发明公开
- 专利标题： 半导体处理用氧化装置和方法
- 专利标题（英）： Oxidation apparatus and method for semiconductor process
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申请号： CN200710194483.3申请日： 2007-10-19
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公开(公告)号： CN101165856A公开(公告)日： 2008-04-23
- 发明人: 长谷部一秀 , 藤田武彦 , 中岛滋 , 小川淳
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权： 2006-286909 2006.10.20 JP
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L21/316 ; C23C8/10 ; C23C8/16
摘要：
一种半导体处理用的氧化装置，包括从位于处理容器的处理区域的一侧上的接近被处理基板的气体供给口向处理区域供给氧化性气体和还原性气体的供给系统。气体供给口包括沿着与处理区域相对应的上下方向的整个长度设置的多个气体喷射孔。在处理容器的周围设置加热处理区域的加热器。控制部预先设定为使氧化性气体和还原性气体发生反应而在处理区域内产生氧活性种和氢氧根活性种，使用氧活性种和氢氧根活性种对被处理基板的表面进行氧化处理。
公开/授权文献
- CN101165856B 半导体处理用氧化装置和方法 公开/授权日：2012-08-29
IPC分类:
