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    PROCESS FOR PREPARING SILICON-CONTAINING COMPOSITE PARTICLES
    3.
    发明申请
    PROCESS FOR PREPARING SILICON-CONTAINING COMPOSITE PARTICLES 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022084545A1

    公开(公告)日：2022-04-28

    申请号：PCT/EP2021/079421

    申请日：2021-10-22

    Applicant: WACKER CHEMIE AG ,  NEXEON LIMITED

    Inventor： TILLMAN, Jan ,  DRÄGER, Christoph ,  KALYAKINA, Alena ,  KNEISSL, Sebastian ,  RENNER, Thomas ,  TAYLOR, Richard Gregory ,  MEDRANO-CATALAN, José ,  ANDERSSON, Markus ,  MASON, Charles A. ,  WHITTAM, Joshua

    IPC: C01B33/021 ,  C23C16/24 ,  H01M4/134

    Abstract: In a first aspect, the invention provides a process for preparing silicon-containing composite particles, the process comprising the steps of: (a) providing a plurality of porous particles comprising micropores and/or mesopores, wherein: (i) the D50 particle diameter of the porous particles is in the range from 0.5 to 200 µm; (ii) the total pore volume of micropores and mesopores as measured by gas adsorption is in the range from 0.4 to 2.2 cm3/g; (iii) the PD50 pore diameter as measured by gas adsorption is no more than 30 nm; (b) combining a charge of the porous particles with a charge of a silicon-containing precursor in a batch pressure reactor, wherein the charge of the porous particles has a volume of at least 20 cm3 per litre of reactor volume (cm3/LRV), preferably at least 200 cm3 per litre of reactor volume (cm3/LRV), and wherein the charge of the silicon-containing precursor comprises at least 2 g of silicon per litre of reactor volume (g/LRV); and (c) heating the reactor to a temperature effective to cause deposition of silicon in the pores of the porous particles, thereby providing the silicon-containing composite particles.

    一种超高深宽比的硅纳米针阵列的制备方法
    5.
    发明申请
    一种超高深宽比的硅纳米针阵列的制备方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021083080A1

    公开(公告)日：2021-05-06

    申请号：PCT/CN2020/123710

    申请日：2020-10-26

    Applicant: 南京大学

    Inventor： 涂学凑 ,  孟庆雨 ,  刘梦欣 ,  康琳 ,  张蜡宝 ,  贾小氢 ,  赵清源 ,  陈健 ,  吴培亨

    IPC: C01B33/021 ,  C23C14/02 ,  C23C14/16

    Abstract: 提供一种超高深宽比的硅纳米针阵列的制备方法。该方法包括：在硅衬底上旋涂MMA和PMMA A2双层光刻胶；对涂覆MMA和PMMA A2双层光刻胶的硅衬底进行电子束曝光，在硅衬底上制作抗蚀剂图形；对形成抗蚀剂图形的硅衬底进行电子束蒸发，在硅衬底上沉积一层Al薄膜；对沉积Al薄膜后的硅衬底进行剥离，得到沉积在硅衬底上的Al薄膜阵列，为后续ICP刻蚀工艺提供掩膜；对覆盖Al掩膜的硅衬底进行ICP硅刻蚀，制作硅纳米针阵列结构。通过该方法能够稳定地获得超高深宽比的硅纳米针阵列结构，单个硅纳米针形态良好，侧壁光滑，最小针尖直径达到10nm，深宽比可达1450。

    微粒子の製造装置および微粒子の製造方法
    6.
    发明申请
    微粒子の製造装置および微粒子の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020246551A1

    公开(公告)日：2020-12-10

    申请号：PCT/JP2020/022164

    申请日：2020-06-04

    Applicant: 国立大学法人金沢大学 ,  株式会社日清製粉グループ本社

    Inventor： 田中　康規 ,  兒玉　直人 ,  隠田　一輝 ,  渡邉　周 ,  中村　圭太郎 ,  末安　志織

    IPC: B22F9/12 ,  C01B33/021 ,  H05H1/42 ,  B01J19/08

    Abstract: 微粒子の粒径を制御でき、かつ粒径の均一性が良好な微粒子を、効率よく大量に製造できる微粒子の製造装置および微粒子の製造方法を提供する。微粒子製造用の原料を熱プラズマ炎中に供給する原料供給部と、内部に熱プラズマ炎が発生され、原料供給部により供給される原料を熱プラズマ炎にて蒸発させて気相状態の混合物とするプラズマトーチと、プラズマトーチの内部に熱プラズマ炎を発生させるプラズマ発生部とを有する。プラズマ発生部はプラズマトーチの周囲を囲む第１のコイルと、第１のコイルの下方にプラズマトーチの長手方向に並んで設置されプラズマトーチの周囲を囲む第２のコイルと、第１のコイルに振幅変調した第１の高周波電流を供給する第１の電源部と、第２のコイルに振幅変調した第２の高周波電流を供給する第２の電源部とを有する。第１の高周波電流の変調度合いは第２の高周波電流の変調度合いよりも小さい。

    微粒子の製造方法、及び微粒子の製造装置
    7.
    发明申请
    微粒子の製造方法、及び微粒子の製造装置 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019216343A1

    公开(公告)日：2019-11-14

    申请号：PCT/JP2019/018403

    申请日：2019-05-08

    Applicant: 株式会社日清製粉グループ本社

    Inventor： 田中　康規 ,  兒玉　直人 ,  石坂　洋輔 ,  渡邉　周 ,  中村　圭太郎 ,  末安　志織

    IPC: B01J19/08 ,  B22F9/14 ,  C01B33/021 ,  H05H1/30 ,  H05H1/46

    Abstract: 良好な粒度分布が得られるように微粒子を製造することが可能な微粒子の製造方法及び製造装置を提供する。　微粒子製造用の原料を変調誘導熱プラズマ炎中に間歇的に供給し、原料を蒸発させて気相状態の混合物とし、混合物を冷却して前記微粒子を製造する微粒子の製造方法において、熱プラズマ炎として、温度状態が時間変調された変調誘導熱プラズマ炎を発生させ、変調誘導熱プラズマ炎を周期的に高温状態と、高温状態よりも温度が低い低温状態とにさせ、変調誘導熱プラズマ炎が高温状態である間に、原料をキャリアガスとともに供給し、変調誘導熱プラズマ炎が低温状態である間に、原料の供給を停止し、キャリアガスと同じ種類のガスを供給する。

    一种硅液造粒成型系统及方法
    9.
    发明申请
    一种硅液造粒成型系统及方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018103710A1

    公开(公告)日：2018-06-14

    申请号：PCT/CN2017/115078

    申请日：2017-12-07

    Applicant: 成都斯力康科技股份有限公司

    Inventor： 羊实 ,  周旭

    IPC: C01B33/021

    Abstract: 一种硅液造粒成型系统及方法，是一种新的硅水成型系统，包括硅液中转装置，在硅液中转装置下方设置有冷却系统、以及与冷却系统相匹配的提升系统，硅液中转装置将熔炼以后的硅液进行中转并移动至冷却系统上方，将硅液按照设定的流量均匀地放入冷却系统中，凝固形成硅丸，然后利用提升系统将成型的硅丸提取出来，解决了现有技术中因倾倒导致的硅块成型不规则、大小不一致的问题，容器底（27）和导流管（23）设置为可拆卸的结构，作为易损件，可以快速的拆卸安装更换新的容器底（27）和导流管（23），不影响生产。

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