用于在半导体器件中形成互连线的方法及互连线结构

发明授权

CN100349281C 用于在半导体器件中形成互连线的方法及互连线结构失效 - 权利终止

专利标题： 用于在半导体器件中形成互连线的方法及互连线结构
专利标题（英）： Method for forming interconnection line in semiconductor device and interconnection line structure
申请号： CN200510005832.3

申请日： 2005-01-27
公开(公告)号： CN100349281C

公开(公告)日： 2007-11-14
发明人: 李敬雨 , 慎烘縡 , 金在鹤 , 魏荣振 , 李承珍 , 朴起宽
申请人： 三星电子株式会社
申请人地址： 韩国京畿道
专利权人： 三星电子株式会社
当前专利权人： 三星电子株式会社
当前专利权人地址： 韩国京畿道
代理机构： 北京市柳沈律师事务所
代理商 陶凤波; 侯宇
优先权： 5520/04 2004.01.28 KR
主分类号： H01L21/768
IPC分类号： H01L21/768 ; H01L23/52

摘要：

本发明公开了用于形成互连线的方法和互连线结构。该方法包括：在半导体衬底上形成层间绝缘层，其中该层间绝缘层由掺碳的低k值介电层形成；在该层间绝缘层上形成氧化阻挡层；在该氧化阻挡层上形成氧化物覆盖层；在该氧化物覆盖层、氧化阻挡层和层间绝缘层中形成通孔；在该通孔之内形成导电层图案。

审查信息

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H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/71	..限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造（H01L21/28，H01L21/44，H01L21/48优先）
H01L21/768	...利用互连在器件中的分离元件间传输电流