磷砷化镓包覆材料在砷化镓衬底上的外延生长

    公开(公告)号:CN112119481B

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN201980030071.7

    申请日:2019-05-10

    摘要: 一种半导体器件制造方法,其中,在生长工艺之后进行覆盖工艺,在所述覆盖工艺中,将含荧光体材料覆盖层沉积在最终的基于GaAs的层上。能够从反应室中移出容纳许多此类衬底的晶片,以在以后的时间继续处理而无需在最终的基于GaAs的层上产生氧化层。在连续处理中,分解工艺选择性地分解含荧光体材料覆盖层,此后进行再生长工艺以生长所述器件结构的其它层。在器件制造期间,所述覆盖工艺、分解工艺和再生长工艺能够在晶片上的半导体器件上重复多次。

    取代的氨基-硫醇和氨基-二硫化物化合物及其用途

    公开(公告)号:CN113613642B

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202080024298.3

    申请日:2020-03-26

    IPC分类号: A61K31/145 A61P1/16 A61P25/28

    摘要: 本公开内容提供了新的被取代的半胱胺和胱胺化合物、由其制成的药物组合物及其方法,包括治疗受试者中可受益于所述化合物的一种或多种生物保护作用的任何疾病或病症,所述生物保护作用包括、但不限于胱氨酸结合、减少氧化性应激、增加脂联素水平和/或增加脑来源的神经营养因子。这样的疾病和病症的例子包括、但不限于胱氨酸过多症和脂肪肝疾病。