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公开(公告)号：WO2023090001A1
公开(公告)日：2023-05-25
申请号：PCT/JP2022/038180
申请日：2022-10-13
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Abstract: 学習モデルを適用して、駐車区画規定矩形（ポリゴン）や、駐車区画入口方向、駐車区画の空き状態を推定する。車両に搭載した前後左右各カメラの撮影画像を合成して生成した上面画像を解析し、画像内の駐車区画の解析処理を実行する。駐車区画解析部は学習モデルを利用して画像内の駐車区画領域を示す駐車区画規定矩形（ポリゴン）の頂点や、駐車区画の入口方向を推定する。さらに駐車区画が空き駐車区画であるか、駐車車両の存在する占有駐車区画であるかを推定する。駐車区画解析部は、学習モデルとしてＣｅｎｔｅｒＮｅｔを利用して区画中心や駐車区画規定矩形（ポリゴン）の頂点の推定処理等を実行する。
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公开(公告)号：WO2023085190A1
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：PCT/JP2022/041036
申请日：2022-11-02
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventor： 平野 貴裕
IPC: G06T7/00
Abstract: 本開示に係る教師データ生成方法は、コンピュータが実行する教師データ生成方法であって、画像（Ｐａ）から抽出される特徴マップ（Ｆｍ）上に配置されるデフォルトボックス（Ｄｂ）および画像における物体に付与されるラベルデータ（Ｌｄ）に対して形状変換を行い、形状変換後のデフォルトボックス（Ｄｂ´）とラベルデータ（Ｌｄ´）とのマッチングによって、画像（Ｐａ）のグランドトゥルースにするデフォルトボックスを決定して教師データを生成することを含む。
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公开(公告)号：WO2023085024A1
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：PCT/JP2022/038980
申请日：2022-10-19
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Abstract: 位相ベース方式による測距結果に基づく測位、又は通信装置を用いた測距についての精度向上を図る。 本技術に係る情報処理装置は、選択された通信装置との間で位相ベース方式による測距のための通信処理を行って得られる測距又は測位についての信頼度情報に基づいて、測位に用いる通信装置の再選択を要するか否かの判定、又は位相ベース方式とは別方式による測距を行うか否かの判定を行う判定処理部を備えたものである。
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公开(公告)号：WO2023080000A1
公开(公告)日：2023-05-11
申请号：PCT/JP2022/039463
申请日：2022-10-24
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventor： 笠嶋 俊介
IPC: H01L27/146 , H04N25/585 , H04N25/70
Abstract: 本技術は、異なる大きさの画素を効率よく配置することができるようにする撮像素子、電子機器に関する。 光量に応じた電荷を生成する第１光電変換部と、第１光電変換部よりも受光面積が小さい第２光電変換部とを備え、平面視で第１光電変換部は、Ｌ字型の形状であり、第２光電変換部は、四角形状であり、第１光電変換部と第２光電変換部を組み合わせた形状は、四角形状である。本技術は、例えば、受光面積の異なる画素を配置し、それぞれの画素からの信号を処理することで、広ダイナミックレンジの画像を取得する撮像装置に適用できる。
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公开(公告)号：WO2023079840A1
公开(公告)日：2023-05-11
申请号：PCT/JP2022/034422
申请日：2022-09-14
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventor： 中嶋 義満
IPC: H01L27/146 , H04N25/585 , H04N25/67 , H04N25/70
Abstract: 本開示の一実施形態の撮像装置は、対向する第１の面および第２の面を有し、複数の単位画素が行列状に配列された画素アレイ部を有する半導体基板と、複数の単位画素のそれぞれに設けられた複数の第１の画素と、複数の単位画素のそれぞれに設けられ、複数の第１の画素よりも単位時間あたりに変換する電荷の量が小さい複数の第２の画素とを備え、複数の第２の画素のそれぞれは、平面視において、それぞれが設けられた複数の単位画素の画素アレイ部における位置に応じて、画素アレイ部の中心からの距離が等しくなるように単位画素内に配置されている。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2023074436A1
公开(公告)日：2023-05-04
申请号：PCT/JP2022/038584
申请日：2022-10-17
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventor： 泉原 邦彦
Abstract: 発光装置の消費電力を低減する。発光装置は、複数の発光素子と、複数の駆動サイリスタと、選択部と、発光電流供給部と、電流調整部とを有する。駆動サイリスタは、複数の発光素子毎に配置されて自身が導通することにより発光素子に発光電流を流して駆動する。選択部は、複数の駆動サイリスタ毎に配置されて自身が導通する際に駆動サイリスタを導通させる導通信号を出力する複数の選択サイリスタを備え、複数の選択サイリスタのうちの導通の状態となる選択サイリスタの位置を順にずらすことにより複数の駆動サイリスタを順次選択する転送期間と選択された駆動サイリスタに発光素子を駆動させる駆動期間とを交互に繰り返す。発光電流供給部は、駆動期間に選択された駆動サイリスタを介して発光素子に発光電流を供給する。電流調整部は、選択サイリスタの導通電流を供給するとともに駆動期間に選択サイリスタの導通電流を調整する。
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公开(公告)号：WO2023074382A1
公开(公告)日：2023-05-04
申请号：PCT/JP2022/038159
申请日：2022-10-13
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/146 , H04N25/771
Abstract: 本技術は、複数のトランジスタを備える半導体素子を微細化することができるようにする半導体素子、撮像素子、電子機器に関する。 直列に接続されている複数のトランジスタと、トランジスタに設けられているサイドウォールとを備え、隣接するトランジスタ間に設けられている第１のサイドウォールは、トランジスタのゲート電極の間に隙間無く設けられている。第１のサイドウォールの幅は、複数のトランジスタのソースまたはドレインに該当する領域に設けられている第２のサイドウォールの幅の２倍以下の幅である。本技術は、複数のトランジスタを備える半導体素子や、そのような半導体素子を備える撮像装置に適用できる。
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公开(公告)号：WO2023074381A1
公开(公告)日：2023-05-04
申请号：PCT/JP2022/038158
申请日：2022-10-13
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventor： 朝山 忍
IPC: H01L27/146 , H04N25/771
Abstract: 本技術は、変換効率の切り替えを行える画素を微細化することができるようにする撮像素子、電子機器に関する。 光を電荷に変換する光電変換部と、電荷を一時的に蓄積する複数の蓄積部と、蓄積部に電荷を転送する複数の転送トランジスタとを備え、複数の転送トランジスタのうちの少なくとも１つの転送トランジスタは、ソースとドレインが設けられている領域とは異なる方向に位置する領域に容量領域を備える。転送トランジスタがオンのとき、容量領域に電荷が蓄積される。本技術は、変換効率切替用の蓄積部を有する撮像素子に適用できる。
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公开(公告)号：WO2023074233A1
公开(公告)日：2023-05-04
申请号：PCT/JP2022/036110
申请日：2022-09-28
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventor： 畑野 啓介
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/146
Abstract: 内部電極と基板シリコンとの間に発生する寄生容量を低減することにより、高周波信号の波形歪や信号遅延を抑制し、高速動作を可能としたチップサイズパッケージ型の固体撮像装置を可能とする半導体装置及びその製造方法並びに電子機器を提供する。 基板シリコンと、基板シリコンに積層されたシリコン酸化膜と、シリコン酸化膜に積層された内部電極を有する配線層間膜と、基板シリコンからシリコン酸化膜に達する大径孔、及びシリコン酸化膜から内部電極に達する小径孔と、により段付き穴を形成する貫通孔と、大径孔の周側面及び基板シリコンに積層された層間絶縁膜と、貫通孔の内周面及び層間絶縁膜に形成され、内部電極に接続された再配線と、を有する構成とした。
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公开(公告)号：WO2023074168A1
公开(公告)日：2023-05-04
申请号：PCT/JP2022/034421
申请日：2022-09-14
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventor： 町田 貴志
IPC: H04N25/77 , H01L27/146
Abstract: 本開示の一実施形態の撮像装置は、受光量に応じた電荷を光電変換により生成する１または複数の受光画素と、１または複数の受光画素それぞれから読み出されたアナログ信号をデジタル信号に変換する、受光画素毎に設けられた１または複数のアナログデジタル変換回路と、１または複数受光画素および１または複数のアナログデジタル変換回路をそれぞれ含む複数の画素ユニットとを備えたものであり、複数の画素ユニットは、第１の方向に隣り合う２つの画素ユニットにおいて１または複数の受光画素が隣接するように配置されている。
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