公开(公告)号：CN1697155A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510065986.1

申请日：2005-04-19

申请人： ST微电子公司 ,  皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： 亚历山大·马丁 ,  戴维·比利亚努埃瓦 ,  弗雷德里克·萨尔韦蒂

IPC分类号： H01L21/764 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/764

摘要： 本发明涉及一种构造集成电路(IC)的方法，包括在衬底(1)内创建中空隔离沟(2)和在衬底的有源区(12)中和上制造有源组件(5)，在所述沟(2)之间存在定位，其特征在于：沟(2)的创建包括：初始阶段，在制造有源组件(5)之前执行，且包括在衬底(1)中形成沟(2)和以填充材料(4)来填充沟(2)；以及最终阶段，在制造有源组件(5)之后执行，且包括有源组件(5)的封装(6)、通过封装材料(6)创建对每一个填充沟的进口(64)、通过每一个进口来去除填充材料(4)、以及通过相应的进口(64)来插塞每一个沟的开口。

公开(公告)号：CN100459096C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200510065986.1

申请日：2005-04-19

申请人： ST微电子公司 ,  皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： 亚历山大·马丁 ,  戴维·比利亚努埃瓦 ,  弗雷德里克·萨尔韦蒂

IPC分类号： H01L21/764 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/764

摘要： 本发明涉及一种构造集成电路(IC)的方法，包括在衬底(1)内创建中空隔离沟(2)和在衬底的有源区(12)中和上制造有源组件(5)，在所述沟(2)之间存在定位，其特征在于：沟(2)的创建包括：初始阶段，在制造有源组件(5)之前执行，且包括在衬底(1)中形成沟(2)和以填充材料(4)来填充沟(2)；以及最终阶段，在制造有源组件(5)之后执行，且包括有源组件(5)的封装(6)、通过封装材料(6)创建对每一个填充沟的进口(64)、通过每一个进口来去除填充材料(4)、以及通过相应的进口(64)来插塞每一个沟的开口。