制作场效应晶体管的方法和纳米管场效应晶体管

发明授权

CN100590797C 制作场效应晶体管的方法和纳米管场效应晶体管有权转让

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专利标题： 制作场效应晶体管的方法和纳米管场效应晶体管
专利标题（英）： Method for making field effect transistor and nanometer tube field effect transistor
申请号： CN200510124674.3

申请日： 2005-11-14
公开(公告)号： CN100590797C

公开(公告)日： 2010-02-17
发明人: 陈佳 , 阿里·阿夫扎利-阿达卡尼 , 克里斯蒂·卡林科 , 费顿·阿沃利斯 , 迪米特里·V.·塔拉平 , 克里斯托弗·默里
申请人： 国际商业机器公司
申请人地址： 美国纽约
专利权人： 国际商业机器公司
当前专利权人： 格芯美国第二有限责任公司
当前专利权人地址： 美国纽约
代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理商 王永刚
优先权： 10/991,582 2004.11.18 US
主分类号： H01L21/24
IPC分类号： H01L21/24 ; H01L21/336 ; H01L29/78

摘要：

提供了对纳米部件的掺杂方法，包括纳米管、纳米晶体和纳米线，该方法通过将纳米部件暴露于含有机胺的掺杂剂中进行掺杂。也提供了制作包含已经用这样的掺杂剂进行掺杂的纳米部件的场效应晶体管的方法。

摘要（英）：

A method is provided for doping nano-components, including nanotubes, nanocrystals and nanowires, by exposing the nano-components to an organic amine-containing dopant. A method is also provided for forming a field effect transistor comprising a nano-component that has been doped using such a dopant.

公开/授权文献

CN1841664A 纳米部件的掺杂方法，制作场效应晶体管和纳米管场效应晶体管的方法公开/授权日：2006-10-04

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/24	....杂质材料（例如掺杂材料、电极材料）与半导体本体的合金化