Invention Grant
- Patent Title: 具有用于间距倍增的间隔物的掩膜图案及其形成方法
- Patent Title (English): Mask patterns with spacers for pitch multiplication and methods of forming the same
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Application No.: CN200680039845.5Application Date: 2006-08-28
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Publication No.: CN101297391BPublication Date: 2011-03-02
- Inventor: 古尔特杰·S·桑胡 , 柯克·D·普拉尔
- Applicant: 美光科技公司
- Applicant Address: 美国爱达荷州
- Assignee: 美光科技公司
- Current Assignee: 美光科技公司
- Current Assignee Address: 美国爱达荷州
- Agency: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- Agent 王允方
- Priority: 11/219,346 2005.09.01 US
- International Application: PCT/US2006/033703 2006.08.28
- International Announcement: WO2007/027686 EN 2007.03.08
- Date entered country: 2008-04-25
- Main IPC: H01L21/033
- IPC: H01L21/033 ; H01L21/321 ; H01L21/308 ; H01L21/027

Abstract:
在不执行间隔物蚀刻的情况下形成间距倍增工艺中的间隔物(175)。而在衬底(110)上形成心轴(145),且接着使所述心轴(145)的侧面在例如氧化、氮化或硅化步骤中反应以形成可相对于所述心轴(145)的未反应部分选择性地移除的材料。选择性地移除所述未反应部分以留下独立式间隔物(175)的图案。所述独立式间隔物(175)可用作用于例如蚀刻所述衬底(110)的随后加工步骤的掩膜。
Public/Granted literature
- CN101297391A 具有用于间距倍增的间隔物的掩膜图案及其形成方法 Public/Granted day:2008-10-29
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IPC分类: