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公开(公告)号：CN1507661A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN02809601.0
申请日：2002-03-29
申请人： 加利福尼亚大学董事会
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G02B6/107 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02554 , H01L21/02603 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L24/45 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/12 , H01L29/125 , H01L31/0352 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L35/00 , H01L41/094 , H01L41/18 , H01L41/183 , H01L2224/45565 , H01L2224/45599 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01058 , H01L2924/0106 , H01L2924/01061 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01084 , H01L2924/04953 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01S5/341 , H01S5/3412 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , Y10S977/764 , Y10S977/765 , Y10S977/951 , Y10T428/24994 , Y10T428/249949 , Y10T428/29 , Y10T428/2913 , Y10T428/2916 , Y10T428/292 , Y10T428/2933 , Y10T428/2958 , Y10T428/2973 , Y10T428/298 , H01L2924/00011 , H01L2924/00 , H01L2224/48
摘要： 一维纳米结构具有小于约200nm的均匀直径。这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构，因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线，其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分，以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。
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公开(公告)号：CN101638216B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200910168694.9
申请日：2002-03-29
申请人： 加利福尼亚大学董事会
IPC分类号： B82B1/00
CPC分类号： H01L2924/01014 , H01L2924/12041
摘要： 本发明涉及纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件。一维纳米结构具有小于约200nm的均匀直径。这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构，因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线，其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分，以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。
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公开(公告)号：CN101009214A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710008259.0
申请日：2002-03-29
申请人： 加利福尼亚大学董事会
CPC分类号： H01L2924/01014 , H01L2924/12041
摘要： 一纳米结构具有小于约200nm的均匀直径。这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构，因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线，其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分，以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。
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公开(公告)号：CN101009214B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710008259.0
申请日：2002-03-29
申请人： 加利福尼亚大学董事会
CPC分类号： H01L2924/01014 , H01L2924/12041
摘要： 一维纳米结构具有小于约200nm的均匀直径。这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构，因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线，其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分，以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。
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公开(公告)号：CN101638216A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910168694.9
申请日：2002-03-29
申请人： 加利福尼亚大学董事会
IPC分类号： B82B1/00
CPC分类号： H01L2924/01014 , H01L2924/12041
摘要： 本发明涉及纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件。一维纳米结构具有小于约200nm的均匀直径。这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构，因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线，其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分，以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。
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公开(公告)号：CN1306619C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN02809601.0
申请日：2002-03-29
申请人： 加利福尼亚大学董事会
摘要： 一维纳米结构具有小于约200nm的均匀直径。这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构，因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线，其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分，以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。
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