发明授权
CN100505090C 铁电记录介质及其写入方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 铁电记录介质及其写入方法
- 专利标题（英）： Ferroelectric recording medium and writing method for the same
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申请号： CN200610001111.X申请日： 2006-01-11
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公开(公告)号： CN100505090C公开(公告)日： 2009-06-24
- 发明人: 高亨守 , 金恩植 , 金成栋 , 丁柱焕 , 朴弘植 , 朴哲民 , 洪承范
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 韩明星; 邱玲
- 优先权： 10-2005-0011410 2005.02.07 KR
- 主分类号： G11C11/22
- IPC分类号： G11C11/22
摘要：
本发明提供了一种铁电记录介质及其写入方法。该铁电记录介质包括：铁电层，当接收预定的矫顽电压时铁电层反转其极化；非易失性各向异性导电层，形成在铁电层上。当各向异性导电层接收低于矫顽电压的第一电压时，其电阻减小，当各向异性导电层接收高于矫顽电压的第二电压时，其电阻增大。通过铁电层的极化状态和各向异性导电层的电阻的结合来存储多位信息。因此，可在铁电记录介质的一个畴上表示多位信息。
公开/授权文献
- CN1822220A 铁电记录介质及其写入方法 公开/授权日：2006-08-23
