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公开(公告)号：CN1311097C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410071478.X
申请日：2004-05-28
申请人： 气体产品与化学公司
IPC分类号： C23C16/40
CPC分类号： C03C11/00 , C03C3/045 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , Y10T428/31663
摘要： 一种通过调节此处公开的混合物中有机基团、例如甲基基团的量，来制备具有增强的机械性能、低介电常数有机硅酸盐(OSG)的化学气相沉积方法。在本发明一实施方案中，由包括含有3-4个Si-O键/Si原子、0-1个选自Si-H，Si-Br以及Si-Cl键中的一种键/Si原子、以及无Si-C键的第一含硅前体，以及一含有至少一个Si-C键/Si原子的第二含硅前体的混合物沉积得到OSG薄膜。在本发明另一实施方案中，由包括一种不对称含硅前体的混合物沉积得到OSG薄膜。在任一实施方案中，为提供一种多孔的OSG薄膜，混合物中还可以含有一种成孔剂前体。
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公开(公告)号：CN1487567A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03138297.5
申请日：2003-05-30
申请人： 气体产品与化学公司
发明人： B·K·彼得森 , J·F·柯纳 , S·J·韦格尔 , J·E·麦道加尔 , T·A·戴斯 , T·A·布雷梅 , K·D·坎贝尔 , M·德维内伊 , C·E·拉姆伯格 , K·乔德劳迪斯 , K·森达克
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31695
摘要： 为了在用作例如在层间介电体集成电路中的特性材料时改善性能，已经确认了低介材料和包含该材料的薄膜及其制造方法。在本发明的一个方面，通过控制至少一种气孔源中的环氧乙烷基团的重量％可以改善介电材料的性能。
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公开(公告)号：CN1255573C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN02120627.9
申请日：2002-05-23
申请人： 气体产品与化学公司
CPC分类号： H01L21/02131 , C03C3/045 , C03C14/008 , C23C16/30 , C23C16/401 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3122 , H01L21/3127 , H01L21/316 , H01L21/31633
摘要： 本发明披露了一种有机氟硅酸盐玻璃薄膜，所述薄膜包含有机物和无机物，不包括明显量的氟碳物。优选的薄膜由下式表示：SivOwCxHyFz，式中v+w+x+y+z＝100%，v从10-35原子%，w从10-65原子%，y从10-50原子%，x从1-30原子%，z从0.1-15原子%，x/z任选地大于0.25，其中，基本上没有氟连接至碳上。另外本发明还提供了一种CVD方法，包括：(a)在真空室内提供基材；(b)将气相反应剂引入真空室中，所述反应剂包含供氟气体、供氧气体、和至少一种选自有机硅烷和有机硅氧烷的前体气体；和(c)对所述室中的气相反应剂施加能量，以使气相反应剂发生反应并在基材上形成薄膜。
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公开(公告)号：CN1576390A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410071478.X
申请日：2004-05-28
申请人： 气体产品与化学公司
IPC分类号： C23C16/40
CPC分类号： C03C11/00 , C03C3/045 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , Y10T428/31663
摘要： 一种通过调节此处公开的混合物中有机基团、例如甲基基团的量，来制备具有增强的机械性能、低介电常数有机硅酸盐(OSG)的化学气相沉积方法。在本发明一实施方案中，由包括含有3－4个Si－O键/Si原子、0－1个选自Si－H，Si－Br以及Si－Cl键中的一种键/Si原子、以及无Si－C键的第一含硅前体，以及一含有至少一个Si－C键/Si原子的第二含硅前体的混合物沉积得到OSG薄膜。在本发明另一实施方案中，由包括一种不对称含硅前体的混合物沉积得到OSG薄膜。在任一实施方案中，为提供一种多孔的OSG薄膜，混合物中还可以含有一种成孔剂前体。
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公开(公告)号：CN100530811C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510076226.0
申请日：2005-04-08
申请人： 气体产品与化学公司
CPC分类号： H01M6/166 , H01M6/168 , H01M10/0567 , H01M10/0568 , H01M10/4235 , H01M2300/0025
摘要： 本发明涉及对通常易于受到过充电损害的电池的改进，该电池包括负电极、正电极和电解质，所述电解质包括包含在载体或溶剂中的过充电保护盐。代表性的过充电保护盐由化学式：MaQ表示，其中M为选自由碱金属、碱土金属、四烷基季铵盐或咪唑鎓构成的组中的电化学稳定的阳离子，Q为硼酸或杂硼酸簇阴离子，并且a为1或2。
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公开(公告)号：CN101252030A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810088359.3
申请日：2005-03-02
申请人： 气体产品与化学公司
IPC分类号： H01B3/00 , H01B3/10 , C01B33/113 , H01L21/316 , C07F7/18
摘要： 本文公开了介电常数为3.7或更低的二氧化硅基材料和薄膜以及用于制备它们的组合物和方法以及使用它们的方法。一方面，提供了一种用于制备二氧化硅基材料的组合物，其含有至少一种二氧化硅源、溶剂、至少一种气孔源、任选的催化剂和任选的流动添加剂，其中溶剂在90℃－170℃的温度范围内沸腾，并且选自由下式表示的化合物：HO－CHR8－CHR9－CH2－CHR10R11，其中R8，R9，R10和R11可以独立地为1－4个碳原子的烷基基团或氢原子；和R12－CO－R13，其中R12是具有3－6个碳原子的烃基；R13是具有1－3个碳原子的烃基；以及它们的混合物。
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公开(公告)号：CN1757445A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510065651.X
申请日：2005-03-02
申请人： 气体产品与化学公司
摘要： 本文公开了介电常数为3.7或更低的二氧化硅基材料和薄膜以及用于制备它们的组合物和方法以及使用它们的方法。一方面，提供了一种用于制备二氧化硅基材料的组合物，其含有至少一种二氧化硅源、溶剂、至少一种气孔源、任选的催化剂和任选的流动添加剂，其中溶剂在90℃－170℃的温度范围内沸腾，并且选自由下式表示的化合物：HO－CHR8－CHR9－CH2－CHR10R11，其中R8，R9，R10和R11可以独立地为1－4个碳原子的烷基基团或氢原子；和R12－CO－R13，其中R12是具有3－6个碳原子的烃基；R13是具有1－3个碳原子的烃基；以及它们的混合物。
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公开(公告)号：CN100539037C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN03138297.5
申请日：2003-05-30
申请人： 气体产品与化学公司
发明人： B·K·彼得森 , J·F·柯纳 , S·J·韦格尔 , J·E·麦道加尔 , T·A·戴斯 , T·A·布雷梅 , K·D·坎贝尔 , M·德维内伊 , C·E·拉姆伯格 , K·乔德劳迪斯 , K·森达克
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31695
摘要： 为了在用作例如在层间介电体集成电路中的特性材料时改善性能，已经确认了低介材料和包含该材料的薄膜及其制造方法。在本发明的一个方面，通过控制至少一种气孔源中的环氧乙烷基团的重量%可以改善介电材料的性能。
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公开(公告)号：CN1983461A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200710003883.1
申请日：2003-05-30
申请人： 气体产品与化学公司
IPC分类号： H01B3/00 , H01L21/31 , H01L21/469 , C08J5/18
CPC分类号： C09D183/04 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/31695 , Y10T428/249967 , Y10T428/249969 , Y10T428/249979
摘要： 对于在用作集成电路的层间介电体时的改善性能，确定了低介材料和包含该材料的薄膜及其制备方法。这些材料特征在于具有约3.7或更小的介电常数(κ)；约15GPa或更大的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E0’)；和约500ppm或更小的金属杂质含量。还公开了具有小于约1.95的介电常数和大于约26GPa的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E0’)的低介材料。
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公开(公告)号：CN1303619C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN03141324.2
申请日：2003-05-30
申请人： 气体产品与化学公司
CPC分类号： C09D183/04 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/31695 , Y10T428/249967 , Y10T428/249969 , Y10T428/249979
摘要： 对于在用作集成电路的层间介电体时的改善性能，确定了低介材料和包含该材料的薄膜及其制备方法。这些材料特征在于具有约3.7或更小的介电常数(κ)；约15GPa或更大的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E0’)；和约500ppm或更小的金属杂质含量。还公开了具有小于约1.95的介电常数和大于约26GPa的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E0’)的低介材料。
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