-
公开(公告)号：CN1551333A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410036660.1
申请日：2004-04-29
Inventor： 陈佳 , 安德里亚斯·E·格拉斯曼
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/823842
Abstract: 一种关于制造具有不同类型的晶体管的器件的方法和结构，其中该器件中不同类型的晶体管的栅极包括不同的材料。该方法包括在栅极电介质层上沉积硅层，在硅层上沉积第一类型的栅极材料，从将要形成第二类型的栅极的区域去除第一类型的栅极材料，在已经去除第一类型的栅极材料的区域中在硅层上沉积第二类型的栅极材料，以及同时图案化第一类型的栅极材料和第二类型的栅极材料，形成第一类型和第二类型的栅极，并且对两种类型的栅极材料退火及转变。
-
公开(公告)号：CN101099248B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200580045925.7
申请日：2005-12-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L29/6656 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/665 , H01L29/7833 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , Y10S977/847 , Y10S977/938
Abstract: 一种半导体结构，包括：衬底，包括位于其上的至少一个栅极区域，所述至少一个栅极区域包括至少一个一维纳米结构的层；以及金属碳化物接触，位于所述衬底的表面上，对准所述至少一个一维纳米结构的层的边缘。
-
公开(公告)号：CN100590797C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200510124674.3
申请日：2005-11-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 陈佳 , 阿里·阿夫扎利-阿达卡尼 , 克里斯蒂·卡林科 , 费顿·阿沃利斯 , 迪米特里·V.·塔拉平 , 克里斯托弗·默里
IPC: H01L21/24 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/22 , B82Y10/00 , H01L51/002 , H01L51/0048 , Y10S977/742 , Y10S977/938
Abstract: 提供了对纳米部件的掺杂方法，包括纳米管、纳米晶体和纳米线，该方法通过将纳米部件暴露于含有机胺的掺杂剂中进行掺杂。也提供了制作包含已经用这样的掺杂剂进行掺杂的纳米部件的场效应晶体管的方法。
-
公开(公告)号：CN100444413C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200480029021.0
申请日：2004-06-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/119
CPC classification number: H01L21/2807 , H01L21/28052 , H01L21/28061 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L29/4916 , H01L29/4925 , H01L29/665
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管器件的多层栅极电极堆叠结构，其形成在栅极电介质(43)上硅纳米晶体籽晶层(41)上。硅纳米晶体层的小晶粒尺寸允许利用原位快速热化学气相沉积(RTCVD)的均匀且连续的多晶SiGe层(45)的沉积，具有达到至少70%的[Ge]。在氧环境中在快速降低的温度沉积腔的原位净化导致3至4A厚的薄SiO2或SixGeyOz界面层(47)。薄SiO2或SixGeyOz界面层足够薄且不连续从而提供对栅极电流的很小的电阻，但具有足够的[O]从而在热处理期间有效阻挡向上的Ge扩散，因此允许随后沉积的钴层的硅化。该栅极电极堆叠结构用于nFET和pFET两者。
-
公开(公告)号：CN1320635C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200410036660.1
申请日：2004-04-29
Inventor： 陈佳 , 安德里亚斯·E·格拉斯曼
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/823842
Abstract: 一种关于制造具有不同类型的晶体管的器件的方法的方法和结构，其中该器件中不同类型的晶体管的栅极包括不同的材料。该方法包括在栅极电介质层上沉积硅层，在硅层上沉积第一类型的栅极材料，从将要形成第二类型的栅极的区域去除第一类型的栅极材料，在已经去除第一类型的栅极材料的区域中在硅层上沉积第二类型的栅极材料，以及同时图案化第一类型的栅极材料和第二类型的栅极材料，形成第一类型和第二类型的栅极，并且对两种类型的栅极材料退火及转变。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1964074A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610144483.8
申请日：2006-11-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L51/055 , B82Y10/00 , H01L27/283 , H01L51/0048 , H01L51/0558 , Y10S977/742 , Y10S977/94
Abstract: 本发明公开了一种CNT技术，此技术克服了CNTFET的固有双极特性。本发明的一个实施例提供稳定的p型CNTFET或稳定的n型CNTFET。本发明的另一个实施例提供互补CNT器件。为了克服CNTFET的双极特性，在与源极/漏极电极相对的CNT下引入源极/漏极栅极。这些源极/漏极栅极用于向CNT的末端提供正或负电压以将对应的FET分别配置为n型或p型CNTFET。配置一个为n型CNTFET而另一个为p型CNTFET的两个相邻CNTFET可以结合成互补CNT器件。为了独立调整单个CNTFET的阈值电压，还可以在CNT下，具体地，在与前栅极相对的CNT的沟道区域下引入后栅极。此方法将寄生电容和寄生电阻最小化。
-
公开(公告)号：CN1841664A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200510124674.3
申请日：2005-11-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 陈佳 , 阿里·阿夫扎利-阿达卡尼 , 克里斯蒂·卡林科 , 费顿·阿沃利斯 , 迪米特里·V.·塔拉平 , 克里斯托弗·默里
IPC: H01L21/24 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/22 , B82Y10/00 , H01L51/002 , H01L51/0048 , Y10S977/742 , Y10S977/938
Abstract: 提供了对纳米部件的掺杂方法，包括纳米管、纳米晶体和纳米线，该方法通过将纳米部件暴露于含有机胺的掺杂剂中进行掺杂。也提供了制作包含已经用这样的掺杂剂进行掺杂的纳米部件的场效应晶体管的方法。
-
公开(公告)号：CN1864275A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480029021.0
申请日：2004-06-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/119
CPC classification number: H01L21/2807 , H01L21/28052 , H01L21/28061 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L29/4916 , H01L29/4925 , H01L29/665
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管器件的多层栅极电极堆叠结构，其形成在栅极电介质(43)上硅纳米晶体籽晶层(41)上。硅纳米晶体层的小晶粒尺寸允许利用原位快速热化学气相沉积(RTCVD)的均匀且连续的多晶SiGe层(45)的沉积，具有达到至少70％的[Ge]。在氧环境中在快速降低的温度沉积腔的原位净化导致3至4A厚的薄SiO2或SixGeyOz界面层(47)。薄SiO2或SixGeyOz界面层足够薄且不连续从而提供对栅极电流的很小的电阻，但具有足够的[O]从而在热处理期间有效阻挡向上的Ge扩散，因此允许随后沉积的钴层的硅化。该栅极电极堆叠结构用于nFET和pFET两者。
-
公开(公告)号：CN1775667A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510052898.8
申请日：2005-03-02
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 陈佳 , 阿里·阿夫扎里-阿尔达卡尼 , 克里斯蒂安·克林克 , 保罗·M·索罗门 , 费东·阿沃里斯
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y10S977/749 , Y10S977/938
Abstract: 提供一种对碳纳米管掺杂的方法。该方法包括将碳纳米管暴露至液相中的单电子氧化剂。还提供了一种用于形成碳纳米管FET器件的方法。
-
公开(公告)号：CN100561750C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200610144483.8
申请日：2006-11-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L51/055 , B82Y10/00 , H01L27/283 , H01L51/0048 , H01L51/0558 , Y10S977/742 , Y10S977/94
Abstract: 本发明公开了一种CNT技术，此技术克服了CNTFET的固有双极特性。本发明的一个实施例提供稳定的p型CNTFET或稳定的n型CNTFET。本发明的另一个实施例提供互补CNT器件。为了克服CNTFET的双极特性，在与源极/漏极电极相对的CNT下引入源极/漏极栅极。这些源极/漏极栅极用于向CNT的末端提供正或负电压以将对应的FET分别配置为n型或p型CNTFET。配置一个为n型CNTFET而另一个为p型CNTFET的两个相邻CNTFET可以结合成互补CNT器件。为了独立调整单个CNTFET的阈值电压，还可以在CNT下，具体地，在与前栅极相对的CNT的沟道区域下引入后栅极。此方法将寄生电容和寄生电阻最小化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.052 seconds)
