屏蔽膜、屏蔽膜的制备方法及线缆

    公开(公告)号:WO2022104933A1

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:PCT/CN2020/133754

    申请日:2020-12-04

    Inventor: 杨天纬

    Abstract: 本申请提供了一种屏蔽膜、屏蔽膜的制备方法及线缆,可以在提高线缆屏蔽率的同时,提高线缆的生产效率。该屏蔽膜包括:载体层、第一屏蔽层以及第二屏蔽层;所述载体层包括目标载体以及填充至所述目标载体中的金属粒子和炭粒子,用于屏蔽电磁干扰;所述第一屏蔽层以及所述第二屏蔽层均附着于所述载体层,且所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层相对于所述载体层呈对称设置;所述第一屏蔽层以及所述第二屏蔽层由所述金属粒子和所述炭粒子组成,用于屏蔽电磁干扰以及强化所述目标载体。

    導電性粒子、導電材料及び接続構造体

    公开(公告)号:WO2022092188A1

    公开(公告)日:2022-05-05

    申请号:PCT/JP2021/039787

    申请日:2021-10-28

    Abstract: 導通信頼性を高め、かつ、絶縁信頼性を高めることができる導電性粒子を提供する。 本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、導電性粒子を圧縮したときに、以下の構成A、B、C及びDのうち少なくとも一つの構成を満たす。 構成A:10%圧縮したときの電圧変化率の、20%圧縮したときの電圧変化率に対する比が、0.35以下である 構成B:10%圧縮したときの電圧変化率の、30%圧縮したときの電圧変化率に対する比が、0.25以下である 構成C:10%圧縮したときの電圧変化率の、40%圧縮したときの電圧変化率に対する比が、0.25以下である 構成D:10%圧縮したときの電圧変化率の、50%圧縮したときの電圧変化率に対する比が、0.25以下である。

    異方性導電フィルム
    5.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2022091906A1

    公开(公告)日:2022-05-05

    申请号:PCT/JP2021/038755

    申请日:2021-10-20

    Abstract: 異方性導電フィルムは、基材フィルム、バインダー樹脂層に導電粒子が保持されている導電粒子含有層、及び絶縁性樹脂層がこの順で積層されている構造を有し、絶縁性樹脂層は、70℃以上110℃以下のガラス転移温度を有するポリビニルアセタール樹脂を含有している。ポリビニルアセタール樹脂のアセタール化度は、60モル%以上80モル%以下であり、水酸基量は20モル%以上40モル%以下であり、アセチル基量は10モル%以下である。

    セラミック構造体
    6.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2022024906A1

    公开(公告)日:2022-02-03

    申请号:PCT/JP2021/027273

    申请日:2021-07-21

    Inventor: 浜島 浩

    Abstract: 本開示に係るセラミック構造体は、炭化珪素、炭窒化珪素、炭化チタンまたは炭窒化チタンを主成分として含有し、第1主面と、第1主面と対向する第2主面とを有し、電子線マイクロアナライザーによる元素マッピングから求められる炭素濃度が、第2主面よりも第1主面の方が高い。

    金属充填微細構造体、金属充填微細構造体の製造方法及び構造体

    公开(公告)号:WO2021171808A1

    公开(公告)日:2021-09-02

    申请号:PCT/JP2021/000775

    申请日:2021-01-13

    Inventor: 糟谷 雄一

    Abstract: 複数の細孔への金属充填に際し、複数の細孔への金属の充填欠陥を抑制し、充填された金属で構成される導電体の構造欠陥を抑制した金属充填微細構造体、金属充填微細構造体の製造方法及び構造体を提供する。金属充填微細構造体は、絶縁膜と、絶縁膜の厚み方向に貫通して設けられた、複数の針状の導通体とを有する。複数の導通体は、それぞれ本体部と、導通体の少なくとも一方の先端に設けられた第1領域部と、本体部と第1領域部との間に設けられた第2領域部とを有し、第1領域部は第1金属を含み、第2領域部は第2金属を含み、本体部は第3金属を含んでいる。第1領域部は第1金属を第2領域部よりも多く含み、第1金属は第2金属よりもイオン化傾向が大きい。

    導電性粒子、その製造方法及びそれを含む導電性材料

    公开(公告)号:WO2021095803A1

    公开(公告)日:2021-05-20

    申请号:PCT/JP2020/042255

    申请日:2020-11-12

    Inventor: 田杉 直也

    Abstract: 芯材粒子の表面に導電層が形成されてなる導電性粒子において、前記導電性粒子の圧縮硬さの最高値が24000N/mm2以上であり、かつ、圧縮率5%未満で圧縮硬さが最高値を示し、圧縮率20%以上50%以下における圧縮硬さの平均値が5000~18000N/mm2であって、圧縮率20%以上50%以下における圧縮硬さの平均値に対する、圧縮硬さの最高値の比が1.5以上10以下である導電性粒子。

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