Invention Grant
- Patent Title: 构造集成电路的方法和相应的集成电路
- Patent Title (English): Process of making an integrated circuit and corresponding integrated circuit
-
Application No.: CN200510065986.1Application Date: 2005-04-19
-
Publication No.: CN100459096CPublication Date: 2009-02-04
- Inventor: 亚历山大·马丁 , 戴维·比利亚努埃瓦 , 弗雷德里克·萨尔韦蒂
- Applicant: ST微电子公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
- Applicant Address: 法国蒙特鲁日
- Assignee: ST微电子公司,皇家飞利浦电子股份有限公司
- Current Assignee: NXP股份有限公司
- Current Assignee Address: 法国蒙特鲁日
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 朱进桂
- Priority: 0404222 2004.04.21 FR
- Main IPC: H01L21/764
- IPC: H01L21/764 ; H01L21/76
Abstract:
本发明涉及一种构造集成电路(IC)的方法，包括在衬底(1)内创建中空隔离沟(2)和在衬底的有源区(12)中和上制造有源组件(5)，在所述沟(2)之间存在定位，其特征在于：沟(2)的创建包括：初始阶段，在制造有源组件(5)之前执行，且包括在衬底(1)中形成沟(2)和以填充材料(4)来填充沟(2)；以及最终阶段，在制造有源组件(5)之后执行，且包括有源组件(5)的封装(6)、通过封装材料(6)创建对每一个填充沟的进口(64)、通过每一个进口来去除填充材料(4)、以及通过相应的进口(64)来插塞每一个沟的开口。
Public/Granted literature
- CN1697155A 构造集成电路的方法和相应的集成电路 Public/Granted day:2005-11-16
Information query
IPC分类:
