公开(公告)号：CN1487567A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03138297.5

申请日：2003-05-30

申请人： 气体产品与化学公司

发明人： B·K·彼得森 ,  J·F·柯纳 ,  S·J·韦格尔 ,  J·E·麦道加尔 ,  T·A·戴斯 ,  T·A·布雷梅 ,  K·D·坎贝尔 ,  M·德维内伊 ,  C·E·拉姆伯格 ,  K·乔德劳迪斯 ,  K·森达克

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695

摘要： 为了在用作例如在层间介电体集成电路中的特性材料时改善性能，已经确认了低介材料和包含该材料的薄膜及其制造方法。在本发明的一个方面，通过控制至少一种气孔源中的环氧乙烷基团的重量％可以改善介电材料的性能。

公开(公告)号：CN100539037C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN03138297.5

申请日：2003-05-30

申请人： 气体产品与化学公司

发明人： B·K·彼得森 ,  J·F·柯纳 ,  S·J·韦格尔 ,  J·E·麦道加尔 ,  T·A·戴斯 ,  T·A·布雷梅 ,  K·D·坎贝尔 ,  M·德维内伊 ,  C·E·拉姆伯格 ,  K·乔德劳迪斯 ,  K·森达克

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695

摘要： 为了在用作例如在层间介电体集成电路中的特性材料时改善性能，已经确认了低介材料和包含该材料的薄膜及其制造方法。在本发明的一个方面，通过控制至少一种气孔源中的环氧乙烷基团的重量%可以改善介电材料的性能。