公开(公告)号：CN106062924B

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201580011892.8

申请日：2015-02-12

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 小林德弘 ,  阿贺浩司

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

摘要： 本发明提供一种贴合式晶圆的制造方法，关于自贴合晶圆的表面以氢离子、惰性气体离子的至少一种气体离子进行离子注入而于晶圆内部形成离子注入层，将该贴合晶圆经离子注入的表面与基底晶圆的表面直接或是透过绝缘膜贴合后，借由以该离子注入层使贴合晶圆剥离，制造于该基底晶圆上具有薄膜的贴合式晶圆，而对于该贴合式晶圆，透过在含有氢气的氛围下进行RTA处理而将该薄膜表面平坦化，其中，于自该RTA处理的最高温降温而自热处理炉取出该贴合式晶圆之间，在该热处理炉内于该薄膜的表面形成保护膜，之后将形成有该保护膜的贴合式晶圆自该热处理炉取出，之后使用蚀刻该保护膜及该薄膜的洗净液以洗净。借此能够在RTA处理及进行其后的洗净后亦能良好维持薄膜的膜厚度的面内均匀性。

公开(公告)号：CN105264641B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201480028918.5

申请日：2014-03-25

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 石塚徹 ,  小林德弘

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/187 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1203

摘要： 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，具有对剥离构成贴合晶圆的接合晶圆后的贴合晶圆，在含氢气氛下进行RTA处理后，进行牺牲氧化处理来减薄所述薄膜的工序，并且，在将所述RTA处理的保持开始温度设为比1150℃高的温度且将所述RTA处理的保持结束温度设为1150℃以下的条件下，进行所述RTA处理。由此，提供一种贴合晶圆的制造方法，其组合RTA处理与牺牲氧化处理，在进行贴合晶圆的薄膜表面的平坦化和薄膜减薄化时，能够抑制BMD密度增加且能够使薄膜表面充分平坦化。

公开(公告)号：CN104025254A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280065462.0

申请日：2012-11-30

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 小林德弘 ,  阿贺浩司 ,  横川功 ,  石塚徹 ,  加藤正弘

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324

摘要： 本发明是一种制造SOI晶片的方法，该方法具有对于剥离后的贴合SOI晶片，进行第一快速热退火处理之后进行第一牺牲氧化处理，其后，进行第二快速热退火处理之后进行第二牺牲氧化处理的工序，在含有氢气的气氛下以1100℃以上的温度进行上述第一和第二快速热退火处理，在上述第一和第二牺牲氧化处理中，通过以900℃以上且1000℃以下的温度仅进行利用分批式热处理炉的热氧化而在上述SOI层表面形成热氧化膜之后，进行去除该热氧化膜的处理，从而制造贴合SOI晶片。由此，提供一种能够制造具有所期望的膜厚和优良的膜厚分布的SOI层的贴合SOI晶片的方法，该方法在利用离子注入剥离法的贴合SOI晶片的制造中，能够改进剥离后的SOI层的表面粗糙度，并且能够抑制滑移位错和缺陷的发生。

公开(公告)号：CN1395744A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN01803971.5

申请日：2001-12-11

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 速水善范 ,  户部敏视 ,  小林德弘

IPC分类号： H01L21/322

CPC分类号： H01L21/3225

摘要： 提供可抑制主要是直径300mm以上的柴氏硅单晶片在进行高温热处理时的滑动转位的发生，且能充分地消除表面附近的内生(Grown－in)缺陷，并提供在单晶片表层部具有DZ层，且基体中可获得具有高除气效果的高密度的氧析出物的退火单晶片。针对以柴可劳斯基(Czochralski)法制作的硅单晶片，以600－1100℃的温度范围进行第一热处理以使基质中形成氧析出物后，再以1150－1300℃的温度范围进行第二热处理。

公开(公告)号：CN107533952B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201680025480.4

申请日：2016-03-14

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 小林德弘 ,  石川修 ,  目黑贤二 ,  若林大士 ,  大西裕之

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/12

摘要： 一种贴合式SOI晶圆的制造方法包含：堆积多晶硅层于基底晶圆的贴合面侧、于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜、通过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合、以及将贴合晶圆薄膜化，作为基底晶圆，使用电阻率为100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，于堆积多晶硅层的步骤中更具有于基底晶圆堆积多晶硅层的表面预先以10nm以上、30nm以下的厚度形成氧化膜的阶段，以1050℃以上、1200℃以下的温度进行多晶硅层的堆积。由此，即使经过SOI晶圆的制造步骤的热处理步骤及装置制造步骤的热处理步骤亦能不使单晶化进行而堆积多晶硅层，同时能够提升多晶硅堆积步骤的总产量。

公开(公告)号：CN106062923B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201580011152.4

申请日：2015-02-09

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 阿贺浩司 ,  小林德弘

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/12

摘要： 本发明为一种贴合式SOI晶圆的制造方法，其中将硅氧化膜使用批次式热处理炉，借由进行至少含有升温中的热氧化及降温中的热氧化中的任一种的热氧化处理，使剥离后的贴合式SOI晶圆的内嵌氧化膜形成为同心圆状的氧化膜厚度分布，进一步借由于贴合晶圆剥离后的贴合式SOI晶圆进行还原性热处理，将内嵌氧化膜的膜厚度范围缩小至小于还原性热处理前的膜厚度范围。借此提供一种贴合示SOI晶圆的制造方法，能够抑制由SOI层剥离后的还原性热处理而产生的埋入氧化膜厚度的面内分布的变动。

公开(公告)号：CN105493232B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201480047111.6

申请日：2014-08-01

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 小林德弘 ,  阿贺浩司

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/12

摘要： 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，其对接合晶圆的表面，离子注入至少一种气体离子而形成离子注入层，将接合晶圆的已注入离子的表面与基底晶圆的表面贴合之后，施加热处理，并在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离，由此来制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，所述贴合晶圆的制造方法的特征在于：在将接合晶圆与基底晶圆贴合之前，测量接合晶圆与基底晶圆的厚度，选择两片晶圆的厚度的差值在5μm以上的接合晶圆与基底晶圆所成的组合，然后，以400℃以下的温度来进行热处理，并在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离。由此，能够抑制通过离子注入剥离法来制作贴合晶圆时在薄膜产生的大理石花纹的膜厚不均，并能够制造出一种薄膜的膜厚均匀性高的贴合晶圆。

公开(公告)号：CN104956464A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201380071248.0

申请日：2013-12-10

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 小林德弘 ,  横川功 ,  阿贺浩司

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L29/34

摘要： 本发明涉及一种制作SOI晶圆的制造方法，其特征在于，在对接合晶圆的贴合面和基底晶圆的贴合面中至少一个表面实施等离子处理后，通过氧化膜进行贴合，在剥离热处理中，通过进行第一步骤，即以250℃以下的温度进行2小时以上的热处理，以及第二步骤，即以400℃以上450℃以下的温度进行30分钟以上的热处理，由此在离子注入层剥离接合晶圆。由此，能够提供一种SOI层膜厚范围小，SOI层表面的表面粗糙度小，平台部形状平滑，并且SOI层没有空隙、泡等缺陷的SOI晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN100343961C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN02816567.5

申请日：2002-08-23

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 小林德弘 ,  玉正郎 ,  名古屋孝俊 ,  曲伟峰

IPC分类号： H01L21/322

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/324

摘要： 本发明提供一种退火晶片的制造方法，在氩气、氢气、或上述气体的混合气体环境下，以1100至1350℃的温度对以拉晶(CZ)法制作出的单晶硅晶片，进行10至600分钟的高温退火的退火晶片，其特征在于：在进行退火时，通过支持机构对上述单晶硅晶片仅支持距离晶片外周端不小于5mm的晶片中心侧的区域，且在进行上述高温退火之前，以未满上述高温退火的温度进行预退火，使氧析出物生长。由此，可提供一种即使为不小于300mm的大口径单晶硅晶片，也可抑制在进行高温退火时所产生的滑动位错的退火晶片的制造方法以及退火晶片。

公开(公告)号：CN106233426B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201580020540.9

申请日：2015-03-05

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 目黑贤二 ,  若林大士 ,  小林德弘

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76251 ,  B32B7/12 ,  B32B9/04 ,  B32B2250/02 ,  B32B2255/20 ,  B32B2307/206 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/12

摘要： 一种贴合式SOI晶圆的制造方法，为关于均以单晶硅构成的贴合晶圆及基底晶圆借由绝缘膜贴合的贴合式SOI晶圆的制造方法，包含下列步骤：堆积多晶硅层于该基底晶圆的贴合面侧，研磨该多晶硅层的表面，于该贴合晶圆的贴合面形成该绝缘膜，透过该绝缘膜将该基底晶圆的该多晶硅层的研磨面与该贴合晶圆贴合，以及将经贴合的该贴合晶圆薄膜化而形成SOI层，其中，该基底晶圆使用电阻率100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，该堆积多晶硅层的步骤进一步包含于贴合晶圆的堆积该多晶硅层的表面预先形成氧化膜，该多晶硅层的堆积以900℃以上的温度进行。借此能够堆积多晶硅层而使其即使经过SOI晶圆制造步骤的热处理步骤或装置制造步骤的热处理步骤也不会进行单晶化。