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公开(公告)号：WO2023047631A1
公开(公告)日：2023-03-30
申请号：PCT/JP2022/009285
申请日：2022-03-04
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
Abstract: 画素のレイアウトを最適化する。増幅部は、電荷保持部に保持された電荷に応じた信号を生成して所定の第１の出力ノードに出力する。第１の容量素子は、第１の出力ノードに一端が接続されて第１のリセット部によるリセットの際の信号のレベルであるリセットレベルを保持する。第２の容量素子は、第１の出力ノードに一端が接続されて電荷保持部に電荷が転送された際の信号のレベルである画像信号レベルを保持する。読み出し回路は、第２の出力ノードに接続されて第１の容量素子に保持されたリセットレベル及び第２の容量素子に保持された画像信号レベルをそれぞれ読み出してリセット信号及び画像信号として出力する。
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公开(公告)号：WO2023042246A1
公开(公告)日：2023-03-23
申请号：PCT/JP2021/033683
申请日：2021-09-14
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventor： 馬 博
IPC: H04N5/374
Abstract: ［解決手段］実施形態に従った撮像素子は、光電変換部と、光電変換部の光電変換に基づく電荷を蓄積する第１容量とを、含む画素が、２次元の行列状に配列される画素領域であって、斜め方向に隣接する画素が配置される第１画素群と、第１画素群の画素と上下左右方向に隣接する画素が配置される第２画素群とを、有する画素領域と、画素領域の画素を駆動する駆動信号を生成する駆動部と、を備え、駆動部は、画素領域の第１容量の蓄積電荷に基づく信号読み出しの第１期間において、第２画素群における第１容量の蓄積電荷を初期状態に維持させる。
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公开(公告)号：WO2023286391A1
公开(公告)日：2023-01-19
申请号：PCT/JP2022/015262
申请日：2022-03-29
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
IPC: H04N5/363 , H04N5/374 , H04N5/378 , G01S7/4863 , G01S17/894
Abstract: ［課題］リセットノイズを除去可能とする。 ［解決手段］受光装置は、光電変換部と、前記光電変換部で光電変換された電荷をそれぞれ異なるタイミングで蓄積する２以上のフローティングディフュージョンと、前記２以上のフローティングディフュージョンに蓄積された電荷に基づいて、画素ごとにそれぞれ位相が異なる４種類以上の画素信号を出力する複数の画素と、前記４種類以上の画素信号の位相ごとに、前記画素信号のリセットレベルに応じたデジタル信号と画素信号レベルに応じたデジタル信号とを、フレーム単位で出力するＡＤ変換部と、を備える。
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公开(公告)号：WO2022252194A1
公开(公告)日：2022-12-08
申请号：PCT/CN2021/098196
申请日：2021-06-03
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 本公开提供的触控基板、显示装置及显示系统，包括衬底基板，包括感光区；多个感光像素，在感光区呈阵列排布，一个感光像素包括一个非可见光传感器，感光像素的边长与相邻两个感光像素所含非可见光传感器之间的距离之比为25:24～12:11；多条偏压线，位于多个非可见光传感器背离衬底基板的一侧，多条偏压线包括交叉设置的多条第一偏压线和多条第二偏压线，第一偏压线和第二偏压线中的至少之一与非可见光传感器电连接。
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公开(公告)号：WO2022252172A1
公开(公告)日：2022-12-08
申请号：PCT/CN2021/098080
申请日：2021-06-03
Applicant: 迪克创新科技有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/361 , H01L27/146 , G06K9/00
Abstract: 本申请公开了一种像素阵列及相关图像传感器、指纹检测芯片及电子装置。像素阵列包括：运算放大器；N个光电二极管位于所述像素阵列的同一行，各光电二极管选择性地以顺向或逆向的方式耦接于预设电压及所述运算放大器的所述负端之间；电容单元，耦接于所述运算放大器的所述输出端与所述负端之间；第一晶体管，耦接于所述运算放大器的所述输出端与所述负端之间；其中所述N个光电二极管共享所述运算放大器、所述电容单元、所述第一晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2022252171A1
公开(公告)日：2022-12-08
申请号：PCT/CN2021/098079
申请日：2021-06-03
Applicant: 迪克创新科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种像素单元及相关图像传感器、指纹检测芯片及电子装置。所述像素单元包括光电二极管；运算放大器，负端耦接至所述光电二极管的第二端；电容单元，耦接于所述运算放大器的输出端与所述负端之间；第一晶体管；漏电抑制单元，包含：第二晶体管，串接所述第一晶体管，且串接的所述第一晶体管和所述第二晶体管耦接于所述运算放大器的所述输出端与所述负端之间，其中在采样阶段，串接的所述第一晶体管和所述第二晶体管不导通，所述第二晶体管的一端耦接至所述运算放大器的所述负端，所述第二晶体管的另一端耦接至所述运算放大器的所述正端，使所述第二晶体管的跨压为零。
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公开(公告)号：WO2022209326A1
公开(公告)日：2022-10-06
申请号：PCT/JP2022/005074
申请日：2022-02-09
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: ［課題］各画素におけるレイアウトの制約を緩和し、かつ、微細化することができる光検出装置を提供する。 ［解決手段］本開示による光検出装置は、第１面および該第１面に対して反対側にあり光入射面である第２面を有する第１半導体層と、第１半導体層の第１面側に設けられた第１および第２電荷蓄積部と、第１半導体層内に設けられた光電変換部と、第１および第２電荷蓄積部と光電変換部との間の第１半導体層に電圧を印加する第１および第２電圧印加部と、を備える第１基板と、第３面および該第３面に対して反対側にある第４面を有し、第３または第４面側において第１基板に貼合された第２半導体層と、第３または第４面に設けられ、光電変換部から出力された電荷に基づく画素信号を出力する画素トランジスタを備える第２基板、を備える。
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公开(公告)号：WO2022209194A1
公开(公告)日：2022-10-06
申请号：PCT/JP2022/002080
申请日：2022-01-21
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventor： 村上 博亮
IPC: H01L31/10 , H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 光電変換部が埋め込み型の構造において、転送不良を改善することができる受光素子を提供する。第１導電型の光電変換領域と、光電変換領域の一面側に設けられた第２導電型のウェル領域と、ウェル領域の光電変換領域側とは反対側の一面側に設けられた第１導電型の浮遊拡散領域と、ウェル領域の深さ方向にゲート絶縁膜を介して埋め込まれ、光電変換領域で光電変換された信号電荷を浮遊拡散領域へ転送する転送ゲート電極と、ウェル領域にゲート絶縁膜を介して埋め込まれ、転送ゲート電極の側面に向かって延伸する補助電極とを備える。
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公开(公告)号：WO2022196189A1
公开(公告)日：2022-09-22
申请号：PCT/JP2022/004900
申请日：2022-02-08
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 画素の微細化を実現しつつ、画素回路のトランジスタの電気的特性を向上させることができる固体撮像装置を提供する。固体撮像装置は、第１半導体層と、第２半導体層とを備える。第１半導体層では、光電変換素子を有する画素が面方向に沿って行列状に複数配列されている。第２半導体層は、画素の光入射側とは反対側において、第１半導体層に積層されている。第２半導体層には画素に電気的に接続された第１トランジスタが配設されている。第１トランジスタは、画素の配列方向に対してゲート長方向を傾斜させている。
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公开(公告)号：WO2022188795A1
公开(公告)日：2022-09-15
申请号：PCT/CN2022/079882
申请日：2022-03-09
Applicant: 维沃移动通信有限公司
Inventor： 段俊杰
Abstract: 本申请公开了一种摄像头模组和电子设备，其中，摄像头模组包括：图像传感器，图像传感器包括衬底以及均匀设置于衬底上的多个可见光感光单元和多个红外感光单元；第一透光结构，覆盖于图像传感器上；激光发射器，设于图像传感器的一侧，激光发射器用于向外发射光线，红外感光单元用于接收经障碍物反射后的光线并根据光线确定对焦距离。
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