发明公开
CN101009214A 纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件
失效 - 权利终止
- 专利标题: 纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件
- 专利标题(英): Methods of fabricating nanostructures and nanowires and devices fabricated therefrom
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申请号: CN200710008259.0申请日: 2002-03-29
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公开(公告)号: CN101009214A公开(公告)日: 2007-08-01
- 发明人: A·马亚姆达 , A·沙科里 , T·D·桑德斯 , P·杨 , S·S·毛 , R·E·拉索 , H·费克 , H·金德 , E·R·韦伯 , M·黄 , H·严 , Y·吴 , R·范
- 申请人: 加利福尼亚大学董事会
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 加利福尼亚大学董事会
- 当前专利权人: 加利福尼亚大学董事会
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 沙捷
- 优先权: 60/280,676 2001.03.30 US; 60/349,206 2002.01.15 US
- 分案原申请号: 028096010
- 主分类号: H01L21/00
- IPC分类号: H01L21/00 ; H01L21/04 ; H01L21/20 ; H01L33/00 ; H01L35/34 ; H01S5/00 ; H01S5/34 ; B82B3/00
摘要:
一纳米结构具有小于约200nm的均匀直径。这些发明的纳米结构,我们称之为“纳米线”,包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构,所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构,因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线,其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分,以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。
公开/授权文献
- CN101009214B 纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件 公开/授权日:2010-05-19
IPC分类: