本发明提供一种退火晶片的制造方法，在氩气、氢气、或上述气体的混合气体环境下，以1100至1350℃的温度对以拉晶(CZ)法制作出的单晶硅晶片，进行10至600分钟的高温退火的退火晶片，其特征在于：在进行退火时，通过支持机构对上述单晶硅晶片仅支持距离晶片外周端不小于5mm的晶片中心侧的区域，且在进行上述高温退火之前，以未满上述高温退火的温度进行预退火，使氧析出物生长。由此，可提供一种即使为不小于300mm的大口径单晶硅晶片，也可抑制在进行高温退火时所产生的滑动位错的退火晶片的制造方法以及退火晶片。