制备低介材料的组合物

发明授权

CN100539037C 制备低介材料的组合物失效 - 权利终止

专利标题： 制备低介材料的组合物
专利标题（英）： Composition for producing low dielectric material
申请号： CN03138297.5

申请日： 2003-05-30
公开(公告)号： CN100539037C

公开(公告)日： 2009-09-09
发明人: B·K·彼得森 , J·F·柯纳 , S·J·韦格尔 , J·E·麦道加尔 , T·A·戴斯 , T·A·布雷梅 , K·D·坎贝尔 , M·德维内伊 , C·E·拉姆伯格 , K·乔德劳迪斯 , K·森达克
申请人： 气体产品与化学公司
申请人地址： 美国宾夕法尼亚州
专利权人： 气体产品与化学公司
当前专利权人： 气体产品与化学公司
当前专利权人地址： 美国宾夕法尼亚州
代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
代理商 周慧敏; 刘冬
优先权： 60/384321 2002.05.30 US; 10/638942 2003.05.20 US
主分类号： H01L21/31
IPC分类号： H01L21/31

摘要：

为了在用作例如在层间介电体集成电路中的特性材料时改善性能，已经确认了低介材料和包含该材料的薄膜及其制造方法。在本发明的一个方面，通过控制至少一种气孔源中的环氧乙烷基团的重量%可以改善介电材料的性能。

公开/授权文献

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择