公开(公告)号：WO2023029465A1

公开(公告)日：2023-03-09

申请号：PCT/CN2022/084144

申请日：2022-03-30

Applicant: 湖北中烟工业有限责任公司

Inventor： 刘华臣 ,  谭健 ,  吴聪 ,  唐良颖 ,  黄婷

IPC: C01B33/06 ,  C04B35/10 ,  C04B35/48 ,  C04B35/565 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  H05B3/02 ,  H05B3/12 ,  A24F40/46

Abstract: 本发明属于新型烟草技术领域，具体涉及一种发热元件及其制备方法。该发热元件包括发热体和设置在所述发热体内部的绝缘填充物；其中，所述发热体由金属硅化物及非导电陶瓷制成，所述金属硅化物与非导电陶瓷的质量之比为:0.1:1~5:1。本发明解决了发热组件在生产过程中发热性能波动差异大的问题，大幅提高成品率；同时通过本发明的方法制备的发热元件具有较优的弯曲强度和断裂韧性，从而提高发热元件的使用寿命。

公开(公告)号：WO2023283471A1

公开(公告)日：2023-01-12

申请号：PCT/US2022/036595

申请日：2022-07-09

Applicant: PALLIDUS, INC.

Inventor： HANSEN, Darren ,  DUKES, Douglas ,  LOBODA, Mark ,  LAND, Mark ,  ROJO, Juan, Carlos ,  TORRES, Victor

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/524 ,  C04B35/571 ,  C01B32/956 ,  B28B11/24 ,  B01J2/06

Abstract: A doped SiOC liquid starting material provides a p-type polymer derived ceramic SiC crystalline materials, including boules and wafers. P-type SiC electronic devices. Low resistivity SiC crystals, wafers and boules, having phosphorous as a dopant. Polymer derived ceramic doped SiC shaped charge source materials for vapor deposition growth of doped SiC crystals.

公开(公告)号：WO2022269178A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：PCT/FR2022/051187

申请日：2022-06-20

Applicant: SAFRAN CERAMICS ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE ,  UNIVERSITE DE BORDEAUX ,  INSTITUT POLYTECHNIQUE DE BORDEAUX

Inventor： DELCAMP, Adrien ,  LEFEBVRE, Marie ,  AYMONIER, Cyril ,  BISCAY, Nicolas

IPC: C04B35/80 ,  C04B41/53 ,  C04B2235/5244 ,  C04B35/01 ,  C04B35/565 ,  C04B35/573 ,  C04B35/58 ,  C04B35/62863 ,  C04B35/62865 ,  C04B35/62873 ,  C04B35/62897 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5338

Abstract: L'invention concerne un procédé de traitement d'au moins une fibre (16) de carbure de silicium comprenant une couche superficielle comprenant du carbone et/ou un oxycarbure de silicium, le traitement comprenant au moins l'élimination de la couche superficielle de la fibre par mise en contact avec une phase d'ammoniac (22) à l'état supercritique.

公开(公告)号：WO2022202469A1

公开(公告)日：2022-09-29

申请号：PCT/JP2022/011498

申请日：2022-03-15

Applicant: 三井金属鉱業株式会社

Inventor： 武藤　雅 ,  榎本　克佳 ,  吉田　和真 ,  織田　晃祐

IPC: C01B32/956 ,  C04B35/565 ,  C30B29/36

Abstract: 炭化ケイ素粉末は、窒素元素を含む炭化ケイ素粒子の集合体である。前記粉末は、Ｘ線光電子分光分析によって最表面から深さ１２ｎｍまでの領域において測定したときに、炭素元素及びケイ素元素の合計検出強度に対する窒素元素の検出強度の比の積分値が０．０５以上である。また前記比の変化の傾きが、－０．０００８以下である。窒素を用いて測定された比表面積が５ｍ２／ｇ以上４０ｍ２／ｇ以下であることも好適である。走査型電子顕微鏡観察で測定された個数分布における５０％粒子径Ｄ５０が５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることも好適である。また本発明は、炭化ケイ素粉末の製造方法も提供する。

公开(公告)号：WO2022150184A2

公开(公告)日：2022-07-14

申请号：PCT/US2021/064417

申请日：2021-12-20

Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA

Inventor： SILVERSTEIN, Ravit ,  ZOK, Frank W. ,  LEVI, Carlos G.

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/577 ,  C04B35/80 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/614 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/788 ,  C04B35/573 ,  C04B35/62868

Abstract: A two-step synthesis of SiC including initial exposure of carbon surfaces to Si vapor, followed by Si melt infiltration, is described herein. Interrupted differential thermal analysis (DTA) of amorphous C and Si powder mixtures and microstructure characterization are used to identify the stages of the reaction. Exposure to Si vapor yields a SiC layer with nanoscale porosity driven by the volume change associated with the reaction. This forms a continuous pore network that promotes subsequent melt access to the reaction front with the C. While the pores remain open, the vapor phase reaction proceeds at a nearly-constant rate and exhibits a strong temperature sensitivity, the latter due largely to the temperature sensitivity of the Si vapor pressure. The implications for enhancing the reactive melt infiltration process and fabrication of SiC matrices for ceramic composites are discussed.

公开(公告)号：WO2021222889A2

公开(公告)日：2021-11-04

申请号：PCT/US2021/030458

申请日：2021-05-03

Applicant: WESTINGHOUSE ELECTRIC COMPANY LLC

Inventor： SIVACK, Michael R. ,  XU, Peng ,  LAHODA, Edward J.

IPC: G21C3/324 ,  C04B35/565 ,  B32B18/00 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/614 ,  C04B2235/94 ,  C04B35/80 ,  C04B41/00 ,  E30

Abstract: Channel boxes (100) for a boiling water reactor and methods of manufacture thereof are provided. The channel box comprises a substrate (102) and a first layer (104). The substrate comprises atubular shape. The substrate comprises silicon carbide fibers. The first layer is deposited on a firstsurface (102a) of the substrate and the first layer comprises a corrosion resistant metallic composition.

公开(公告)号：WO2021116410A2

公开(公告)日：2021-06-17

申请号：PCT/EP2020/085768

申请日：2020-12-11

Applicant: LIQTECH INTERNATIONAL A/S

Inventor： JØRGENSEN, Jan, Hoffmann

IPC: C04B35/111 ,  C04B38/00 ,  B01D46/24 ,  B01J35/04 ,  B01J37/03 ,  C04B35/185 ,  C04B35/46 ,  C04B35/486 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  B01J23/00 ,  B01J23/08 ,  B01J23/10 ,  B01J23/14 ,  B01J23/16 ,  C04B35/638 ,  B01J37/0217 ,  C04B2111/00793 ,  C04B2111/00801 ,  C04B2111/0081 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/6022 ,  C04B2235/6026 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/6583 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63416 ,  C04B38/0006 ,  C04B38/0032 ,  C04B38/0054 ,  C04B38/0064

Abstract: Herein is disclosed a method of producing a ceramic support suitable for a catalyst, the method comprising providing a porous ceramic structure, comprising a body portion with a monomodal macropore structure, wherein the macropores comprises a first mean pore size; washcoating the porous ceramic structure using a suspension comprising oxide and/or hydroxide nanoparticles and drying and calcinating the washcoated porous ceramic structure at a temperature below the melting point of the nanoparticles. In addition, the ceramic support and its structure is disclosed.

公开(公告)号：WO2021069722A1

公开(公告)日：2021-04-15

申请号：PCT/EP2020/078508

申请日：2020-10-09

Applicant: SGL CARBON SE

Inventor： KIENZLE, Andreas ,  SCHWENKE, Almut ,  AUST, Daniel ,  OETTINGER, Oswin

IPC: C04B35/563 ,  B28B1/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/80 ,  C04B37/00 ,  B33Y10/00

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Faserverbundbauteils umfassend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen eines kohlenstoffbasierten und/oder keramischen, z.B. siliziumcarbidbasierten Körpers, welcher mittels additiver Fertigung hergestellt worden ist, b) Anbringen eines faserhaltigen Verstärkungselements am Körper, c) Verbinden von Körper und Verstärkungselement durch Infiltration mit Silizium oder mit einer siliziumhaltigen Verbindung und falls in Schritt c) das Verbinden durch Infiltration mit einer siliziumhaltigen Verbindung erfolgt, wird in Schritt d) eine anschließende Temperaturbehandlung bei größer 400 °C durchgeführt, sowie nach dem Verfahren erhältliche keramische Faserverbundbauteile und deren Verwendung.

公开(公告)号：WO2020109715A1

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：PCT/FR2019/052807

申请日：2019-11-26

Applicant: TECHNOLOGIES AVANCEES ET MEMBRANES INDUSTRIELLES

Inventor： LESCOCHE, Philippe ,  ANQUETIL, Jérôme

IPC: C04B35/03 ,  C04B35/101 ,  C04B35/111 ,  C04B35/46 ,  C04B35/48 ,  C04B35/565 ,  C04B35/573 ,  C04B35/632 ,  C04B38/00

Abstract: La présente invention concerne un procédé de fabrication d'au moins un support inorganique monolithique poreux (1) présentant une porosité comprise entre 10% et 60% et un diamètre moyen de pores allant de 0,5 pm à 50 pm, à l'aide d'une machine de type imprimante 3D (I) pour bâtir selon un modèle 3D numérique, une structure tridimensionnelle crue manipulable (2) destinée à former après frittage le ou les supports inorganiques poreux monolithiques (1).

公开(公告)号：WO2020057096A1

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：PCT/CN2019/080546

申请日：2019-03-29

Applicant: 东北大学

Inventor： 马北越 ,  任鑫明 ,  苏畅 ,  于景坤

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 一种原位碳化硅-铁硅复合材料及其制备方法，复合材料包括原料和粘结剂，原料组分及其质量百分比为，碳化硅35～73％，碳粉5～12％和氧化铁22～53％，粘结剂添加质量为原料总质量1～5％。方法步骤为：(1)按质量百分比，将原料混合均匀，并按质量添加相应量粘结剂，使粘结剂与原料均匀混合，形成混合原料；(2)将混合原料压制成型；(3)将压制成型的生坯在干燥箱或隧道干燥窑中充分干燥；(4)将经过干燥的试样放入高温炉，并在高纯氩气保护下完成烧结，随炉冷却后制得原位碳化硅-铁硅复合材料。采用碳热还原法原位生成铁硅相，与碳化硅界面复合更好，且降低材料的烧结温度，节约能耗；并能够制成多孔碳化硅-铁硅复合材料。