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公开(公告)号：CN101101876A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710142193.4
申请日：2007-06-27
申请人： 气体产品与化学公司
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/768
摘要： 本发明提供了一种形成多孔介电膜的方法，该方法包括：在衬底的至少一部分上形成包括Si、C、O、H和Si-CH3基团的复合膜，其中所述复合膜包括至少一种含硅的结构形成材料和至少一种含碳的成孔材料；并将所述复合膜暴露于活化的化学物质，从而至少部分地改性所述含碳成孔材料，其中在暴露步骤后通过FTIR测定，在如此沉积的膜中至少90％的Si-CH3物质保留在所述膜中。
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公开(公告)号：CN101624698A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910166913.X
申请日：2009-07-10
申请人： 气体产品与化学公司
IPC分类号： C23C18/12 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/3121 , C23C18/122 , C23C18/1245 , C23C18/14 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/02282 , H01L21/316
摘要： 本发明是一种在氧化条件下旋涂沉积含二氧化硅薄膜的方法，用于间隙填充存贮器和含逻辑电路半导体基材(例如在其中包含一个或多个集成电路结构的硅晶片)中使用的浅沟道隔离的高长宽比部件，所述方法包括以下步骤：提供具有高长宽比部件的半导体基材；接触半导体基材与包括低分子量氨基硅烷的液体配制剂；通过在半导体基材上涂覆液体配制剂形成薄膜；在氧化条件下升高温度加热所述薄膜。还提出用于该方法的组合物。
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公开(公告)号：CN101312129A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810092038.0
申请日：2008-02-15
申请人： 气体产品与化学公司
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/768
摘要： 用于恢复具有第一介电常数和至少一个表面的含硅介电材料层的介电常数的方法，其中含硅介电材料层的第一介电常数已经被增加到第二介电常数，该方法包括如下步骤：将含硅介电材料层的所述至少一个表面与含硅流体接触；将含硅介电材料层的所述至少一个表面暴露于选自紫外辐射、热和电子束的能量源，其中在该含硅介电材料层暴露到能量源之后，该含硅介电材料层具有低于第二介电常数的第三介电常数。
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公开(公告)号：CN1497613A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03141324.2
申请日：2003-05-30
CPC分类号： C09D183/04 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/31695 , Y10T428/249967 , Y10T428/249969 , Y10T428/249979
摘要： 对于在用作集成电路的层间介电体时的改善性能，确定了低介材料和包含该材料的薄膜及其制备方法。这些材料特征在于具有约3.7或更小的介电常数(κ)；约15GPa或更大的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E0’)；和约500ppm或更小的金属杂质含量。还公开了具有小于约1.95的介电常数和大于约26GPa的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E0’)的低介材料。
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公开(公告)号：CN101063818A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710100643.3
申请日：2007-02-25
申请人： 气体产品与化学公司
CPC分类号： G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/2041
摘要： 本发明提供一种表面涂层组合物，该表面涂层组合物包括由至少一种硅源的水解反应和缩合反应而制备的含硅聚合物、溶剂、任选的催化剂和任选的水，其中含硅聚合物在暴露到水性含碱溶液时，发生解聚反应。
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公开(公告)号：CN1487567A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03138297.5
申请日：2003-05-30
申请人： 气体产品与化学公司
发明人： B·K·彼得森 , J·F·柯纳 , S·J·韦格尔 , J·E·麦道加尔 , T·A·戴斯 , T·A·布雷梅 , K·D·坎贝尔 , M·德维内伊 , C·E·拉姆伯格 , K·乔德劳迪斯 , K·森达克
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31695
摘要： 为了在用作例如在层间介电体集成电路中的特性材料时改善性能，已经确认了低介材料和包含该材料的薄膜及其制造方法。在本发明的一个方面，通过控制至少一种气孔源中的环氧乙烷基团的重量％可以改善介电材料的性能。
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公开(公告)号：CN100539037C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN03138297.5
申请日：2003-05-30
申请人： 气体产品与化学公司
发明人： B·K·彼得森 , J·F·柯纳 , S·J·韦格尔 , J·E·麦道加尔 , T·A·戴斯 , T·A·布雷梅 , K·D·坎贝尔 , M·德维内伊 , C·E·拉姆伯格 , K·乔德劳迪斯 , K·森达克
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31695
摘要： 为了在用作例如在层间介电体集成电路中的特性材料时改善性能，已经确认了低介材料和包含该材料的薄膜及其制造方法。在本发明的一个方面，通过控制至少一种气孔源中的环氧乙烷基团的重量%可以改善介电材料的性能。
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公开(公告)号：CN1983461A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200710003883.1
申请日：2003-05-30
申请人： 气体产品与化学公司
IPC分类号： H01B3/00 , H01L21/31 , H01L21/469 , C08J5/18
CPC分类号： C09D183/04 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/31695 , Y10T428/249967 , Y10T428/249969 , Y10T428/249979
摘要： 对于在用作集成电路的层间介电体时的改善性能，确定了低介材料和包含该材料的薄膜及其制备方法。这些材料特征在于具有约3.7或更小的介电常数(κ)；约15GPa或更大的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E0’)；和约500ppm或更小的金属杂质含量。还公开了具有小于约1.95的介电常数和大于约26GPa的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E0’)的低介材料。
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公开(公告)号：CN1303619C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN03141324.2
申请日：2003-05-30
申请人： 气体产品与化学公司
CPC分类号： C09D183/04 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/31695 , Y10T428/249967 , Y10T428/249969 , Y10T428/249979
摘要： 对于在用作集成电路的层间介电体时的改善性能，确定了低介材料和包含该材料的薄膜及其制备方法。这些材料特征在于具有约3.7或更小的介电常数(κ)；约15GPa或更大的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E0’)；和约500ppm或更小的金属杂质含量。还公开了具有小于约1.95的介电常数和大于约26GPa的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E0’)的低介材料。
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公开(公告)号：CN101624698B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200910166913.X
申请日：2009-07-10
申请人： 气体产品与化学公司
IPC分类号： C23C18/12 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/3121 , C23C18/122 , C23C18/1245 , C23C18/14 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/02282 , H01L21/316
摘要： 本发明是一种在氧化条件下旋涂沉积含二氧化硅薄膜的方法，用于间隙填充存贮器和含逻辑电路半导体基材(例如在其中包含一个或多个集成电路结构的硅晶片)中使用的浅沟道隔离的高长宽比部件，所述方法包括以下步骤：提供具有高长宽比部件的半导体基材；接触半导体基材与包括低分子量氨基硅烷的液体配制剂；通过在半导体基材上涂覆液体配制剂形成薄膜；在氧化条件下升高温度加热所述薄膜。还提出用于该方法的组合物。
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