an embodiment, the solar cell 100 comprises a silicon layer 102 having a textured surface, and the method comprises: (i) etching a portion of the silicon layer 102 using a first etchant to reduce surface protrusions of the textured surface and to provide an intermediate surface of the silicon layer 102; and (ii) etching the intermediate surface of the silicon layer 102 using a second etchant to form a treated surface of the silicon layer 102 having a desired roughness for forming the passivated contact of the solar cell, the second etchant having a slower etching rate on silicon than that of the first etchant.

公开(公告)号：WO2022164116A1

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：PCT/KR2022/000967

申请日：2022-01-19

Applicant: 엘지전자 주식회사

Inventor： 이경수 ,  심구환 ,  정일형

IPC: H01L31/0328 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 제조 방법은 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광전 변환층, 상기 광전 변환층의 일측에 위치하는 제1 전달층, 그리고 상기 광전 변환층의 타측에 위치하는 제2 전달층을 포함하는 제1 광전 변환부를 형성하는 단계; 및 상기 제1 광전 변환부의 일면에서 상기 제1 광전 변환부에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 상기 제1 광전 변환부의 타면에서 상기 제1 광전 변환부에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 형성하는, 전극 형성 단계를 포함하고, 상기 제1 광전 변환부를 형성 단계는, 상기 페로브스카이트 화합물을 이루는 제1 물질로 제1 성막을 형성하는 단계; 상기 제1 성막 위에 상기 페로브스카이트 화합물을 이루는 제2 물질로 스프레이 코팅하여 제2 성막을 형성하는 단계; 1차 열처리하여 상기 제1 성막 및 상기 제2 성막을 확산하여 상기 페로브스카이트 화합물을 형성하는 단계; 및 상기 페로브스카이트 화합물 위에 잔류하는 상기 제2 성막의 일부를 제거하는 세정을 수행하는 단계를 포함한다. 따라서, 페로브스카이트 화합물의 결정 크기를 균일하고 크게 형성할 수 있어 우수한 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광전 변환부를 두껍게 형성하여 광전 효율을 향상시키면서도 적층 방향으로 균일하게 페로브스카이트 화합물 조성이 유지될 수 있다.

公开(公告)号：WO2022142943A1

公开(公告)日：2022-07-07

申请号：PCT/CN2021/134041

申请日：2021-11-29

Applicant: 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司

Inventor： 丁超 ,  童洪波 ,  李华 ,  刘继宇

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/028 ,  H01L31/042

Abstract: 本申请提供制绒方法、设备、单晶硅片及单晶硅太阳电池，涉及光伏技术领域。方法如下：对单晶硅片碱制绒；对碱制绒后的单晶硅片第一次酸洗；对第一次酸洗后的单晶硅片采用制绒溶液进行金属离子辅助制绒，以在金字塔绒面上形成纳米孔洞；制绒溶液中金属离子的含量为0.0001-0.001mol/L；对金属离子辅助制绒后的单晶硅片第一次脱金属处理；对第一次脱金属后的单晶硅片第二次酸洗；采用修饰液，对第二次酸洗后的单晶硅片进行修饰，以对纳米孔洞扩孔；采用含有臭氧的水鼓泡的方式，对扩孔后的单晶硅片进行第二次脱金属。金属离子浓度较小，形成的纳米孔洞尺寸小，反射率低。鼓泡产生震动，臭氧与金属离子发生化学反应，金属离子在孔洞内残留少，复合少，发电效率高。

公开(公告)号：WO2022074346A1

公开(公告)日：2022-04-14

申请号：PCT/FR2021/051752

申请日：2021-10-08

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE

Inventor： MIMOUN, Emmanuel ,  SCHIAVONI, Michele ,  GAYOUT, Patrick

IPC: C03C19/00 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: Substrat (3) translucide à fonction verrière, adapté pour servir d'élément de couverture à une cellule photovoltaïque (2), ledit substrat (3) comprenant au moins une surface texturée (3A) destinée à être orientée vers l'extérieur d'un bâtiment et caractérisée en ce que pour toute orientation (θ; φ) de texture, la fraction de surfaces locales ayant ladite orientation (θ; φ) de texture est inférieure ou égale à 2x10-4 d'une surface d'échantillonnage donnée

公开(公告)号：WO2022068350A1

公开(公告)日：2022-04-07

申请号：PCT/CN2021/108942

申请日：2021-07-28

Applicant: 东方日升（常州）新能源有限公司

Inventor： 黄强 ,  崔艳峰 ,  谷士斌 ,  蔡涔 ,  任明冲 ,  周学谦 ,  张莹

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/20

Abstract: 一种异质结电池及其制备方法和应用。该异质结电池包括衬底(10)、第一本征非晶硅层(20)、N型掺杂非晶硅层(30)、第一透明导电氧化物层(60)、第二本征非晶硅层(40)、P型掺杂非晶硅层(50)、第二透明导电氧化物层(70)以及介电薄膜(90)，该异质结电池(100)还包括金属网(80)，金属网(80)穿透介电薄膜(90)并分别与第一透明导电氧化物层(60)以及第二透明导电氧化物层(70)固定连接，其中，金属网(80)由若干第一金属丝(8011)和若干第二金属丝(8012)组成，第一金属丝(8011)与第二金属丝(8012)垂直。

公开(公告)号：WO2022058238A1

公开(公告)日：2022-03-24

申请号：PCT/EP2021/074853

申请日：2021-09-09

Applicant: COMMISSARIAT À L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： CABAL, Raphaël ,  MARTEL, Benoît

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224

Abstract: Ce procédé comporte les étapes successives : a) prévoir une structure comprenant : - un substrat (1) à base de silicium cristallin, présentant une première surface (10) et une seconde surface (11) opposée comportant chacune une zone polie (ZP) et une zone texturée (ZT); - des premier et deuxième films d'oxyde tunnel (2a, 2b), formés respectivement sur la zone polie (ZP) des première et seconde surfaces (10, 11); - des première et deuxième couches de polysilicium (3a, 3b), formées respectivement sur les premier et deuxième films d'oxyde tunnel (2a, 2b); - des première et deuxième couches diélectriques (4a, 4b), comprenant respectivement des dopants de type p et n, formées sur les zones texturées (ZT) et respectivement sur les première et deuxième couches de polysilicium (3a, 3b); b) appliquer un traitement thermique pour diffuser les dopants de type p et n respectivement sous les première et seconde surfaces (10, 11); c) mettre en contact chacune des couches de polysilicium (3a, 3b) avec une électrode (E).

公开(公告)号：WO2022015677A2

公开(公告)日：2022-01-20

申请号：PCT/US2021/041342

申请日：2021-07-12

Applicant: ADVANSIX RESINS & CHEMICALS LLC

Inventor： ASIRVATHAM, Edward

IPC: C11D3/43 ,  C11D1/62 ,  C11D1/46 ,  C11D1/75 ,  C11D1/92 ,  C11D3/30 ,  C07C227/22 ,  C07C229/08 ,  H01L31/0236 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304 ,  C11D11/00

Abstract: Pre-texturing agents, etchants, and photoresist stripping agents may be formulated to include one or more branched surfactants, from one or more surfactant classes, such as derivatives of amino acids that have surface-active properties.

公开(公告)号：WO2021225383A1

公开(公告)日：2021-11-11

申请号：PCT/KR2021/005673

申请日：2021-05-06

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 이광희 ,  강홍규 ,  장수영 ,  김석 ,  박현민 ,  이종훈

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

Abstract: 본 발명의 일실시예는 광활성층 상에 위치하되, 전도성 고분자층을 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 전도성 고분자층의 표면에 이온성 액체가 접촉되어 후처리되고, 상기 후처리에 의해 상기 전도성 고분자층의 상부 영역에서만 이온 교환 반응이 일어나서, 상기 이온 교환 반응에 의해 생성된 이온쌍이 상기 광활성층으로 침투되지 않는 것을 특징으로 하는 태양전지용 상부전극을 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 태양전지용 상부 전극은 겔화(gelation)되지 않아서 전극으로서의 성능을 향상시킬 수 있고, 전극하부에 위치하는 광활성층을 산화시키지 않아서 상부 전극으로 사용이 가능하며 이를 적용한 태양전지의 성능을 향상시킬 수 있다.