Invention Grant
CN100391004C 半导体装置以及半导体装置的制作方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体装置以及半导体装置的制作方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and manufacturing method thereof
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Application No.: CN200380102641.8Application Date: 2003-10-23
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Publication No.: CN100391004CPublication Date: 2008-05-28
- Inventor: 山崎舜平 , 高山彻 , 丸山纯矢 , 大野由美子
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 浦柏明; 叶恺东
- Priority: 316397/2002 2002.10.30 JP
- International Application: PCT/JP2003/013552 2003.10.23
- International Announcement: WO2004/040648 JA 2004.05.13
- Date entered country: 2005-04-30
- Main IPC: H01L27/12
- IPC: H01L27/12 ; H01L29/786 ; H01L21/336

Abstract:
本发明的目的是:提供一种不使被剥离层受到损伤的剥离方法,其不仅是具有小面积的被剥离层的剥离,还能成品率很高地进行具有大面积的被剥离层的全面剥离。此外,本发明的课题是提供一种在各种基材上粘贴被剥离层并经轻量化的半导体装置以及其制作方法。特别是,提供一种在柔性薄膜上粘贴以TFT为代表的各种元件(薄膜二极管、由硅的PIN结构成的光电变换元件或硅电阻元件)并经轻量化的半导体装置以及其制作方法。本发明的解决方法是:在基板上设置金属层(11),再接在上述金属层(11)上设置氧化物层(12),进而形成被剥离层(13),如果以激光照射上述金属层(11)从而进行氧化形成金属氧化层(16),就能够以物理手段在金属氧化物层(16)的层内或者金属氧化物层(16)和氧化物层(12)的界面上进行很好的分离。
Public/Granted literature
- CN1708853A 半导体装置以及半导体装置的制作方法 Public/Granted day:2005-12-14
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IPC分类: