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公开(公告)号：CN101154589B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN200710192997.5
申请日：2007-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/402 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，在能够选择地供给包括硅源气体的第一处理气体和包括氧化气体的第二处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成氧化膜。因此，多次重复下述循环，所述循环交替包括第一工序和第二工序。第一工序，供给第一处理气体，在被处理基板的表面上形成含硅的吸附层。第二工序，供给第二处理气体，对被处理基板的表面上的吸附层进行氧化。使用1价或2价的氨基硅烷气体作为硅源气体，相比于使用3价氨基硅烷气体作为硅源气体的情况，较低地设定循环中的处理温度。
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公开(公告)号：CN101165856B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200710194483.3
申请日：2007-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/316 , C23C8/10 , C23C8/16
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/31662
Abstract: 一种半导体处理用的氧化装置，包括从位于处理容器的处理区域的一侧上的接近被处理基板的气体供给口向处理区域供给氧化性气体和还原性气体的供给系统。气体供给口包括沿着与处理区域相对应的上下方向的整个长度设置的多个气体喷射孔。在处理容器的周围设置加热处理区域的加热器。控制部预先设定为使氧化性气体和还原性气体发生反应而在处理区域内产生氧活性种和氢氧根活性种，使用氧活性种和氢氧根活性种对被处理基板的表面进行氧化处理。
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公开(公告)号：CN1958878B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200610135715.3
申请日：2006-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C30B25/00 , C23C16/00 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/4405 , Y10S438/905
Abstract: 在本发明提供一种半导体处理用成膜装置的使用方法，其决定成膜处理的处理条件。处理条件包括在被处理基板上形成的薄膜的设定膜厚。另外，根据处理条件，决定进行清除处理的定时。定时由成膜处理的反复次数和设定膜厚的乘积而得到的薄膜累积膜厚的阈值所规定。即使反复进行(N)(N是正整数)次成膜处理，累积膜厚也不大于阈值；如果反复进行(N+1)次，则大于阈值。并且，该方法包括：其间不加入清除处理，进行由成膜处理组成的从第一次处理到第(N)次处理的工序；和在第(N)次处理后、并且在由成膜处理组成的(N+1)次处理前，进行清除处理的工序。
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公开(公告)号：CN101140884B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200710167674.0
申请日：2007-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/455 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45544
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够选择性供给第一处理气体、第二处理气体、第三处理气体的处理区域内，利用CVD法在被处理基板上形成氧化膜，其中第一处理气体包括含有膜源元素且不含氨气的源气体，第二处理气体包括氧化气体，第三处理气体包括预处理气体。第一工序包括将第三处理气体在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段，利用由此生成的所述预处理气体的自由基对所述被处理基板的表面进行预处理。第二工序是供给第一处理气体，由此，使膜源元素吸附到被处理基板的表面。第三工序包括将第二处理气体在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段，利用由此生成的所述氧化气体的自由基，使吸附在所述被处理基板的表面的膜源元素氧化。
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公开(公告)号：CN101136332B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200710147862.7
申请日：2007-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C8/06
CPC classification number: C30B33/005 , H01J37/32082 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/31662
Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的氧化方法，其在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板，从处理区域的一侧将氧化性气体和还原性气体供给至处理区域，从另一侧进行排气。在此，将氧化性气体和还原性气体中的一种或两种活化。由此使氧化性气体和还原性气体反应，在处理区域内产生氧活性种和羟基活性种，使用氧活性种和羟基活性种对被处理基板的表面进行氧化处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101154589A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710192997.5
申请日：2007-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/402 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，在能够选择地供给包括硅源气体的第一处理气体和包括氧化气体的第二处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成氧化膜。因此，多次重复下述循环，所述循环交替包括第一工序和第二工序。第一工序，供给第一处理气体，在被处理基板的表面上形成含硅的吸附层。第二工序，供给第二处理气体，对被处理基板的表面上的吸附层进行氧化。使用1价或2价的氨基硅烷气体作为硅源气体，相比于使用3价氨基硅烷气体作为硅源气体的情况，较低地设定循环中的处理温度。
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公开(公告)号：CN101140884A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710167674.0
申请日：2007-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/455 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45544
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够选择性供给第一处理气体、第二处理气体、第三处理气体的处理区域内，利用CVD法在被处理基板上形成氧化膜，其中第一处理气体包括含有膜源元素且不含氨气的源气体，第二处理气体包括氧化气体，第三处理气体包括预处理气体。第一工序包括将第三处理气体在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段，利用由此生成的所述预处理气体的自由基对所述被处理基板的表面进行预处理。第二工序是供给第一处理气体，由此，使膜源元素吸附到被处理基板的表面。第三工序包括将第二处理气体在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段，利用由此生成的所述氧化气体的自由基，使吸附在所述被处理基板的表面的膜源元素氧化。
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公开(公告)号：CN1734734A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510089134.6
申请日：2005-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205
Abstract: 本发明提供一种通过组合蚀刻处理，能够将结晶质的半球状粒子控制在小尺寸的成膜方法。在被处理体W的表面形成薄膜的成膜方法中，具有由成膜气体在所述被处理体的表面形成结晶核，使该结晶核成长，从而形成结晶质的半球状粒子形成在表面的HSG薄膜的HSG薄膜形成工序；通过氧化所述HSG薄膜的表面形成氧化膜的氧化膜形成工序；通过蚀刻除去氧化膜的蚀刻工序。这样，通过组合蚀刻处理，可以将HSG硅结晶质粒子中的结晶质半球状粒子控制在小尺寸。
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公开(公告)号：CN1515028A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN02811742.5
申请日：2002-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/67259 , H01L21/67253 , H01L21/68 , H01L22/20 , Y10S414/135 , Y10S414/136
Abstract: 一种半导体处理的系统(10)包含测定部(40)、信息处理部(51)以及控制部(52)。测定部(40)测定实施过半导体处理的被处理基板(W)上的试验对象膜的特性。信息处理部(51)根据试验对象膜上的多个位置的由测定部(40)测定的特性的值，算出使特性的面内均匀性提高所必要的被处理基板(W)的位置修正量。控制部(52)在为了进行半导体处理而将接下来的被处理基板(W)通过移载装置(30)向支持部件(17)移载时，根据位置修正量控制移载装置(30)的驱动部(30A、32A)。
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公开(公告)号：CN101165856A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710194483.3
申请日：2007-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/316 , C23C8/10 , C23C8/16
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/31662
Abstract: 一种半导体处理用的氧化装置，包括从位于处理容器的处理区域的一侧上的接近被处理基板的气体供给口向处理区域供给氧化性气体和还原性气体的供给系统。气体供给口包括沿着与处理区域相对应的上下方向的整个长度设置的多个气体喷射孔。在处理容器的周围设置加热处理区域的加热器。控制部预先设定为使氧化性气体和还原性气体发生反应而在处理区域内产生氧活性种和氢氧根活性种，使用氧活性种和氢氧根活性种对被处理基板的表面进行氧化处理。
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