铜配线的形成方法

发明授权

请登陆查看更多内容

专利标题： 铜配线的形成方法
专利标题（英）： Method for forming copper wiring
申请号： CN200580032569.5

申请日： 2005-09-12
公开(公告)号： CN100479114C

公开(公告)日： 2009-04-15
发明人: 渡部干雄 , 座间秀昭
申请人： 株式会社爱发科
申请人地址： 日本神奈川
专利权人： 株式会社爱发科
当前专利权人： 株式会社爱发科
当前专利权人地址： 日本神奈川
代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理商 陈昕
优先权： 279365/2004 2004.09.27 JP
国际申请： PCT/JP2005/016712 2005.09.12
国际公布： WO2006/035591 JA 2006.04.06
进入国家日期： 2007-03-27
主分类号： H01L21/3205
IPC分类号： H01L21/3205 ; H01L23/52 ; H01L21/768 ; H01L21/28 ; H01L21/285 ; C23C16/18 ; C23C16/34 ; C07C49/92 ; C07F1/08

摘要：

本发明为了利用CVD法形成填入性、与基底层的密合性优良的铜配线，在已形成孔等的基板表面上，使用4价的酰胺类钒有机金属气体作为原料，另外使用叔丁基肼等作为还原性气体，利用CVD法形成由含有V或Ti的膜构成的基底层，在其上形成含铜膜，填入到孔等中，形成配线。可应用于半导体工业的铜配线领域。

公开/授权文献

CN101032007A 铜配线的形成方法公开/授权日：2007-09-05

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）